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锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制 被引量:1
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作者 韩平 胡立群 +9 位作者 王荣华 江若琏 顾书林 朱顺明 张荣 郑有炓 茅保华 傅义珠 汪建元 熊承堃 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期382-382,共1页
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器... GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N^+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 研制
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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 被引量:1
2
作者 阮刚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页
本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
关键词 应变层 双极型晶体管 异质
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5 GHz无线局域网的锗硅异质结晶体管功率放大器 被引量:2
3
作者 李文渊 顾洵 《电子器件》 CAS 2008年第6期1761-1764,1768,共5页
采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.... 采用IBM 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了一种应用于5 GHz无线局域网的射频功率放大器。功率放大器工作在A类状态,由两级共发射极放大电路组成,并利用自适应偏置技术改善了功放的线性度。输入输出和级间匹配网络都采用片内元件实现。在3.3 V的电源电压下,模拟得到的功率增益为32.7 dB;1 dB压缩点输出功率为25.7 dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%。 展开更多
关键词 功率放大器 无线局域网 锗硅异质结双极型晶体管 自适应偏置
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基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析
4
作者 张津豪 苏江涛 +3 位作者 谢炜誉 邵世缘 徐魁文 李文钧 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期30-36,共7页
大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波... 大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。 展开更多
关键词 负载失配 波形测试 异质双极型晶体管 电磁安全防护
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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 被引量:5
5
作者 张晋新 郭红霞 +7 位作者 文林 郭旗 崔江维 范雪 肖尧 席善斌 王信 邓伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2433-2438,共6页
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明... 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。 展开更多
关键词 异质双极晶体管 单粒子效应 激光微束 电荷收集
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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量:5
6
作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多
关键词 异质双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应
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硅锗基区异质结双极晶体管的研究进展 被引量:4
7
作者 谢自力 《半导体情报》 1997年第4期18-22,共5页
叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状,分析了该晶体管的结构机理、特点及制造技术,并且阐述了该器件的发展前景。
关键词 应变层 异质 销基区 双极晶体管
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非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管 被引量:1
8
作者 钱文生 刘冬华 +2 位作者 胡君 段文婷 石晶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期275-280,共6页
介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集... 介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的"L形"二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区。该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压SiGe HBT,并实现不同击穿电压的超高压SiGe HBT阵列。详细阐述了该器件的制作工艺,并对器件的直流和射频性能作了系统的总结和分析。 展开更多
关键词 超高压 异质双极晶体管 击穿电压 二维集电区
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高速NPN锗硅异质结双极晶体管的设计与制作 被引量:1
9
作者 钱文生 刘冬华 +5 位作者 陈帆 陈雄斌 石晶 段文婷 胡君 黄景丰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期467-471,共5页
报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件... 报告了0.18μm高速N型锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的器件结构和制作工艺。分析了SiGe HBT器件的直流和射频特性,其截止频率为110 GHz,击穿电压为1.8 V,电流增益为270。研究了集电区掺杂及锗硅碳外延基区的厚度与掺杂工艺条件对器件特性的影响,并给出最优化的工艺条件。 展开更多
关键词 高速 异质双极晶体管 截止频率
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气体吸附对硅锗异质结纳米线电子结构与光学性质的影响
10
作者 顾芳 陆春玲 +2 位作者 刘清惓 张加宏 朱涵 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第4期63-70,共8页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同硅锗组分的[112]晶向的硅锗纳米线对CO,CO_(2)和Cl_(2)分子的吸附能的绝对值在0.001 eV至1.36 eV之间,其中Si_(24)Ge_(36)H_(32)对CO_(2)气体的吸附能最大,气敏性能最好.能带结构计算表明:吸附CO和CO_(2)分子的[112]晶向硅锗纳米线能带的简并度明显减小,带隙变化较小;而吸附Cl2分子后的价带顶与导带底之间产生了杂质能级使其带隙减小.光学性质计算表明:Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线吸附CO, CO_(2)和Cl_(2)分子后的光学性质差异明显,主要体现在吸收谱的范围及吸收峰的峰值上,上述研究结果为[112]晶向Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线可作为气体传感器敏感材料提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 异质纳米线 气体吸附 电子 光学性质
