期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
被引量：
5
1
作者
刘媛媛
赵继凤
+3 位作者
李延辉
宋淑梅
辛艳青
杨田林
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期391-396,共6页
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效...
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。
展开更多
关键词
溅射气压
铟锡锌氧化物薄膜
晶体管
磁控溅射
光学带隙
在线阅读
下载PDF
职称材料
射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响
被引量：
1
2
作者
童杨
王昆仑
+3 位作者
刘媛媛
李延辉
宋淑梅
杨田林
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期2338-2342,2349,共6页
在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载...
在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 cm2·V-1·s-1。随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 e V逐渐增加到3.76 e V。研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率。随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律。当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1·s-1。
展开更多
关键词
铟锡锌氧化物薄膜
光学带隙
光电特性
射频功率
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
被引量：
5
1
作者
刘媛媛
赵继凤
李延辉
宋淑梅
辛艳青
杨田林
机构
山东大学空间科学与物理学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期391-396,共6页
基金
山东大学(威海)研究生科研创新基金项目(yjs13029)
山东省科技攻关课题(2014GGX102022)
文摘
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。
关键词
溅射气压
铟锡锌氧化物薄膜
晶体管
磁控溅射
光学带隙
Keywords
Sputtering pressures
ITZO TFT
Magnetron sputtering
Optical band gap
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响
被引量：
1
2
作者
童杨
王昆仑
刘媛媛
李延辉
宋淑梅
杨田林
机构
山东大学(威海)空间科学与物理学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第9期2338-2342,2349,共6页
基金
山东省科技发展计划(2014GGX102022)
山东大学研究生科技创新基金(yjs12026)
文摘
在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 cm2·V-1·s-1。随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 e V逐渐增加到3.76 e V。研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率。随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律。当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1·s-1。
关键词
铟锡锌氧化物薄膜
光学带隙
光电特性
射频功率
Keywords
ITZO thin film
optical band gap
photoelectric property
RF power
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
刘媛媛
赵继凤
李延辉
宋淑梅
辛艳青
杨田林
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响
童杨
王昆仑
刘媛媛
李延辉
宋淑梅
杨田林
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
