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生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响被引量：3: 1; 作者缪国庆金亿鑫 +4 位作者蒋红周天明李树玮元光宋航《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期465-468,共4页; 利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必... 展开更多; 关键词 IN0.53GA0.47AS/INP LPMOCVD 铟镓砷化合物生长温度低压金属有机化学气相沉积半导体材料磷化铟衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移: 2; 作者郑金成郑永梅王仁智《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期47-51,共5页; 采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了Ｉｎｘ... 展开更多; 关键词异质结价带偏移半导体铟镓砷化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质: 3; 作者李开航黄美纯《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期209-215,共7页; 用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以... 展开更多; 关键词光学性质应变超晶格砷化镓铟镓砷化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用: 4; 作者柯三黄王仁智黄美纯《厦门大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 1996年第2期204-209,共6页; 把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏... 展开更多; 关键词铟镓砷化合物原子集团展开砷化镓平均键能; 在线阅读下载PDF 职称材料

无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：1: 5; 作者张晓丹赵杰 +1 位作者王永晨金鹏《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页; 采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快... 展开更多; 关键词无杂质空位诱导无序光荧光谱光调制反射谱铟镓砷磷化合物磷化铟多量子阱结构单片集成光电器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响被引量：3: 1; 作者缪国庆金亿鑫蒋红周天明李树玮元光宋航; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期465-468,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 (5 0 13 2 0 2 ); 文摘利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xAs材料 ,获得表面平整、光亮的In0 53 Ga0 47As外延层。研究了生长温度对InxGa1-xAs外延层组分、表面形貌、结晶质量、电学性质的影响。随着生长温度的升高 ,为了保证铟在固相中组分不变 ,必须增加三甲基铟在气相中的比例。在生长温度较高时 ,外延层表面粗糙。生长温度在 6 30℃与 6 5 0℃之间 ,X射线双晶衍射曲线半高宽最窄 ,高于或低于这个温度区间 ,半高宽变宽。迁移率随着生长温度的升高而增加 ,在 6 30℃为最大值 ,然后随着生长温度的升高反而降低。生长温度降低使载流子浓度增大 ,在生长温度大于 6; 关键词 IN0.53GA0.47AS/INP LPMOCVD 铟镓砷化合物生长温度低压金属有机化学气相沉积半导体材料磷化铟衬底; Keywords InGaAs growth temperature LPMOCVD; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移: 2; 作者郑金成郑永梅王仁智; 机构厦门大学物理学系; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期47-51,共5页; 基金国家和福建省自然科学基金厦门光电子公司工业部资助; 文摘采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．; 关键词异质结价带偏移半导体铟镓砷化合物; Keywords Heterojunction, Valence band offset, Average bond energy theory; 分类号 O471.5 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质: 3; 作者李开航黄美纯; 机构厦门大学物理学系; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期209-215,共7页; 基金国家自然科学基金厦门大学育苗基金; 文摘用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系，以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上，计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部，并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明，应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．; 关键词光学性质应变超晶格砷化镓铟镓砷化合物; Keywords Optical properties Strained superlattices Tight binding method; 分类号 O471.4 [理学—半导体物理] TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用: 4; 作者柯三黄王仁智黄美纯; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 1996年第2期204-209,共6页; 基金国家自然科学基金福建省自然科学基金; 文摘把原子集团展开方法同平均键能方法相结合，建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法．应用此方法对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ系统分别计算了以ＧａＡｓ和以ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移（△Ｅｖ）随合金组份的变化规律．结果表明，由于应变的引入，该系统的面△Ｅｖ～Ｘ表现出大的非线性，且这一关系受到应变状态的显著影响．通过改变应变状态可使其为Ⅰ型或Ⅱ型超晶格以及金属．部分结果与有关的实验值和理论结果相符合．; 关键词铟镓砷化合物原子集团展开砷化镓平均键能; Keywords valence-band offset Strained-layer superiattices Alloy; 分类号 O471.4 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究被引量：1: 5; 作者张晓丹赵杰王永晨金鹏; 机构天津师范大学物理与电子信息学院南开大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期119-123,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1); 文摘采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此。; 关键词无杂质空位诱导无序光荧光谱光调制反射谱铟镓砷磷化合物磷化铟多量子阱结构单片集成光电器件; Keywords impurity free vacancy disordering photoluminescence photoreflectance; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理] TN36 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响	缪国庆金亿鑫蒋红周天明李树玮元光宋航	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移	郑金成郑永梅王仁智	《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1997	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	应变超晶格(In_xGa_(1-x)As)_n/(GaAs)_n(001)的电子结构和光学性质	李开航黄美纯	《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1999	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	原子集团展开和平均键能方法在In_xGa_（1－x）As／GaAs系统中的应用	柯三黄王仁智黄美纯	《厦门大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究	张晓丹赵杰王永晨金鹏	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料