期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于锥形超晶格p-AlInGaN层的AlGaN基深紫外发光二极管性能优化
1
作者
许愿
张傲翔
+3 位作者
张鹏飞
王芳
刘俊杰
刘玉怀
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第1期101-107,共7页
为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内...
为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内部量子效率(IQE)也高达96%,并且没有效率下降现象.仿真计算结果表明,锥形超晶格p-AlInGaN层的引入明显增加了多量子阱(MQWs)内载流子的浓度并降低了量子阱(QWs)内的电场,导致了更高的辐射复合率,为改善DUV LED的性能提供了一个有吸引力的解决方案.
展开更多
关键词
深紫外发光二极管
ALINGAN
锥形超晶格
内部量子效率
辐射复合
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
基于锥形超晶格p-AlInGaN层的AlGaN基深紫外发光二极管性能优化
1
作者
许愿
张傲翔
张鹏飞
王芳
刘俊杰
刘玉怀
机构
郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心、河南省电子材料与系统国际联合实验室
郑州大学智能传感研究院
郑州大学产业技术研究院有限公司
郑州唯独电子科技有限公司
北方民族大学电气与信息工程学院
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025年第1期101-107,共7页
基金
国家自然科学基金(62174148)
国家重点研发计划(2022YFE0112000,2016YFE0118400)
+2 种基金
河南省国际科技合作重点项目(231111520300)
宁波市“科技创新2025”重大专项(2019B10129)
智汇郑州·1125聚才计划(ZZ2018-45)。
文摘
为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内部量子效率(IQE)也高达96%,并且没有效率下降现象.仿真计算结果表明,锥形超晶格p-AlInGaN层的引入明显增加了多量子阱(MQWs)内载流子的浓度并降低了量子阱(QWs)内的电场,导致了更高的辐射复合率,为改善DUV LED的性能提供了一个有吸引力的解决方案.
关键词
深紫外发光二极管
ALINGAN
锥形超晶格
内部量子效率
辐射复合
Keywords
Deep-ultraviolet light-emitting diodes
AlInGaN
Tapered superlattice
Internal quantum efficiency
Radiative recombination
分类号
O472 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于锥形超晶格p-AlInGaN层的AlGaN基深紫外发光二极管性能优化
许愿
张傲翔
张鹏飞
王芳
刘俊杰
刘玉怀
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
