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锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙
1
作者
钟伯强
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期73-77,共5页
用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄...
用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄膜样品的光隙,发现它们与相应块样的光隙在 x 较小时相差较大,这主要是材料中 S 的含量偏离所致。本文对组成偏离的原因进行了讨论。
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关键词
硫
系薄膜
锗硫锑
非晶薄膜
光隙
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职称材料
题名
锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙
1
作者
钟伯强
机构
中国科学院上海硅酸盐所
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第1期73-77,共5页
文摘
用 EPMA 分析了真空蒸发制得的(Ge_(0.3)S_(0.7))_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6))_x 和(Ge_(0.42)S_(0.58)_(100-x)(Sb_(0.4)S_(0.6)_x 薄膜样品的组成,发现薄膜中 Ge、S、Sb 的含量与作为蒸发源的相应的块样中的含量不同。同时测量了两类薄膜样品的光隙,发现它们与相应块样的光隙在 x 较小时相差较大,这主要是材料中 S 的含量偏离所致。本文对组成偏离的原因进行了讨论。
关键词
硫
系薄膜
锗硫锑
非晶薄膜
光隙
Keywords
Chalcogenide films
Amorphous semiconductors
Composition deviation
Optical gap
分类号
O484.41 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
锗硫锑非晶薄膜材料的组成和光隙
钟伯强
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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