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铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用被引量：24: 1; 作者刘世友《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期98-100,80,共4页; 介绍了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜的特征，主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子、太阳能等领域的应用。; 关键词铟锡氧化物薄膜特性生产工艺应用展望 ITO; 在线阅读下载PDF 职称材料

溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：5: 2; 作者刘媛媛赵继凤 +3 位作者李延辉宋淑梅辛艳青杨田林《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期391-396,共6页; 利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效... 展开更多; 关键词溅射气压铟锡锌氧化物薄膜晶体管磁控溅射光学带隙; 在线阅读下载PDF 职称材料

ITO薄膜的生产技术概况及发展趋势探讨被引量：13: 3; 作者周宏明易丹青杨小玲《表面技术》 EI CAS CSCD 2006年第1期1-4,共4页; 综述了铟锡氧化物(ITO)薄膜的生产技术概况及其发展趋势。介绍了ITO薄膜的主要制备技术的制备原理,包括磁控溅射法、溶胶-凝胶法、化学气相沉淀法、喷雾热分解法及真空蒸发法等5种制膜工艺,并对其优缺点进行了分析。指出ITO薄膜生产技... 展开更多; 关键词铟锡氧化物薄膜制膜工艺溶胶-凝胶法发展趋势; 在线阅读下载PDF 职称材料

辅助离子束功率密度对透明塑料上室温磁控溅射沉积ITO薄膜结构和形貌的影响被引量：2: 4; 作者望咏林颜悦 +2 位作者温培刚伍建华张官理《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期1-4,共4页; 基于双极脉冲磁控溅射复合离子束辅助沉积的新工艺,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常温制备了透明导电的铟锡氧化物(ITO)薄膜。重点研究了不同辅助离子束功率密度对ITO薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:当离子束功率密度从52mW/cm2... 展开更多; 关键词铟锡氧化物薄膜室温制备离子束辅助磁控溅射结构与形貌透明塑料衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究被引量：7: 5; 作者闻伟杨传仁 +3 位作者张继华陈宏伟梁鸿秋张瑞婷《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第6期745-746,750,共3页; 介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图... 展开更多; 关键词铟锡氧化物(ITO)薄膜锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜湿法刻蚀图形化; 在线阅读下载PDF 职称材料

射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响被引量：1: 6; 作者童杨王昆仑 +3 位作者刘媛媛李延辉宋淑梅杨田林《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2338-2342,2349,共6页; 在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载... 展开更多; 关键词铟锡锌氧化物薄膜光学带隙光电特性射频功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究被引量：4: 7; 作者姚吉升唐三川等《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期47-50,共4页; 本文报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改善ITO膜质有较好的参考价值。; 关键词 ITO靶材 ITO膜结瘤黑化物磁控溅射铟锡氧化物薄膜镀膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

