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采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究
被引量：
4
1
作者
巫艳
于梅芳
+3 位作者
陈路
乔怡敏
杨建荣
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期23-27,共5页
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬...
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。
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关键词
分子束外延
Hg1-xCdxTe薄膜
位错密度
MBE
汞
镉
碲
薄膜
ZnCdTe
锌镉碲化合物
红外焦平面探测器
生长条件
在线阅读
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职称材料
题名
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究
被引量：
4
1
作者
巫艳
于梅芳
陈路
乔怡敏
杨建荣
何力
机构
中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第1期23-27,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 6 942 5 0 0 2 )
国家 86 3(批准号 86 3 30 7 16 10 )资助项目~~
文摘
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。
关键词
分子束外延
Hg1-xCdxTe薄膜
位错密度
MBE
汞
镉
碲
薄膜
ZnCdTe
锌镉碲化合物
红外焦平面探测器
生长条件
Keywords
MBE
Hg1-xCdxTe
dislocation density
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
O484.5 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究
巫艳
于梅芳
陈路
乔怡敏
杨建荣
何力
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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职称材料
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