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MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性
被引量：
1
1
作者
林秀华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期324-329,共6页
评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,Ga...
评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火 。
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关键词
氮化
镓薄膜
InGaN/A1GaN双异质结构
MOCVD技术
掺杂
薄膜生长
发光二极管
生长动力学
金属有机物化学沉积
铟镓氮化合物
铝镓
氮化合物
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职称材料
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
2
作者
王立
李述体
+3 位作者
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期213-217,共5页
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情...
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情况下 ,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为 76 0℃时 ,以 70ml/min的N2 作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为 0 10 ,生长速率为 6 0nm/min ;而以 70ml/min的H2 作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为 0 0 6 ,生长速率为10 6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量H2 能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。
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关键词
MOCVD
卢瑟福背散射/沟道技术
光致发光
LnGaN薄膜
铟镓氮化合物
有机源载气
薄膜生长
GAN
氮化
镓半导体
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职称材料
题名
MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性
被引量：
1
1
作者
林秀华
机构
厦门大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第4期324-329,共6页
基金
福建省自然科学基金!(No .E0 0 0 10 0 1)
中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助课题
文摘
评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火 。
关键词
氮化
镓薄膜
InGaN/A1GaN双异质结构
MOCVD技术
掺杂
薄膜生长
发光二极管
生长动力学
金属有机物化学沉积
铟镓氮化合物
铝镓
氮化合物
Keywords
InGaN/AlGaN
processing condition
LED
growth dynam8
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
2
作者
王立
李述体
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
机构
南昌大学材料科学研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期213-217,共5页
基金
国家"8 6 3"新材料领域 ( 715 -0 0 1-0 0 12 )
国家自然科学基金 ( 6 96 76 0 19)
江西省跨世纪人才
文摘
采用MOCVD技术以Al2 O3 为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜。以卢瑟福背散射 /沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2 O3 样品进行了测试。获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息。研究表明 :在以N2 作主载气的情况下 ,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大。生长温度为 76 0℃时 ,以 70ml/min的N2 作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为 0 10 ,生长速率为 6 0nm/min ;而以 70ml/min的H2 作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为 0 0 6 ,生长速率为10 6nm/min。本文首次报导了载气中含有少量H2 能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象。
关键词
MOCVD
卢瑟福背散射/沟道技术
光致发光
LnGaN薄膜
铟镓氮化合物
有机源载气
薄膜生长
GAN
氮化
镓半导体
Keywords
MOCVD
InGaN
Rutherford backscattering and ion channeling
photoluminescence
分类号
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性
林秀华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
王立
李述体
彭学新
熊传兵
李鹏
江凤益
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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