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锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
11
作者 李平 李学宁 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期575-575,共1页
关键词 阳极绝缘栅 异质 晶体管
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硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
12
作者 黄流兴 魏同立 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,... 具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管(PHBT),其能带结构类似于真实异质结双极晶体管(HBT)的能带结构,本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益,截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系,并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。 展开更多
关键词 双极晶体管 异质 电子参数
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外延基极硅锗异质结双极晶体管的静电放电和高电流脉冲特性表征
13
《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第4期65-65,共1页
关键词 放电 外延基极 异质双极晶体管 静电 高电流脉冲 特性表征
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2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)——高电流传输线脉冲(TLP)和结合碳的硅锗异质结双极晶体管的ESD特性表征
14
《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第4期61-61,共1页
关键词 ESD 静电放电健壮性 SiGe-HBT器件 基极宽度 异质双极晶体管 高电流传输线脉冲
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异质结双极型晶体管SPICE模型及其参数提取
15
作者 章安良 《电子器件》 CAS 2008年第2期436-440,共5页
将异质结双极型晶体管(HBT)模型分为本征模型和外模型,并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应、热效应和重搀杂效应等因数,应用VC++语言编制提取HBT模型参数软件包,根据HBT的物理参数模拟了HBT的I-... 将异质结双极型晶体管(HBT)模型分为本征模型和外模型,并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应、热效应和重搀杂效应等因数,应用VC++语言编制提取HBT模型参数软件包,根据HBT的物理参数模拟了HBT的I-V特性、差分电路的稳态特性和瞬态特性,并与实验结果相对比,验证了HBT模型的正确性。 展开更多
关键词 异质双极型晶体管 参数提取 等效电路
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伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文) 被引量:3
16
作者 温景超 石瑞英 +4 位作者 龚敏 唐龙谷 田野 谭开州 蒲林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期545-549,共5页
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是... 研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。 展开更多
关键词 异质双极型晶体管 自建电势 掺杂浓度 集电极电流 厄尔利电压 伽玛辐照
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究 被引量:12
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作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期43-47,共5页
本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管(DHBT)异质结势垒效应(HBE),研究发现,集电结(BC)处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。在低温下HBE... 本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管(DHBT)异质结势垒效应(HBE),研究发现,集电结(BC)处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。在低温下HBE比常温下更严重地退化器件参数;基于以上研究结果,我们指出了减弱HBE的有效方法,本研究结果对设计开发Si/SiGe/SiHBT,尤其对设计开发低温工作的微波功率Si/SiGe/SiHBT是非常重要的。 展开更多
关键词 应变层 势垒 异质 双极晶体管
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Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT 被引量:1
18
作者 李建军 魏希文 +3 位作者 沈光地 陈建新 邹德恕 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期99-104,共6页
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使... 基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使用方法 ,阐述了进行器件特性分析的数值方法 ,并给出了应用实例。 展开更多
关键词 合金 模拟器 异质 晶体管
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Si-Ge异质结基区混合模式晶体管的提出和模拟
19
作者 郭维廉 毛陆虹 +3 位作者 李树荣 郑云光 王静 吴霞宛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期306-312,共7页
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从... 在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。由于基区采用禁带宽度较窄的 Si- Ge合金材料 ,引起空穴向发射区反注入势垒的提高 ,使 IB空穴电流减小 ,从而提高了注入效率 ;迁移率增高 ,从而提高特征频率。因而这种器件具有 β高、基区电阻低、基区渡越时间短等优点。通过器件模拟证实了该器件具有输出电流大、低温放大倍数极高、常温放大倍数较高、特征频率高等优点 ,是下一代 展开更多
关键词 基区 混合模式晶体管 -异质 器件模拟
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 被引量:4
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作者 张万荣 李志国 +7 位作者 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1132-1134,共3页
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,... 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。 展开更多
关键词 异质双极晶体管 负阻特性 输出特性
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