钙钛矿结构SrSnO3因其独特的介电和半导体性质而备受关注,通过掺杂可显著调控其电学、磁学性能,拓宽其应用范围。本研究在单晶SrTiO3（001）衬底上通过脉冲激光方法外延生长了SrSn1-xCoxO3（x=0,0.16,0.33,0.5）（SSCO）薄膜,探究了Co...钙钛矿结构SrSnO3因其独特的介电和半导体性质而备受关注,通过掺杂可显著调控其电学、磁学性能,拓宽其应用范围。本研究在单晶SrTiO3（001）衬底上通过脉冲激光方法外延生长了SrSn1-xCoxO3（x=0,0.16,0.33,0.5）（SSCO）薄膜,探究了Co含量对薄膜结晶性、微观结构、光学性能以及介电性能的影响。结果表明,SrSn1-xCoxO3薄膜可在Sr Ti O3（001）衬底上外延生长,Co掺杂不会导致薄膜结晶质量的劣化。薄膜表面形貌平整、致密,膜厚200 nm,表面粗糙度为0.44 nm。随薄膜中Co掺杂量增加,薄膜透过率从90%降至25%,光学带隙从4.24 e V降至2.44 e V。介电性能测试表明,掺杂薄膜在106Hz时介电常数为70.1,比无掺杂SrSnO3薄膜提高57%。室温时SSCO薄膜表面电阻率为172 MΩ,在1000℃范围内薄膜结构稳定。展开更多
采用溶剂热法,在1,4-丁二胺中合成以碱金属为客体阳离子的硫属锡酸盐Cs_8Mn_4Sn_4Se_(16)(1)及1,2-丙二胺(1,2-dap)配位的过渡金属为客体阳离子的硫属锡酸盐[Ni(1,2-dap)_3]_2Cd_2Sn_2S_8(2)。并采用单晶X射线、紫外可见漫反射、热重分...采用溶剂热法,在1,4-丁二胺中合成以碱金属为客体阳离子的硫属锡酸盐Cs_8Mn_4Sn_4Se_(16)(1)及1,2-丙二胺(1,2-dap)配位的过渡金属为客体阳离子的硫属锡酸盐[Ni(1,2-dap)_3]_2Cd_2Sn_2S_8(2)。并采用单晶X射线、紫外可见漫反射、热重分析-差示扫描量热分析(TG-DSC)等手段进行表征。结果表明,化合物1为正交晶系,空间群为Fddd;化合物2为正交晶系,空间群为Cmcm;且结构中均包含Sn Q4(Q=S,Se)四面体与TMQ_4(TM=Mn,Cd)四面体通过共边而成的一维(1-D)阴离子链,紫外可见漫反射分析表明,化合物1、2的禁带宽度分别为1.70和2.21 e V,具有半导体性质。且TG-DSC测试显示化合物1、2在一定温度下具有一定的稳定性。展开更多
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(51572281,61204073)Basic Research Foundation of Shanghai,China(13NM1402101)~~
文摘钙钛矿结构SrSnO3因其独特的介电和半导体性质而备受关注,通过掺杂可显著调控其电学、磁学性能,拓宽其应用范围。本研究在单晶SrTiO3（001）衬底上通过脉冲激光方法外延生长了SrSn1-xCoxO3（x=0,0.16,0.33,0.5）（SSCO）薄膜,探究了Co含量对薄膜结晶性、微观结构、光学性能以及介电性能的影响。结果表明,SrSn1-xCoxO3薄膜可在Sr Ti O3（001）衬底上外延生长,Co掺杂不会导致薄膜结晶质量的劣化。薄膜表面形貌平整、致密,膜厚200 nm,表面粗糙度为0.44 nm。随薄膜中Co掺杂量增加,薄膜透过率从90%降至25%,光学带隙从4.24 e V降至2.44 e V。介电性能测试表明,掺杂薄膜在106Hz时介电常数为70.1,比无掺杂SrSnO3薄膜提高57%。室温时SSCO薄膜表面电阻率为172 MΩ,在1000℃范围内薄膜结构稳定。
文摘采用溶剂热法,在1,4-丁二胺中合成以碱金属为客体阳离子的硫属锡酸盐Cs_8Mn_4Sn_4Se_(16)(1)及1,2-丙二胺(1,2-dap)配位的过渡金属为客体阳离子的硫属锡酸盐[Ni(1,2-dap)_3]_2Cd_2Sn_2S_8(2)。并采用单晶X射线、紫外可见漫反射、热重分析-差示扫描量热分析(TG-DSC)等手段进行表征。结果表明,化合物1为正交晶系,空间群为Fddd;化合物2为正交晶系,空间群为Cmcm;且结构中均包含Sn Q4(Q=S,Se)四面体与TMQ_4(TM=Mn,Cd)四面体通过共边而成的一维(1-D)阴离子链,紫外可见漫反射分析表明,化合物1、2的禁带宽度分别为1.70和2.21 e V,具有半导体性质。且TG-DSC测试显示化合物1、2在一定温度下具有一定的稳定性。
