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耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型被引量：1: 1; 作者刘莉杨银堂《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期64-68,共5页; 在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此... 展开更多; 关键词碳化硅埋沟p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管不完全离化表面耗尽; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现: 2; 作者韩成功郭清 +3 位作者韩雁张斌张世峰胡佳贤《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页; 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 展开更多; 关键词高压p沟道金属氧化物场效应晶体管半导体工艺及器件模拟工具等离子扫描驱动芯片双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟被引量：2: 3; 作者屠荆杨荣 +1 位作者罗晋生张瑞智《电子器件》 EI CAS 2005年第3期516-519,523,共5页; 通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变... 展开更多; 关键词应变锗硅 p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管亚阈值特性模型模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 4; 作者张雪锋季红兵 +5 位作者邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页; 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1: 5; 作者张雪锋季红兵 +4 位作者邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期507-509,517,共4页; 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝... 展开更多; 关键词 p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质氮化铪界面层; 在线阅读下载PDF 职称材料

TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1: 6; 作者张海鹏魏同立宋安飞《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期18-22,共5页; 从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFE... 展开更多; 关键词 SOI pMOSFET 导电机理漏电流二维解析模型薄膜积累型 p沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET特性的影响被引量：1: 7; 作者任红霞郝跃《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-24,28,共7页; 为优化槽栅器件结构 ,提高槽栅 MOSFET的性能和可靠性 ,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅 PMOSFET的特性影响进行了研究。研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性 :随着凹槽拐角的增大 ,阈值电压上升 ,电流驱动能力提高 ,... 展开更多; 关键词槽栅p沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管凹槽拐角器件特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 8; 作者张雪锋季红兵 +2 位作者邱云贞王志亮徐静平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO... 展开更多; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型被引量：1: 1; 作者刘莉杨银堂; 机构西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体材料教育部重点实验室; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期64-68,共5页; 基金科技基金(41308060202) 教育部跨世纪人才培养基金资助; 文摘在考虑到杂质的不完全离化作用时，建立了SiC埋沟PMOSFET在发生表面多子耗尽时的电流解析模型。实验结果和模拟结果的一致性说明了此模型的准确性。在300～600K温度范围表面弱电场的条件下．由于杂质不完全离化作用得到充分体现．因此器件的工作状态有不同于常规模型下的特性；当温度升高时离化率的增大使得杂质的不完全离化作用得不到体现，所以文中模型的结果向常规模型的结果靠近．且都与实验结果接近。同时为了充分利用埋沟器件体内沟道的优势．对埋沟掺杂的浓度和深度也进行了合理的设计。; 关键词碳化硅埋沟p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管不完全离化表面耗尽; Keywords silicon carbide （SIC） buried-channel pMOSFET incomplete ionization surface depletion; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现: 2; 作者韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤; 机构浙江大学微电子与光电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页; 基金浙江省科技计划资助项目(2004C31094); 文摘对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。; 关键词高压p沟道金属氧化物场效应晶体管半导体工艺及器件模拟工具等离子扫描驱动芯片双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺; Keywords HV-pMOS TCAD pDp scan driver IC BCD process; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟被引量：2: 3; 作者屠荆杨荣罗晋生张瑞智; 机构西安交通大学微电子研究所; 出处《电子器件》 EI CAS 2005年第3期516-519,523,共5页; 文摘通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比SiPMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注。; 关键词应变锗硅 p型金属-氧化物-半导体场效应晶体管亚阈值特性模型模拟; Keywords strained SiGe pMOSFET sub-threshold characteristics model simulation; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 4; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期485-488,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003) 南通大学科研启动基金项目(09R08); 文摘为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率; Keywords Ge pMOSFET high-k dielectric scattering mobility; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN301.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1: 5; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期507-509,517,共4页; 基金国家自然科学基金项目(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003) 南通大学科研启动基金(09R08); 文摘通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。; 关键词 p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质氮化铪界面层; Keywords Ge pMOSFET high-k dielectric HfN interlayer; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型被引量：1: 6; 作者张海鹏魏同立宋安飞; 机构东南大学微电子中心; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期18-22,共5页; 基金国家自然科学基金资助重点项目 (批准号 :6973 60 2 0 ) 模拟集成电路国家级重点实验室资助项目 (批准号 :2 0 0 0 JS0 9.8.1JW0 60 4); 文摘从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。; 关键词 SOI pMOSFET 导电机理漏电流二维解析模型薄膜积累型 p沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管; Keywords SOI pMOSFET current-conducting mechanism drain current 2-D analytical model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET特性的影响被引量：1: 7; 作者任红霞郝跃; 机构西安电子科技大学微电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期19-24,28,共7页; 文摘为优化槽栅器件结构 ,提高槽栅 MOSFET的性能和可靠性 ,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅 PMOSFET的特性影响进行了研究。研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性 :随着凹槽拐角的增大 ,阈值电压上升 ,电流驱动能力提高 ,而热载流子效应大大减弱 ,抗热载流子性能增强 ,热载流子可靠性获得提高 ;但凹槽拐角过大时 (例如 90°) 。; 关键词槽栅p沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管凹槽拐角器件特性; Keywords grooved gate pMOSFETs concave corner characteristics of device; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 8; 作者张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平; 机构南通大学电子信息学院华中科技大学电子科学与技术系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1149-1152,共4页; 基金国家自然科学基金(60776016) 江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003) 南通大学科研启动基金(09R08); 文摘为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。; 关键词锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率; Keywords Ge MOSFET TaON interlayer high-k dielectric scattering mobility; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型	刘莉杨银堂	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现	韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟	屠荆杨荣罗晋生张瑞智	《电子器件》 EI CAS	2005	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进	张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型	张海鹏魏同立宋安飞	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET特性的影响	任红霞郝跃	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究	张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料