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CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
被引量：
1
1
作者
赵智昊
陈俊芳
+2 位作者
黄钊洪
吴先球
熊予莹
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2003年第4期8-10,共3页
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。
关键词
等离子体
干法刻蚀
锑化铟-铟薄膜
CCl2F2
InSb
-
In
薄膜
磁传感器
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职称材料
题名
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
被引量：
1
1
作者
赵智昊
陈俊芳
黄钊洪
吴先球
熊予莹
机构
华南师范大学物理系
华南师范大学量子电子学研究所
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2003年第4期8-10,共3页
基金
广东省自然科学基金项目(000675)
广东省重点攻关项目(ZKM01401G)
+1 种基金
广东省高教厅基金项目(0123)
广东省高新技术产业发展资金(成果孵化)项目(98FF01)
文摘
用朗缪尔探针诊断了反应室内的等离子体密度,研究了CCl2F2等离子体对InSb In薄膜的刻蚀,结果表明该实验装置能够产生高密度等离子体,在刻蚀样品表面等离子体密度达到6.7170×1010cm-3,CCl2F2等离子体能有效地对InSb In薄膜进行刻蚀。
关键词
等离子体
干法刻蚀
锑化铟-铟薄膜
CCl2F2
InSb
-
In
薄膜
磁传感器
Keywords
plasma
dry etching
sample
InSb
-
In thin film
分类号
TP212.13 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
赵智昊
陈俊芳
黄钊洪
吴先球
熊予莹
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2003
1
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