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题名一种检测和校正存储器双错的低冗余加固方法
被引量：1
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作者
祝名
朱恒静
刘迎辉
于庆奎
唐民
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机构
中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
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出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期924-930,共7页
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文摘
为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力,本文对传统的单错误修正、双错误探测(Single Error Correction and Double Error Detection,SEC-DED)码的构造进行了改进和优化,给出了构建单错校正、双错检测、相邻双错校正(Single Error Correction,Double Error Detection and Double Adjacent Error Correction,SEC-DED-DAEC)码奇偶校验矩阵的构造规则。通过适当地增加奇偶校验矩阵列向量的权重和、改变奇偶校验矩阵列向量顺序的方式,提出了一种具有新特征结构的SEC-DED-DAEC码,它可以修正任意相邻两位错误。实验结果表明,提出的SECDED-DAEC码是一种有效的宇航用存储器抗单粒子翻转加固措施,其冗余开销基本与传统的SEC-DED码相同,误码率低于国际同类文献的结果。
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关键词
存储器
抗辐射加固
错误修正码
多位翻转
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Keywords
Memory
Radiation hardened
Error correction code
Multiple bit upset
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分类号
TN431.2
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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