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用键参数函数法研究石墨层间化合物(GIC)的形成规律
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作者 石建新 韦永德 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期26-30,共5页
从化学键理论出发,利用键参数函数Φ[(z/rk)M,XM,(z/rk)C,XC]研究了气相条件下金属插入石墨层间形成施主型石墨层间化合物(GIC)的规律,包括金属的插入能力、插入剂的价态、电荷转移、一阶GIC的结构等... 从化学键理论出发,利用键参数函数Φ[(z/rk)M,XM,(z/rk)C,XC]研究了气相条件下金属插入石墨层间形成施主型石墨层间化合物(GIC)的规律,包括金属的插入能力、插入剂的价态、电荷转移、一阶GIC的结构等。并提出用相对插入指数I来表征金属元素插入石墨的难易程度,结合键参数图总结了气相条件下施主型GIC的形成规律,很好地解释了一些实验事实,还得到了一些尚无实验报道的预期结果。 展开更多
关键词 键参数函数 气相条件 石墨层间化合物
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