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硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究被引量：1: 1; 作者孟令琴费元春《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期78-81,共4页; 本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的... 展开更多; 关键词硅锗技术无线射频半导体技术异质结双极晶体管砷化镓场效应管; 在线阅读下载PDF 职称材料

24GHz低相位噪声单片集成VCO 被引量：3: 2; 作者谭超《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期506-509,共4页; 介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出。由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通... 展开更多; 关键词异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 推-推相位噪声砷化镓单片集成电路(MMIC); 在线阅读下载PDF 职称材料

一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现被引量：4: 3; 作者武岳吕红亮 +1 位作者张玉明张义门《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期30-34,共5页; 为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿... 展开更多; 关键词 K波段相位噪声改进的n形反馈网络砷化镓异质结双极晶体管压控振荡器; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用被引量：1: 4; 作者刘磊南敬昌《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期31-33,44,共4页; 采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用。在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在PCB上实现。在单独供电3.3 V的情况下,功率放大器的... 展开更多; 关键词砷化镓异质结双极晶体管无线局域网功率放大器匹配网络; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究: 5; 作者徐坤张金灿 +2 位作者王金婵刘敏李娜《雷达科学与技术》北大核心 2022年第2期165-172,共8页; 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 展开更多; 关键词砷化镓异质结双极晶体管器件径向基函数神经网络反向传播神经网络器件模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究被引量：1: 1; 作者孟令琴费元春; 机构总参第北京理工大学电子工程系微波电路实验室; 出处《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期78-81,共4页; 文摘本文概述了硅锗 (SiGe)技术发展趋势及优势 ,阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGeBiCMOS)技术 ,硅锗异质结双极晶体管 (SiGeHBT)器件在无线通信领域优良的性能 ,低廉的成本 ,可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力。硅互补型金属氧化物半导体 (SiCMOS)工艺因其低廉的成本 ,较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础 ,而硅锗互补型金属氧化物半导体 /硅锗双极互补型金属氧化物半导体 (SiGeCMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体 (CMOS)工艺的优点 ,又有良好的高频性能 ,特别是SiGeHBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段 ,而其成本和噪声性能是砷化镓 (GaAs)材料无法比拟的。随着对SiGeHBT ,硅锗场效应晶体管 (SiGeFET)的研究 ,SiGe器件的高频性能 ,低噪声性能 ,功率和线性性能将得到展现 ,为进一步降低收发信机的成本 ,提高其集成度打下了基础。; 关键词硅锗技术无线射频半导体技术异质结双极晶体管砷化镓场效应管; Keywords semiconductor technique, GaAs field effect transistor, heterojunction bipolar transistor; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名24GHz低相位噪声单片集成VCO 被引量：3: 2; 作者谭超; 机构中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期506-509,共4页; 文摘介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出。由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通过低频VCO芯片和倍频器级联技术实现的24 GHz VCO具有更低的相位噪声,测试结果表明芯片在不同温度、振动以及其他条件下表现出良好的相位噪声,在0～13 V的电调电压条件下输出频率为23～25.5 GHz,输出功率在5 V直流工作电压条件下为9 dBm,相位噪声低至-92 dBc/Hz@100 kHz。同时1/2次谐波输出及八分频器电路提供的1/16次谐波输出性能良好。; 关键词异质结双极晶体管(HBT) 压控振荡器(VCO) 推-推相位噪声砷化镓单片集成电路(MMIC); Keywords heterojunction bipolar transistor （HBT） voltage controlled oscillator （VC0） push-push phase noise GaAs monolithic integrated circuit （MMIC）; 分类号 TN752 [电子电信—电路与系统] TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现被引量：4: 3; 作者武岳吕红亮张玉明张义门; 机构西安电子科技大学微电子学院; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期30-34,共5页; 基金共性基础基金资助项目(9140A***501) 国家部委基金资助项目(3151***301) 国家部委科技创新基金资助项目(48**4); 文摘为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声.; 关键词 K波段相位噪声改进的n形反馈网络砷化镓异质结双极晶体管压控振荡器; Keywords K-band phase noise modified π-fccdback network gallium arsenide （GaAs） hctcro-junction bipolar transistor （HBT） voltage controlled oscillator（ VCO ）; 分类号 TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用被引量：1: 4; 作者刘磊南敬昌; 机构辽宁工程技术大学电子与信息工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期31-33,44,共4页; 文摘采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用。在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在PCB上实现。在单独供电3.3 V的情况下,功率放大器的仿真结果是线性输出功率24 dB(1 dB压缩点),小信号增益35 dB,1 dB压缩点处功率附加效率(PAE)39%;GaAsHBT MMIC功率放大器测试呈现线性输出功率20.5 dB(1 dB压缩点),小信号增益27 dB,1 dB压缩点处功率附加效率(PAE)36%;芯片尺寸仅480μm×450μm。; 关键词砷化镓异质结双极晶体管无线局域网功率放大器匹配网络; Keywords GaAs HBT wireless LAN power amplifier match net; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究: 5; 作者徐坤张金灿王金婵刘敏李娜; 机构河南科技大学电气工程学院; 出处《雷达科学与技术》北大核心 2022年第2期165-172,共8页; 基金国家自然科学基金(No.61804046) 河南省科技攻关项目(No.202102210322) 河南省高等学校重点科研项目(No.21A510002,20B510006)。; 文摘建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。; 关键词砷化镓异质结双极晶体管器件径向基函数神经网络反向传播神经网络器件模型; Keywords GaAs heterojunction bipolar transistor radial basis function neural network back-propagation neural network device model; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	硅锗技术及其在无线射频领域的应用研究	孟令琴费元春	《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	24GHz低相位噪声单片集成VCO	谭超	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现	武岳吕红亮张玉明张义门	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用	刘磊南敬昌	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究	徐坤张金灿王金婵刘敏李娜	《雷达科学与技术》北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料