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应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸
被引量：
3
1
作者
金根娣
胡效亚
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期1042-1046,共5页
应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质。DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV。此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV...
应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质。DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV。此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV)。据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA。测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10^(-7)～1.33×10^(-2),2.60×10^(-6)～1.20×10^(-3)mol·L^(-1),方法的检出限依次为1.50×10^(-7),6.70×10^(-7)mol·L^(-1)。应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%～99.3%之间。
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关键词
示差脉冲伏安法
锑膜修饰玻碳电极
多巴胺
抗坏血酸
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职称材料
题名
应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸
被引量：
3
1
作者
金根娣
胡效亚
机构
扬州大学化学化工学院
出处
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期1042-1046,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No:20375034
20675071)
文摘
应用电化学还原法自制的锑膜修饰玻碳电极(GCE)研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学性质。DA和AA在此修饰电极上的氧化电位依次为0.676 V和0.360 V,两者相差316 mV。此电位差值远大于两者在裸GCE电极上的差值(136 mV)。据此,可用锑膜修饰的GCE,用示差脉冲伏安法同时测定DA和AA。测定DA和AA的线性范围分别为6.80×10^(-7)～1.33×10^(-2),2.60×10^(-6)～1.20×10^(-3)mol·L^(-1),方法的检出限依次为1.50×10^(-7),6.70×10^(-7)mol·L^(-1)。应用所提出的方法分析了DA的针剂和AA的片剂样品,所得结果与标示值相符,并测得方法的回收率在97.9%～99.3%之间。
关键词
示差脉冲伏安法
锑膜修饰玻碳电极
多巴胺
抗坏血酸
Keywords
Differential pulse voltammetry
Sb-film modified GCE
Dopamine
Ascorbic acid
分类号
O657.1 [理学—分析化学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
应用锑膜修饰电极示差脉冲伏安法同时测定多巴胺和抗坏血酸
金根娣
胡效亚
《理化检验（化学分册）》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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