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硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展 被引量：1
1
作者 阮刚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期67-73,54,共8页
本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
关键词 硅锗应变层 双极型晶体管 异质结
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基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析
2
作者 张津豪 苏江涛 +3 位作者 谢炜誉 邵世缘 徐魁文 李文钧 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期30-36,共7页
大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波... 大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。 展开更多
关键词 负载失配 波形测试 异质结双极型晶体管 电磁安全防护
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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟 被引量：6
3
作者 张晋新 郭红霞 +7 位作者 文林 郭旗 崔江维 范雪 肖尧 席善斌 王信 邓伟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期2433-2438,共6页
对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明... 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析。试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变。入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加;外加电压增大,电流脉冲的波峰增大;SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 激光微束 电荷收集
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气体吸附对硅锗异质结纳米线电子结构与光学性质的影响
4
作者 顾芳 陆春玲 +2 位作者 刘清惓 张加宏 朱涵 《原子与分子物理学报》 北大核心 2024年第4期63-70,共8页
基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同... 基于密度泛函理论体系下的广义梯度近似(GGA),采用第一性原理方法探讨了沿[112]晶向的硅锗异质结纳米线作为气体传感器检测CO,CO_(2)和Cl2的能力,着重计算了其吸附气体分子前后的吸附能、能带结构与光学性质.几何结构优化计算表明:不同硅锗组分的[112]晶向的硅锗纳米线对CO,CO_(2)和Cl_(2)分子的吸附能的绝对值在0.001 eV至1.36 eV之间,其中Si_(24)Ge_(36)H_(32)对CO_(2)气体的吸附能最大,气敏性能最好.能带结构计算表明:吸附CO和CO_(2)分子的[112]晶向硅锗纳米线能带的简并度明显减小,带隙变化较小;而吸附Cl2分子后的价带顶与导带底之间产生了杂质能级使其带隙减小.光学性质计算表明:Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线吸附CO, CO_(2)和Cl_(2)分子后的光学性质差异明显,主要体现在吸收谱的范围及吸收峰的峰值上,上述研究结果为[112]晶向Si_(24)Ge_(36)H_(32)纳米线可作为气体传感器敏感材料提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 硅锗异质结纳米线 气体吸附 电子结构 光学性质
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锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管
5
作者 李平 李学宁 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期575-575,共1页
关键词 锗硅阳极绝缘栅 异质结 晶体管
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硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析
6
作者 黄流兴 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1994年第2期8-14,共7页
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，... 具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。 展开更多
关键词 双极晶体管 赝异质结 硅 电子参数
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伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文) 被引量：3
7
作者 温景超 石瑞英 +4 位作者 龚敏 唐龙谷 田野 谭开州 蒲林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期545-549,共5页
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是... 研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。 展开更多
关键词 异质结双极型晶体管 自建电势 掺杂浓度 集电极电流 厄尔利电压 伽玛辐照
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Si／SiGe／Si双异质结晶体管异质结势垒效应（HBE）研究 被引量：12
8
作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期43-47,共5页
本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管（ＤＨＢＴ）异质结势垒效应（ＨＢＥ），研究发现，集电结（ＢＣ）处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。在低温下ＨＢＥ... 本文研究了不同温度下Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ双异质结晶体管（ＤＨＢＴ）异质结势垒效应（ＨＢＥ），研究发现，集电结（ＢＣ）处价带能量差△Ｅｖ越大，ＨＢＥ越明显，在给定的△Ｅｖ下，随着温度的降低，ＨＢＥ越显著。在低温下ＨＢＥ比常温下更严重地退化器件参数；基于以上研究结果，我们指出了减弱ＨＢＥ的有效方法，本研究结果对设计开发Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ，尤其对设计开发低温工作的微波功率Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ是非常重要的。 展开更多
关键词 应变层 势垒 异质结 双极晶体管 锗化硅
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f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管 被引量：1
9
作者 邹德恕 陈建新 +5 位作者 高国 沈光地 杜金玉 王东凤 张时明 袁颍 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期55-59,共5页
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。
关键词 硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅
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光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究 被引量：1
