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晶体硅太阳能电池绒面的反应离子刻蚀制备研究
被引量：
4
1
作者
靳聪慧
史振亮
+4 位作者
于威
丛日东
张瑜
宋登元
傅广生
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期571-575,共5页
以SF6和O2为反应气体,采用反应离子刻蚀(RIE)技术,在单晶硅衬底表面制备了锥型绒面结构,系统地研究了关键刻蚀条件对RIE晶硅表面制绒的影响。结果表明,随着反应气压增大,晶体硅表面锥型结构呈现分布均匀和高度增加的趋势,但过高气压下...
以SF6和O2为反应气体,采用反应离子刻蚀(RIE)技术,在单晶硅衬底表面制备了锥型绒面结构,系统地研究了关键刻蚀条件对RIE晶硅表面制绒的影响。结果表明,随着反应气压增大,晶体硅表面锥型结构呈现分布均匀和高度增加的趋势,但过高气压下锥型微结构向脊型转变直至消失。在反应气体中掺入CH4,晶体硅表面锥型结构高度增加,表面平均反射率下降到5.63%。该结果可解释为:气压增大导致的F原子刻蚀的增强有利于锥体结构高度增加,小尺寸的Si OyFx聚合物掩模的完全刻蚀使锥型结构的尺寸逐渐均匀,而过高的气压下,掩模及晶体硅的过量刻蚀导致微结构只剩锥体底部的脊型凸起。CH4掺入导致CHx聚合物的掩模和粒子轰击效应均有增强,更有利于高纵横比锥型微结构的形成。
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关键词
反应离子刻蚀
锥型绒面结构
晶体硅
太阳能电池
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职称材料
题名
晶体硅太阳能电池绒面的反应离子刻蚀制备研究
被引量：
4
1
作者
靳聪慧
史振亮
于威
丛日东
张瑜
宋登元
傅广生
机构
河北大学物理科学与技术学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期571-575,共5页
文摘
以SF6和O2为反应气体,采用反应离子刻蚀(RIE)技术,在单晶硅衬底表面制备了锥型绒面结构,系统地研究了关键刻蚀条件对RIE晶硅表面制绒的影响。结果表明,随着反应气压增大,晶体硅表面锥型结构呈现分布均匀和高度增加的趋势,但过高气压下锥型微结构向脊型转变直至消失。在反应气体中掺入CH4,晶体硅表面锥型结构高度增加,表面平均反射率下降到5.63%。该结果可解释为:气压增大导致的F原子刻蚀的增强有利于锥体结构高度增加,小尺寸的Si OyFx聚合物掩模的完全刻蚀使锥型结构的尺寸逐渐均匀,而过高的气压下,掩模及晶体硅的过量刻蚀导致微结构只剩锥体底部的脊型凸起。CH4掺入导致CHx聚合物的掩模和粒子轰击效应均有增强,更有利于高纵横比锥型微结构的形成。
关键词
反应离子刻蚀
锥型绒面结构
晶体硅
太阳能电池
Keywords
reactive ion etching
cone structure
crystalline silicon
solar cell
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶体硅太阳能电池绒面的反应离子刻蚀制备研究
靳聪慧
史振亮
于威
丛日东
张瑜
宋登元
傅广生
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
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