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三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
被引量：
3
1
作者
朱帅宇
谢生
陈宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期75-81,共7页
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台...
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.
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关键词
铟镓
砷
三级台面
雪崩
光电
二极管
暗电流
边缘电场
贯穿电压
击穿电压
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职称材料
近红外单光子读取电路
被引量：
5
2
作者
黄振
蒋远大
+3 位作者
孙志斌
郑福
王超
翟光杰
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第2期464-468,共5页
近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制...
近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制模块以及雪崩信号提取电路。主要采用延迟鉴别、边沿锁存的方法提取雪崩光电二极管雪崩信号。在整个实验过程中,雪崩光电二极管工作温度为-55℃,脉冲宽度10ns,门控频率1MHz和10MHz,激光器激光波长1550nm,单光子探测器是PGA-400InGaAs雪崩光电二极管。
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关键词
近红外
读取电路
铟镓砷雪崩光电二极管
盖革模式
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职称材料
题名
三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
被引量：
3
1
作者
朱帅宇
谢生
陈宇
机构
天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室
中国科学院半导体研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期75-81,共7页
基金
国家自然科学基金(No.11673019)
广西精密导航技术与应用重点实验室基金项目(No.DH201710)资助~~
文摘
设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.
关键词
铟镓
砷
三级台面
雪崩
光电
二极管
暗电流
边缘电场
贯穿电压
击穿电压
Keywords
InGaAs
Triple-mesa
Avalanche photodiode
Dark current
Edge electric field
Punch through voltage
Breakdown voltage
分类号
TN364 [电子电信—物理电子学]
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
近红外单光子读取电路
被引量：
5
2
作者
黄振
蒋远大
孙志斌
郑福
王超
翟光杰
机构
中国科学院大学
中国科学院国家空间科学中心
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014年第2期464-468,共5页
基金
国家自然科学基金(61274024)
国家自然科学青年科学基金(40804032)
文摘
近红外单光子读取电路读取盖革模式下的雪崩光电二极管雪崩信号。采用两个ps级的可编程ECL延时芯片,获得可调的门控脉冲,控制雪崩光电二极管(APD)死时间和淬灭雪崩信号,同时减少后脉冲的影响。详细介绍了门控脉冲产生模块、死时间控制模块以及雪崩信号提取电路。主要采用延迟鉴别、边沿锁存的方法提取雪崩光电二极管雪崩信号。在整个实验过程中,雪崩光电二极管工作温度为-55℃,脉冲宽度10ns,门控频率1MHz和10MHz,激光器激光波长1550nm,单光子探测器是PGA-400InGaAs雪崩光电二极管。
关键词
近红外
读取电路
铟镓砷雪崩光电二极管
盖革模式
Keywords
near infrared
readout circuit
InGaAs-APD
Geiger-mode
分类号
O439 [机械工程—光学工程]
TP11 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
朱帅宇
谢生
陈宇
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
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职称材料
2
近红外单光子读取电路
黄振
蒋远大
孙志斌
郑福
王超
翟光杰
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2014
5
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职称材料
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