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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量:5
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作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应
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非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管 被引量:1
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作者 钱文生 刘冬华 +2 位作者 胡君 段文婷 石晶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期275-280,共6页
介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集... 介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。 展开更多
关键词 超高压 锗硅异质结双极晶体管 击穿电压 二维集电区
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高速NPN锗硅异质结双极晶体管的设计与制作 被引量:1
3
作者 钱文生 刘冬华 +5 位作者 陈帆 陈雄斌 石晶 段文婷 胡君 黄景丰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期467-471,共5页
报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件... 报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件。 展开更多
关键词 高速 锗硅异质结双极晶体管 截止频率
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锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 被引量:1
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作者 韩平 胡立群 +9 位作者 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期382-382,共1页
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器... GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 研制
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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 被引量:5
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作者 张晋新 郭红霞 +7 位作者 文林 郭旗 崔江维 范雪 肖尧 席善斌 王信 邓伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2433-2438,共6页
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明... 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 激光微束 电荷收集
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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 被引量:1
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作者 阮刚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页
本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
关键词 应变层 双极晶体管 异质
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硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展 被引量:4
7
作者 谢自力 《半导体情报》 1997年第4期18-22,共5页
叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状,分析了该晶体管的结构机理、特点及制造技术,并且阐述了该器件的发展前景。
关键词 应变层 异质 销基区 双极晶体管
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5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器 被引量:2
8
作者 李文渊 顾洵 《电子器件》 CAS 2008年第6期1761-1764,1768,共5页
采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.... 采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7 dB;1 dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%。 展开更多
关键词 功率放大器 无线局域网 异质双极晶体管 自适应偏置
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硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
9
作者 黄流兴 魏同立 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,... 具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 电子参数
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2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)——高电流传输线脉冲(TLP)和结合碳的硅锗异质结双极晶体管的ESD特性表征
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《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第4期61-61,共1页
关键词 ESD 静电放电健壮性 SiGe-HBT器件 基极宽度 异质双极晶体管 高电流传输线脉冲
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外延基极硅锗异质结双极晶体管的静电放电和高电流脉冲特性表征
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《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第4期65-65,共1页
关键词 放电 外延基极 异质双极晶体管 静电 高电流脉冲 特性表征
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SiGe异质结双极晶体管频率特性分析 被引量:3
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作者 张鹤鸣 戴显英 +3 位作者 吕懿 林大松 胡辉勇 王伟 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期293-297,共5页
在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
关键词 SIGE异质双极晶体管 时间常数 特征频率 构参数 电流密度 基区扩展效应
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MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究 被引量:2
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作者 黄柏标 刘士文 +3 位作者 任红文 刘立强 蒋民华 徐现刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期230-234,共5页
本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15~40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振... 本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15~40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz. 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 工艺 MOCVD
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基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计 被引量:4
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作者 丁春宝 张万荣 +7 位作者 金冬月 谢红云 陈亮 沈佩 张东晖 刘波宇 周永强 郭振杰 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1070-1076,共7页
详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准... 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA)。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5~20dB,增益平坦度为4-0.25dB;输入、输出匹配良好;线性度为-5- -2dBm;在整个频段内,无条件稳定。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) SiGe异质双极晶体管(HBT) 电阻反馈 线性度 共射-共基放大器
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最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管 被引量:2
15
作者 钱峰 陈新宇 +6 位作者 肖秀红 姚晓峨 周天舒 潘菁 陈效建 齐鸣 李爱珍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期309-310,共2页
最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管钱峰,陈新宇,肖秀红,姚晓峨,周天舒,潘菁,陈效建(南京电子器件研究所,210016)齐鸣,李爱珍(中科院上海冶金所,200050)Af_(max)=4... 最高振荡频率为46 GHz的GaInP/GaAs异质结双极晶体管钱峰,陈新宇,肖秀红,姚晓峨,周天舒,潘菁,陈效建(南京电子器件研究所,210016)齐鸣,李爱珍(中科院上海冶金所,200050)Af_(max)=46GHzGaInP/GaAsHBT... 展开更多
关键词 异质 双极晶体管 半导体器件
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一种f_t为176GHz、大电流多指结构的InGaAs/InP异质结双极晶体管(英文) 被引量:1
16
作者 金智 程伟 +2 位作者 刘新宇 徐安怀 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期81-84,共4页
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有... 针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管.实验结果表明发射极的宽度可减小到1μm.Kirk电流可达到110mA,电流增益截止频率达到176GHz.这种器件有望在中等功率的毫米波电路中有所应用. 展开更多
关键词 INP 异质双极晶体管 高电流 高频
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X波段功率异质结双极晶体管 被引量:4
17
作者 钱峰 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期45-50,共6页
讨论了 X波段功率异质结双极晶体管 (HBT)的设计 ,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果。研制的器件在 X波段功率输出大于 5 W,功率密度达到 2 .5 W/mm。采用 76mm圆片工艺制作 ,芯片的 DC成品率高于 80 %。
关键词 X波段 异质双极晶体管 微波 HBT
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InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性 被引量:2
18
作者 吴永辉 魏洪涛 +3 位作者 刘军 崔雍 樊渝 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期537-541,547,共6页
InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试... InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。 展开更多
关键词 InP双异质双极晶体管(DHBT) 附加相位噪声 正交鉴相 压控振荡器(VCO) 单片微波集成电路(MMIC)
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气体吸附对硅锗异质结纳米线电子结构与光学性质的影响
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作者 顾芳 陆春玲 +2 位作者 刘清惓 张加宏 朱涵 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第4期63-70,共8页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同硅锗组分的[112]晶向的硅锗纳米线对CO,CO_(2)和Cl_(2)分子的吸附能的绝对值在0.001 eV至1.36 eV之间,其中Si_(24)Ge_(36)H_(32)对CO_(2)气体的吸附能最大,气敏性能最好.能带结构计算表明:吸附CO和CO_(2)分子的[112]晶向硅锗纳米线能带的简并度明显减小,带隙变化较小;而吸附Cl2分子后的价带顶与导带底之间产生了杂质能级使其带隙减小.光学性质计算表明:Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线吸附CO, CO_(2)和Cl_(2)分子后的光学性质差异明显,主要体现在吸收谱的范围及吸收峰的峰值上,上述研究结果为[112]晶向Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线可作为气体传感器敏感材料提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 异质纳米线 气体吸附 电子 光学性质
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InP/InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择 被引量:1
20
作者 陈维友 刘式墉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期33-39,共7页
本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频... 本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响,给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。 展开更多
关键词 异质 双极晶体管 优化设计 CAA
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