PEN为衬底的柔性有机电致发光器件的光电性能被引量：2: 8; 作者李杰蒋亚东 +1 位作者于欣格于军胜《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期240-242,246,共4页; 采用直流磁控溅射技术,在聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底上制备了氧化物铟锡(ITO)导电薄膜,研究了衬底温度和薄膜厚度工艺参数对柔性衬底上导电薄膜光学性能与电学性能的影响。在优化工艺的条件下,所制备的PEN导电基板的方阻低至35... 展开更多; 关键词有机电致发光器件聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底氧化物铟锡(ITO)薄膜磁控溅射; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用被引量：24: 1; 作者刘世友; 机构北京有色金属研究总院; 出处《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期98-100,80,共4页; 文摘介绍了铟锡氧化物（ＩＴＯ）薄膜的特征，主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子、太阳能等领域的应用。; 关键词铟锡氧化物薄膜特性生产工艺应用展望 ITO; Keywords ITO film properties process technologies application outlook; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：5: 2; 作者刘媛媛赵继凤李延辉宋淑梅辛艳青杨田林; 机构山东大学空间科学与物理学院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期391-396,共6页; 基金山东大学(威海)研究生科研创新基金项目(yjs13029) 山东省科技攻关课题(2014GGX102022); 文摘利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。; 关键词溅射气压铟锡锌氧化物薄膜晶体管磁控溅射光学带隙; Keywords Sputtering pressures ITZO TFT Magnetron sputtering Optical band gap; 分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO薄膜的生产技术概况及发展趋势探讨被引量：13: 3; 作者周宏明易丹青杨小玲; 机构中南大学材料科学与工程学院厦门大学化学化工学院化学工程与生物工程系; 出处《表面技术》 EI CAS CSCD 2006年第1期1-4,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(20306031); 文摘综述了铟锡氧化物(ITO)薄膜的生产技术概况及其发展趋势。介绍了ITO薄膜的主要制备技术的制备原理,包括磁控溅射法、溶胶-凝胶法、化学气相沉淀法、喷雾热分解法及真空蒸发法等5种制膜工艺,并对其优缺点进行了分析。指出ITO薄膜生产技术的发展趋势为:1)大力开发溶胶-凝胶工艺;2)进一步深入研究其合成机理与性能;3)拓宽应用领域;4)开发先进的薄膜制备工艺技术。; 关键词铟锡氧化物薄膜制膜工艺溶胶-凝胶法发展趋势; Keywords ITO films Film-making process Sol-gel process Development tendency; 分类号 TB304.2 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名辅助离子束功率密度对透明塑料上室温磁控溅射沉积ITO薄膜结构和形貌的影响被引量：2: 4; 作者望咏林颜悦温培刚伍建华张官理; 机构北京航空材料研究院; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期1-4,共4页; 文摘基于双极脉冲磁控溅射复合离子束辅助沉积的新工艺,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常温制备了透明导电的铟锡氧化物(ITO)薄膜。重点研究了不同辅助离子束功率密度对ITO薄膜晶体结构和表面形貌的影响。结果表明:当离子束功率密度从52mW/cm2逐渐增加到436mW/cm2时,薄膜逐渐从非晶态转变为微晶态、直至长大为多晶态,晶体呈现(222)择优取向;薄膜在非晶态时表面相对平坦,随着晶粒的长大,表面均方根粗糙度Rq增加,并在离子束功率密度为436mW/cm2时最大。离子束功率密度进一步增大到680mW/cm2时,薄膜的晶体衍射峰强度变弱、峰的半高宽变大,表明晶粒尺寸变小;薄膜表面均方根粗糙度下降。离子束功率密度为252mW/cm2,ITO薄膜具有最佳综合光电性能.; 关键词铟锡氧化物薄膜室温制备离子束辅助磁控溅射结构与形貌透明塑料衬底; Keywords ITO coating（Indium tin oxide） Room temperature fabrication Ion beam assisted magnetron sputtering Structure and morphology Transparent plastic substrate; 分类号 TB381 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究被引量：7: 5; 作者闻伟杨传仁张继华陈宏伟梁鸿秋张瑞婷; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第6期745-746,750,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60607004) 电子科技大学青年基金资助项目(JX05015); 文摘介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。; 关键词铟锡氧化物(ITO)薄膜锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜湿法刻蚀图形化; Keywords ITO thin film PLZT thin film wet-etch pattern; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响被引量：1: 6; 作者童杨王昆仑刘媛媛李延辉宋淑梅杨田林; 机构山东大学(威海)空间科学与物理学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第9期2338-2342,2349,共6页; 基金山东省科技发展计划(2014GGX102022) 山东大学研究生科技创新基金(yjs12026); 文摘在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 cm2·V-1·s-1。随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 e V逐渐增加到3.76 e V。研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率。随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律。当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1·s-1。; 关键词铟锡锌氧化物薄膜光学带隙光电特性射频功率; Keywords ITZO thin film optical band gap photoelectric property RF power; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究被引量：4: 7; 作者姚吉升唐三川等; 机构长沙矿冶研究院; 出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期47-50,共4页; 文摘本文报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改善ITO膜质有较好的参考价值。; 关键词 ITO靶材 ITO膜结瘤黑化物磁控溅射铟锡氧化物薄膜镀膜; 分类号 TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PEN为衬底的柔性有机电致发光器件的光电性能被引量：2: 8; 作者李杰蒋亚东于欣格于军胜; 机构电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第2期240-242,246,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60736005和61177032) 创新研究团队资助项目(61021061) +1 种基金中央高校基本科研业务费专项资助项目(ZYGX2010Z004); 文摘采用直流磁控溅射技术,在聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底上制备了氧化物铟锡(ITO)导电薄膜,研究了衬底温度和薄膜厚度工艺参数对柔性衬底上导电薄膜光学性能与电学性能的影响。在优化工艺的条件下,所制备的PEN导电基板的方阻低至35Ω/□,且可见光透过率大于95%;以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PEN/ITO/NPB/Alq3/Al的柔性有机电致发光器件。作为对比,选用多种不同的衬底材料制备了有机电致发光器件,并比较了各器件性能的差异。; 关键词有机电致发光器件聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)柔性衬底氧化物铟锡(ITO)薄膜磁控溅射; Keywords organic light-emitting device PEN flexible substrate ITO thin films DC magnetron sputtering; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用	刘世友	《材料科学与工程》 CSCD	1999	24	在线阅读下载PDF 职称材料
2	溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响	刘媛媛赵继凤李延辉宋淑梅辛艳青杨田林	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	ITO薄膜的生产技术概况及发展趋势探讨	周宏明易丹青杨小玲	《表面技术》 EI CAS CSCD	2006	13	在线阅读下载PDF 职称材料
4	辅助离子束功率密度对透明塑料上室温磁控溅射沉积ITO薄膜结构和形貌的影响	望咏林颜悦温培刚伍建华张官理	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究	闻伟杨传仁张继华陈宏伟梁鸿秋张瑞婷	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2008	7	在线阅读下载PDF 职称材料
6	射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响	童杨王昆仑刘媛媛李延辉宋淑梅杨田林	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究	姚吉升唐三川等	《真空科学与技术》 CSCD 北大核心	2002	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	PEN为衬底的柔性有机电致发光器件的光电性能	李杰蒋亚东于欣格于军胜	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料