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锗掺杂类金刚石薄膜特性研究
被引量：
5
1
作者
潘永强
黄国俊
杭凌侠
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期550-554,共5页
为了降低类金刚石（DIE）薄膜的应力，使用脉冲真空电弧离子镀（PVAD）和电子束热蒸发相结合的复合沉积技术，在Si基底上制备了一系列不同锗含量（原子百分比）的Ge-DIE薄膜样片，研究了锗含量对DIE薄膜光学特性和力学特性的影响。研究...
为了降低类金刚石（DIE）薄膜的应力，使用脉冲真空电弧离子镀（PVAD）和电子束热蒸发相结合的复合沉积技术，在Si基底上制备了一系列不同锗含量（原子百分比）的Ge-DIE薄膜样片，研究了锗含量对DIE薄膜光学特性和力学特性的影响。研究结果表明：在1-5肿波段，当锗掺杂含量小于25％时，对DIE薄膜光学常数的影响不大；随着Ge含量的增加，DIE薄膜的折射率和消光系数都略微增大。随着DLC薄膜中ce含量的增加，薄膜的内应力和硬度均有所降低。当DLC薄膜中Ge含量约为8％时，Ge-DLC薄膜的内应力从6．3降至3．0GPa，而硬度仅从3875减小为3640kgf/mm2，几乎保持不变。硅基底上单面沉积Ge的含量为8％的DIE薄膜在红外3-5ban波段的透过率峰值约为63．15％。
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关键词
锗掺杂类金刚石薄膜
光学常数
应力
硬度
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职称材料
题名
锗掺杂类金刚石薄膜特性研究
被引量：
5
1
作者
潘永强
黄国俊
杭凌侠
机构
西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期550-554,共5页
基金
陕西省教育厅专项科研计划项目(2010JK586)
文摘
为了降低类金刚石（DIE）薄膜的应力，使用脉冲真空电弧离子镀（PVAD）和电子束热蒸发相结合的复合沉积技术，在Si基底上制备了一系列不同锗含量（原子百分比）的Ge-DIE薄膜样片，研究了锗含量对DIE薄膜光学特性和力学特性的影响。研究结果表明：在1-5肿波段，当锗掺杂含量小于25％时，对DIE薄膜光学常数的影响不大；随着Ge含量的增加，DIE薄膜的折射率和消光系数都略微增大。随着DLC薄膜中ce含量的增加，薄膜的内应力和硬度均有所降低。当DLC薄膜中Ge含量约为8％时，Ge-DLC薄膜的内应力从6．3降至3．0GPa，而硬度仅从3875减小为3640kgf/mm2，几乎保持不变。硅基底上单面沉积Ge的含量为8％的DIE薄膜在红外3-5ban波段的透过率峰值约为63．15％。
关键词
锗掺杂类金刚石薄膜
光学常数
应力
硬度
Keywords
Ge doped DLC films, Optical constant, Stress, Hardness
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锗掺杂类金刚石薄膜特性研究
潘永强
黄国俊
杭凌侠
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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