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双层有源氧化物IGZTO TFT的光照特性研究
1
作者
杨金玲
《光电子技术》
CAS
2022年第3期218-221,共4页
研究了一种双层有源层的氧化物IGZTO TFT器件在光照下的特性,对比单层有源层的氧化物TFT,这种双层有源层的氧化物上层比较稳定,光照下产生的光生空穴与自由电子复合的数量大大减少,起导电作用的空穴载流子较多,故表现出了较大幅度的电...
研究了一种双层有源层的氧化物IGZTO TFT器件在光照下的特性,对比单层有源层的氧化物TFT,这种双层有源层的氧化物上层比较稳定,光照下产生的光生空穴与自由电子复合的数量大大减少,起导电作用的空穴载流子较多,故表现出了较大幅度的电流提升。进一步的研究展示了这种双层有源氧化物TFT在不同光照条件下的特性曲线,可为光敏器件提供不同的应用场景。
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关键词
双层有源层
铟镓锌锡氧化物
薄膜晶体管
光照特性
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职称材料
题名
双层有源氧化物IGZTO TFT的光照特性研究
1
作者
杨金玲
机构
南京京东方显示技术有限公司
出处
《光电子技术》
CAS
2022年第3期218-221,共4页
文摘
研究了一种双层有源层的氧化物IGZTO TFT器件在光照下的特性,对比单层有源层的氧化物TFT,这种双层有源层的氧化物上层比较稳定,光照下产生的光生空穴与自由电子复合的数量大大减少,起导电作用的空穴载流子较多,故表现出了较大幅度的电流提升。进一步的研究展示了这种双层有源氧化物TFT在不同光照条件下的特性曲线,可为光敏器件提供不同的应用场景。
关键词
双层有源层
铟镓锌锡氧化物
薄膜晶体管
光照特性
Keywords
bilayer
IGZTO
thin film transistor
illumination property
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
双层有源氧化物IGZTO TFT的光照特性研究
杨金玲
《光电子技术》
CAS
2022
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