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基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 1; 作者周晓敏马后成高大威《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器... 展开更多; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; 在线阅读下载PDF 职称材料

考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法被引量：4: 2; 作者任鹏涂春鸣 +3 位作者侯玉超郭祺刘海军王鑫《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期128-136,共9页; 首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一... 展开更多; 关键词模块化多电平换流器 Si绝缘栅双极晶体管 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管混合调制电压平衡控制效率优化; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路被引量：6: 3; 作者谢生谷由之 +2 位作者毛陆虹吴思聪高谦《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期57-63,共7页; 基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联... 展开更多; 关键词光接收机跨阻放大器改进型Cherry-Hooper 直流偏移消除电路锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO: 4; 作者刘建峰成立 +3 位作者杨宁周洋凌新严鸣《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期473-477,共5页; 设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰... 展开更多; 关键词锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路 LC压控振荡器宽带相位噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2: 5; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：1: 6; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能被引量：3: 1; 作者周晓敏马后成高大威; 机构北京科技大学机械工程学院清华大学汽车安全与节能国家重点实验室; 出处《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD 2017年第1期79-86,共8页; 基金国家科技支掌计划项目(2015BAG06B01) 汽车安全与节能国家重点实验室开放基金(KF14132); 文摘为实现燃料电池汽车输出电压、功率的调节与控制,采用了一种交错式双Boost电路的大功率直流-直流(DC-DC)变换器,其中应用了Si和SiC功率器件。基于电路损耗计算和效率仿真手段,对比分析了全SiC[金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件、SiC二极管]、SiC MOSFET和Si二极管的混合器件和全硅Si[绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件、Si二极管]的变换器在电路损耗。结果表明:Si IGBT的开通和关断损耗约是SiC MOSFET的3倍和10倍,在不同工况下,全SiC变换器的转换效率比全Si变换器高1%~3.1%。因而,SiC功率器件在大功率DC-DC变换器的应用中,能够提高功率密度、可靠性和动力系统工作效率。; 关键词燃料电池汽车直流-直流(DC-DC)变换器交错式双Boost电路 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电路损耗; Keywords fuel cell vehicles DC-DC converter interleaved dual Boost circuit SiC MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor） Si IGBT（insulated gate bipolar transistor） circuit loss; 分类号 TM131.3 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法被引量：4: 2; 作者任鹏涂春鸣侯玉超郭祺刘海军王鑫; 机构国家电能变换与控制工程技术研究中心(湖南大学) 国网智能电网研究院有限公司; 出处《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期128-136,共9页; 基金国家重点研发计划资助项目(2022YFB3604105)。; 文摘首先,为提高模块化多电平换流器(MMC)输出波形质量、降低装置运行损耗,提出一种基于Si和SiC器件组合应用的混合型模块化多电平变换器(HMMC)拓扑结构。该拓扑每个桥臂包含N个Si绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的半桥子模块,每相交流侧串联一个直流侧电压为半桥子模块一半的SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)全桥子模块,整体经济性较好。其次,提出一种面向输出电平数倍增的HMMC高、低频混合调制策略,并充分发挥SiC MOSFET开关损耗低的优势,在减小HMMC输出谐波的同时降低整体运行损耗。此外,分析混合调制策略下HMMC异质子模块直流侧能量的波动规律,提出一种高、低频模块直流侧电压稳定控制策略。最后,仿真和实验验证了所提HMMC拓扑结构和调制策略的可行性,并将所提HMMC、基于单一器件MMC和现有HMMC在损耗和成本方面进行综合对比,证明了该方案在降低损耗和减小成本方面优势显著。; 关键词模块化多电平换流器 Si绝缘栅双极晶体管 SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管混合调制电压平衡控制效率优化; Keywords modular multilevel converter(MMC) Si IGBT SiC MOSFET hybrid modulation voltage balance control efficiency optimization; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路被引量：6: 3; 作者谢生谷由之毛陆虹吴思聪高谦; 机构天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室天津大学电气自动化与信息工程学院; 出处《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心 2018年第1期57-63,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61474081)~~; 文摘基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,f F的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,d B,-3,d B带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/Hz^(1/2),芯片核心面积为720,μm×700,μm.; 关键词光接收机跨阻放大器改进型Cherry-Hooper 直流偏移消除电路锗硅双极-互补金属-氧化物-半导体; Keywords optical receiver transimpedance amplifier modified Cherry-Hooper DC offset cancellation circuit SiGe BiCMOS; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO: 4; 作者刘建峰成立杨宁周洋凌新严鸣; 机构江苏大学电气与信息工程学院南通职业大学电子工程系镇江市; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期473-477,共5页; 基金国家"863"计划引导项目(2006AA10Z258); 文摘设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0～3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9～2.1 GHz,2.1～2.4 GHz,2.4～3.0 GHz,3.0～3.4 GHz,3.4～4.2 GHz,4.2～5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9～5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。; 关键词锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路 LC压控振荡器宽带相位噪声; Keywords SiGe BiCMOS analog IC LC voltage controlled oscillator wide-bank phase noise; 分类号 TN752 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2: 5; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; Keywords SiC single crystal SiC diode SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) SiC insulate gate bipolar transistor(IGBT) SiC gate turn-off thyristor(GTO) SiC power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：1: 6; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块; Keywords SiC single crystal SiC diode SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) SiC insulate gate bipolar transistor(IGBT) SiC gate turn-off thyristor(GTO) SiC power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能	周晓敏马后成高大威	《汽车安全与节能学报》 CAS CSCD	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	考虑异质器件混用与输出电平倍增的混合型MMC及其调控方法	任鹏涂春鸣侯玉超郭祺刘海军王鑫	《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心	2024	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路	谢生谷由之毛陆虹吴思聪高谦	《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》 EI CSCD 北大核心	2018	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	1.9～5.7GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO	刘建峰成立杨宁周洋凌新严鸣	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC电力电子学产业化技术的创新发展	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料