10
作者 戴显英 胡辉勇 +1 位作者 张鹤鸣 孙建诚 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期509-512,共4页
介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (Si... 介绍了采用紫外光化学汽相淀积 (UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统 ,简称U3 CVD系统 应用该系统 ,在 4 5 0℃低温和 10 - 7Pa超高真空环境下研制出了硅锗 (SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)材料 实验表明 。 展开更多
关键词 紫外光化学汽相淀积 超高真空化学汽相淀积 超低压化学汽相淀积 异质结 硅锗材料 双极晶体管
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Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 被引量：4
11
作者 张万荣 李志国 +7 位作者 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1132-1134,共3页
同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,... 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。 展开更多
关键词 异质结双极晶体管 负阻特性 输出特性 硅 锗
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f_T为135GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 被引量：1
12
作者 贾霖 倪学文 +6 位作者 莫邦燹 关旭东 张录 宁宝俊 韩汝琦 李永康 周均铭 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期353-358,共6页
利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击... 利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击穿电压BVCEO 为 5V ,晶体管的截止频率fT 为13 5GHz。 展开更多
关键词 多晶硅发射极技术 分子束外延SiGe基区 锗硅异质结双极晶体管 研制
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一种新型锗硅混晶异质结构太阳电池的设计与理论分析 被引量：1
13
作者 李成虎 赵玉文 +3 位作者 黎雪梅 王福永 王玉亭 阎晓彬 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期410-416,共7页
为减少通常锗硅混晶太阳电池的异质界面复合及窄能隙引入的体内复合增强 ,提出了一种新型结构锗硅混晶太阳电池模型。对反映电池内光生少子运动的参数及物理过程分析后得出该模型少子连续方程。计算结果表明 ,该电池模型 ,在优化条件下... 为减少通常锗硅混晶太阳电池的异质界面复合及窄能隙引入的体内复合增强 ,提出了一种新型结构锗硅混晶太阳电池模型。对反映电池内光生少子运动的参数及物理过程分析后得出该模型少子连续方程。计算结果表明 ,该电池模型 ,在优化条件下既能减少高浓度锗导致的复合增强 ,又能拓宽长波光谱响应。计算预测的最佳转换效率为 17.2 % 展开更多
关键词 锗硅混晶 异质结 太阳电池
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绝缘栅异质结双极晶体管
14
作者 文争 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期60-60,共1页
关键词 绝缘栅异质结双极晶体管 硅材料 闭锁效应
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高性能双极型集成电路晶体管 被引量：1
15
作者 傅兴华 陈军宁 童勤义 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第6期631-642,共12页
本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。
关键词 双极集成电路 异质结 双极型晶体管
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硅异质结和赝异质结双极器件研究进展
16
作者 郑茳 许居衍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期144-147,共4页
本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。
关键词 硅 异质结 赝异质结 双极器件 双极晶体管
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9μmp^＋—GexSi1—x／p—Si异质结内光电红外探测器 被引量：1
17
作者 龚大卫 卢学坤 +8 位作者 卫星 杨小平 胡际璜 盛篪 张翔九 王迅 周涛 叶红娟 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期149-152,共4页
用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
关键词 异质结 锗硅合金 红外探测器
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硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究 被引量：1
18
作者 孟令琴 费元春 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期78-81,共4页
本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的... 本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础 。 展开更多
关键词 硅锗技术 无线射频 半导体技术 异质结双极晶体管 砷化镓场效应管
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Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶
19
作者 李书平 王仁智 +1 位作者 郑永梅 蔡淑惠 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期351-356,共6页
采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数... 采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶． 展开更多
关键词 异质结 带偏移 形变势 半导体 锗 硅 平均键能法
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锗硅HBT BiCMOS工艺中的p-i-n开关二极管设计
20
作者 刘冬华 胡君 +3 位作者 钱文生 陈帆 陈雄斌 段文婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期271-275,共5页
介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入... 介绍了一种集成在BiCMOS工艺的p-i-n开关二极管的器件。它由在STI下面的n型赝埋层作为p-i-n的n区,锗硅npn异质结双极型晶体管的重掺杂外基区作为p-i-n的p区。同时新开发了穿过场氧的深接触孔工艺用于赝埋层的直接引出,并采用p-i-n注入用于对i区进行轻掺杂。借助半导体工艺与器件仿真软件,得到了有源区尺寸、赝埋层到有源区的距离、p-i-n注入条件等关键工艺参数对p-i-n性能的影响。最后优化设计的p-i-n二极管,其在2.4 GHz频率下的指标参数,如插入损耗为-0.56 dB,隔离度为-22.26 dB,击穿电压大于15 V,它达到了WiFi电路中的开关器件的性能要求。 展开更多
关键词 P-I-N二极管 锗硅异质结双极型晶体管 双极互补金属氧化物半导体 赝埋层 工艺和器件仿真
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