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题名铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究
被引量：6
- 1
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作者
侯识华
宋世庚
马远新
郑毓峰
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机构
中国科学院新疆物理研究所
新疆医科大学基础部
新疆大学物理系
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出处
《材料科学与工程》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期43-47,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目 ( 1970 2 0 16)
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文摘
采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。
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关键词
SOL-GEL法
PLZT
铁电薄膜
铅过量
电学性质
锆钛酸铅镧薄膜
介电性能
铁电性能
制备
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Keywords
sol-gel method
PLZT
ferroelectric thin films
quantity of excess Pb
electrical properties
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分类号
TM221
[一般工业技术—材料科学与工程]
O484
[理学—固体物理]
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题名Pb过量和种子层对PLZT薄膜的影响
被引量：1
- 2
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作者
刘立
何剑
张鹏
王二伟
胡磊
丑修建
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机构
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室
中北大学电子测试技术重点实验室
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出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期121-125,共5页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51422510
51175483
61401460)
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文摘
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备不同Pb过量(未过量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)锆钛酸铅(PZT)缓冲层的锆钛酸铅镧(PLZT)反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过量10%的Pb组分有助于形成钙钛矿结构,获得较大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT缓冲层的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成较致密、结晶状况良好的薄膜。
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关键词
溶胶-凝胶(Sol-Gel)法
钙钛矿结构
锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜
缓冲层.
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Keywords
Sol-Gel method
perovskite structure
PLZT films
buffer layer
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分类号
TN384
[电子电信—物理电子学]
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究
被引量：7
- 3
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作者
闻伟
杨传仁
张继华
陈宏伟
梁鸿秋
张瑞婷
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2008年第6期745-746,750,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60607004)
电子科技大学青年基金资助项目(JX05015)
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文摘
介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。
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关键词
铟锡氧化物(ITO)薄膜
锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜
湿法刻蚀
图形化
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Keywords
ITO thin film
PLZT thin film
wet-etch
pattern
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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