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氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响
1
作者
孙建明
周婷婷
+6 位作者
任庆荣
胡合合
陈宁
宁策
王路
刘文渠
李东升
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期558-562,共5页
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压...
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5V增加到2.2V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30V偏压3 600s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1V增加到9V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。
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关键词
铟镓锌氧薄膜晶体管
氧
分压
阈值电压漂移
电子积累层
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职称材料
Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究
被引量：
6
2
作者
郭永林
梁续旭
+4 位作者
胡守成
穆晓龄
曲加伟
王红波
赵毅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期947-952,共6页
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了1...
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。
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关键词
铟镓锌氧薄膜晶体管
三
氧
化二铝
氮化硅
最大缺陷态密度
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职称材料
题名
氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响
1
作者
孙建明
周婷婷
任庆荣
胡合合
陈宁
宁策
王路
刘文渠
李东升
机构
京东方科技集团股份有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期558-562,共5页
文摘
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5V增加到2.2V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30V偏压3 600s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1V增加到9V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。
关键词
铟镓锌氧薄膜晶体管
氧
分压
阈值电压漂移
电子积累层
Keywords
indium gallium zinc oxide thin film transistor
oxygen partial pressure
shift of threshold voltage
electron accumulation layer
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究
被引量：
6
2
作者
郭永林
梁续旭
胡守成
穆晓龄
曲加伟
王红波
赵毅
机构
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期947-952,共6页
基金
国家自然科学基金(61275033)资助项目
文摘
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。
关键词
铟镓锌氧薄膜晶体管
三
氧
化二铝
氮化硅
最大缺陷态密度
Keywords
IGZO thin film transistors
Al2O3
SiNx
the maximum density of surface states
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧分压对铟镓锌氧薄膜晶体管性能影响
孙建明
周婷婷
任庆荣
胡合合
陈宁
宁策
王路
刘文渠
李东升
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究
郭永林
梁续旭
胡守成
穆晓龄
曲加伟
王红波
赵毅
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
6
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职称材料
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引证文献
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