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铸造单晶硅性能和应用分析
被引量：
1
1
作者
明亮
黄美玲
+3 位作者
段金刚
王锋
黄少文
周浪
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期335-340,共6页
以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在...
以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在较大的应力,致使硅原子排列出现错排,从而导致位错、亚晶粒和多晶晶粒的产生,其中多晶晶粒的晶向主要有(331)等;在硅锭的中上部易产生位错,并随着晶体生长大量增殖。铸造单晶硅中的间隙态元素Fe和O的分布规律和铸造多晶硅相似;硬质点的主要成分是氮化硅和碳化硅。缺陷密度较低的铸造单晶片制作成钝化发射极背面接触(PERC)太阳电池,其光电转换效率达21.7%,较直拉单晶硅PERC太阳电池低0.4%。
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关键词
晶体生长
位错
电池效率
铸造单晶硅
性能
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职称材料
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
2
作者
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品...
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
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关键词
光伏
铸造单晶硅
光致衰减
热辅助光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
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职称材料
题名
铸造单晶硅性能和应用分析
被引量：
1
1
作者
明亮
黄美玲
段金刚
王锋
黄少文
周浪
机构
南昌大学光伏研究院
湖南红太阳光电科技有限公司
山西中电科新能源技术有限公司
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期335-340,共6页
基金
水电硅材料产业发展关键技术研究及应用(20192E007)。
文摘
以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在较大的应力,致使硅原子排列出现错排,从而导致位错、亚晶粒和多晶晶粒的产生,其中多晶晶粒的晶向主要有(331)等;在硅锭的中上部易产生位错,并随着晶体生长大量增殖。铸造单晶硅中的间隙态元素Fe和O的分布规律和铸造多晶硅相似;硬质点的主要成分是氮化硅和碳化硅。缺陷密度较低的铸造单晶片制作成钝化发射极背面接触(PERC)太阳电池,其光电转换效率达21.7%,较直拉单晶硅PERC太阳电池低0.4%。
关键词
晶体生长
位错
电池效率
铸造单晶硅
性能
Keywords
grain growth
dislocation
cell efficiency
casting monocrystalline silicon
performance
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
2
作者
程尚之
周春兰
王文静
机构
中国科学院电工研究所太阳能光伏与热利用重点实验室
中国科学院大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61874120)。
文摘
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
关键词
光伏
铸造单晶硅
光致衰减
热辅助光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
Keywords
photovoltaic
cast mono silicon
LID
LeTID
carrier lifetime
defects
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铸造单晶硅性能和应用分析
明亮
黄美玲
段金刚
王锋
黄少文
周浪
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
在线阅读
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职称材料
2
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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职称材料
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