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题名SRAM型FPGA的抗SEU方法研究
被引量：13
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作者
黄影
张春元
刘东
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机构
国防科学技术大学计算机学院
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出处
《中国空间科学技术》
EI
CSCD
北大核心
2007年第4期57-65,共9页
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基金
国家重点基础研究发展计划项目
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文摘
通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错码(Error Correction Code,ECC)和擦洗(Scrubbing),提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法。在FPGA平台上对线性反馈移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,LFSR)逻辑进行软件仿真的抗SEU验证实现,将各种容错设计方法实现后获得的实验数据进行分析比较。结果表明,64阶LFSR的抗SEU容错开销与基于硬件的TMR方法相比,可以节省92%的冗余逻辑资源;与基于时间的TMR相比,附加时间延迟缩短26%。
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关键词
单粒子翻转
现场可编程门阵列
三模冗余
错误代码校验
空间电子干扰
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Keywords
Single event upset； Field programmable gate array； Triple module redundancy； Error code correction； Space electronic warfare
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分类号
TP312
[自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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