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抗单粒子翻转效应的SRAM研究与设计 被引量:7
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作者 陈楠 魏廷存 +2 位作者 魏晓敏 高武 郑然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期491-496,共6页
在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性。采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力。内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据"纠... 在空间应用和核辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响SRAM的可靠性。采用错误检测与校正(EDAC)和版图设计加固技术研究和设计了一款抗辐射SRAM芯片,以提高SRAM的抗单粒子翻转效应能力。内置的EDAC模块不仅实现了对存储数据"纠一检二"的功能,其附加的存储数据错误标志位还简化了SRAM的测试方案。通过SRAM原型芯片的流片和测试,验证了EDAC电路的功能。与三模冗余技术相比,所设计的抗辐射SRAM芯片具有面积小、集成度高以及低功耗等优点。 展开更多
关键词 静态随机存储器 辐射加固技术 单粒子翻转 错误检测与校正
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S698M SoC芯片中EDAC模块的设计与实现 被引量:8
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作者 黄琳 陈第虎 +1 位作者 梁宝玉 颜军 《中国集成电路》 2008年第9期50-54,共5页
EDAC检错纠错模块在电子、通信以及航空航天等领域有着广泛的应用。本文主要介绍了利用[39,32]扩展海明码的EDAC模块的基本原理和用VHDL语言设计实现EDAC的设计实现,该模块在XIL-INXISE软件开发环境下通过设计、综合、仿真,验证了设计... EDAC检错纠错模块在电子、通信以及航空航天等领域有着广泛的应用。本文主要介绍了利用[39,32]扩展海明码的EDAC模块的基本原理和用VHDL语言设计实现EDAC的设计实现,该模块在XIL-INXISE软件开发环境下通过设计、综合、仿真,验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 错误检测与校正(EDAC) 单粒子翻转(SEU) VHDL 扩展海明码
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