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铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
1
作者
张倍维
陆映东
+3 位作者
黄作
莫斌
方志杰
黄誓成
《功能材料》
北大核心
2025年第1期1209-1216,共8页
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备...
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。
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关键词
铟
锡
氧化
物
温度-结构-性能关系
锡
(Sn)
掺杂
氧化
铟
(In2O3)
ITO靶材
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职称材料
锡掺杂的氧化铟纳米粉体的表面修饰与改性
2
作者
崔升
林本兰
+1 位作者
黄杏芳
沈晓冬
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期338-341,共4页
为了提高锡掺杂的氧化铟纳米粉体在有机单体甲基丙烯酸甲酯(MMA)中的分散效果,采用球磨、辅助超声等方法,选用PEG4000、KH570、油酸和十八醇等作为分散剂,对纳米粉体进行表面修饰和改性.研究了分散剂种类、添加量及球磨时间对纳米粉体...
为了提高锡掺杂的氧化铟纳米粉体在有机单体甲基丙烯酸甲酯(MMA)中的分散效果,采用球磨、辅助超声等方法,选用PEG4000、KH570、油酸和十八醇等作为分散剂,对纳米粉体进行表面修饰和改性.研究了分散剂种类、添加量及球磨时间对纳米粉体分散稳定性的影响.找出了在MMA单体中分散最好的纳米粉体改性工艺条件:以乙二醇为分散介质、锡掺杂氧化铟纳米粉体摩尔分数为0.1%的KH570和0.016%的一缩二乙二醇为分散剂,球磨10 h,辅助超声30 min,红外干燥.采用高分辨透射电镜(HRTEM)和红外光谱(FT-IR)等对其结构和包裹性能进行了表征,结果显示粉体粒径约为50 nm,表面被无定形分散剂所包裹,颗粒之间无明显团聚现象,分散性好.
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关键词
锡掺杂氧化铟
纳米粉
纳米粉
分散剂
表面修饰与改性
表征
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职称材料
纳米碳酸钙基浅色导电粉的制备及性能研究
3
作者
法文君
王笑阳
+4 位作者
王振宇
王初哲
卢晓娅
李鹏
郑直
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期1955-1959,1971,共6页
以纳米碳酸钙为核体,用聚电解质对其表面改性后,采用均相共沉淀法制备了锡掺杂氧化铟(ITO)包覆的碳酸钙基浅色导电粉。通过改变聚电解质层数、ITO的包覆量及煅烧时间等实验条件,探究了制备纳米碳酸钙基浅色导电粉的最佳条件。用X-射线...
以纳米碳酸钙为核体,用聚电解质对其表面改性后,采用均相共沉淀法制备了锡掺杂氧化铟(ITO)包覆的碳酸钙基浅色导电粉。通过改变聚电解质层数、ITO的包覆量及煅烧时间等实验条件,探究了制备纳米碳酸钙基浅色导电粉的最佳条件。用X-射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X-射线电子能谱以及粉末电阻率测试仪等对样品的结构、形貌、化学组成及电阻率等进行分析。结果表明:聚电解质层数为5层,CaCO3与ITO的质量比为6∶1,500℃煅烧4.5 h制备的粉末具有最佳的导电性能,其电阻率为3.8×103Ω·cm。
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关键词
浅色导电粉
纳米碳酸钙
锡掺杂氧化铟
聚电解质
共沉淀法
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职称材料
题名
铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
1
作者
张倍维
陆映东
黄作
莫斌
方志杰
黄誓成
机构
广西晶联光电材料有限责任公司
广西科技大学电子工程学院
中南大学材料科学与工程学院
出处
《功能材料》
北大核心
2025年第1期1209-1216,共8页
基金
国家自然科学基金项目(12364011)
广西重点研发项目(桂科AB23026146)。
文摘
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。
关键词
铟
锡
氧化
物
温度-结构-性能关系
锡
(Sn)
掺杂
氧化
铟
(In2O3)
ITO靶材
Keywords
indium tin oxide
temperature-structure-performance relationship
tin(Sn)doped indium oxide(In 2O 3)
ITO target
分类号
TM283 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
锡掺杂的氧化铟纳米粉体的表面修饰与改性
2
作者
崔升
林本兰
黄杏芳
沈晓冬
机构
南京工业大学材料科学与工程学院
南京工业大学学报编辑部
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期338-341,共4页
基金
江苏省博士后科研资助计划项目(0701012B)
文摘
为了提高锡掺杂的氧化铟纳米粉体在有机单体甲基丙烯酸甲酯(MMA)中的分散效果,采用球磨、辅助超声等方法,选用PEG4000、KH570、油酸和十八醇等作为分散剂,对纳米粉体进行表面修饰和改性.研究了分散剂种类、添加量及球磨时间对纳米粉体分散稳定性的影响.找出了在MMA单体中分散最好的纳米粉体改性工艺条件:以乙二醇为分散介质、锡掺杂氧化铟纳米粉体摩尔分数为0.1%的KH570和0.016%的一缩二乙二醇为分散剂,球磨10 h,辅助超声30 min,红外干燥.采用高分辨透射电镜(HRTEM)和红外光谱(FT-IR)等对其结构和包裹性能进行了表征,结果显示粉体粒径约为50 nm,表面被无定形分散剂所包裹,颗粒之间无明显团聚现象,分散性好.
关键词
锡掺杂氧化铟
纳米粉
纳米粉
分散剂
表面修饰与改性
表征
Keywords
Sn - In2O3 nanopowders
nanopowders
dispersant
surface modification
character
分类号
TQ134.11 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
纳米碳酸钙基浅色导电粉的制备及性能研究
3
作者
法文君
王笑阳
王振宇
王初哲
卢晓娅
李鹏
郑直
机构
河南省微纳米能量储存与转换材料重点实验室许昌学院表面微纳米材料研究所
许昌学院化学化工学院
河南科力新材料股份有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期1955-1959,1971,共6页
基金
国家自然科学基金(21007053)
河南省科技创新杰出人才支持计划(104100510001)
河南省科技攻关重点项目(102102210334)
文摘
以纳米碳酸钙为核体,用聚电解质对其表面改性后,采用均相共沉淀法制备了锡掺杂氧化铟(ITO)包覆的碳酸钙基浅色导电粉。通过改变聚电解质层数、ITO的包覆量及煅烧时间等实验条件,探究了制备纳米碳酸钙基浅色导电粉的最佳条件。用X-射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、X-射线电子能谱以及粉末电阻率测试仪等对样品的结构、形貌、化学组成及电阻率等进行分析。结果表明:聚电解质层数为5层,CaCO3与ITO的质量比为6∶1,500℃煅烧4.5 h制备的粉末具有最佳的导电性能,其电阻率为3.8×103Ω·cm。
关键词
浅色导电粉
纳米碳酸钙
锡掺杂氧化铟
聚电解质
共沉淀法
Keywords
light-color conductive powder
nano calcium carbonate
indium tin oxide （ITO）
polyelectrolyte
co-precipitation
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
张倍维
陆映东
黄作
莫斌
方志杰
黄誓成
《功能材料》
北大核心
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
锡掺杂的氧化铟纳米粉体的表面修饰与改性
崔升
林本兰
黄杏芳
沈晓冬
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
纳米碳酸钙基浅色导电粉的制备及性能研究
法文君
王笑阳
王振宇
王初哲
卢晓娅
李鹏
郑直
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
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