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铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
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作者 张倍维 陆映东 +3 位作者 黄作 莫斌 方志杰 黄誓成 《功能材料》 北大核心 2025年第1期1209-1216,共8页
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备... 研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 温度-结构-性能关系 锡(Sn)掺杂氧化铟(In2O3) ito靶材
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铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒的制备及表征 被引量:10
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作者 赵燕熹 何宝林 +1 位作者 强世伟 彭程 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1033-1037,共5页
以金属 In 和 SnCl4·5H2O 为主要原料, 加入保护剂 PVP, 利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对 PVP 的用量、溶液的 pH 值、热处理温度等因素对 ITO 纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)... 以金属 In 和 SnCl4·5H2O 为主要原料, 加入保护剂 PVP, 利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对 PVP 的用量、溶液的 pH 值、热处理温度等因素对 ITO 纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)、X 射线衍射(XRD)对所合成的 ITO 纳米颗粒进行了表征。XRD 分析说明本文合成了金刚砂型结构的铟锡氧化物纳米颗粒, 并且其晶型结构随着热处理温度的升高而转变为铁锰矿型。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米颗粒 XRD
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络盐法制备纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末 被引量:3
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作者 陈林 吴伯麟 《桂林工学院学报》 北大核心 2007年第2期257-261,共5页
以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148.5nm、粒径分布较窄、在800~3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90%以上的纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末.通过制备络合盐晶体(NH4)2InC... 以纯铟、SnCl4·5H2O为原料,采用络盐法制备了一次晶粒平均尺寸小于15nm、费氏粒度为148.5nm、粒径分布较窄、在800~3600cm^-1间对红外光的吸收或反射率在90%以上的纳米晶铟锡氧化物(ITO)粉末.通过制备络合盐晶体(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SnCl6,证实反应初始溶液中有络离子存在.研究了络离子本身以及分散剂聚乙烯吡咯烷酮对ITO粒径的影响.用XRD、红外光谱仪和激光粒度仪对ITO粉末进行了表征.结果表明:络离子浓度的增加有利于ITO粉末粒径的变小,分散剂的加入有利于ITO费氏粒度的减小. 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米晶 络盐法 分散剂 络离子
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铟锡氧化物(ITO)前驱体的相演变规律研究 被引量:3
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作者 廖红卫 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期64-67,共4页
采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶... 采用共沉淀法制备了立方结构氢氧化铟(In(OH)3)和四方结构氧化铟氢氧化物(InOOH)2种前驱体。利用X射线衍射、热重和差热分析以及等温热处理,对立方结构In(OH)3和四方结构InOOH向萤石型结构铟锡氧化物(ITO)固溶体以及刚玉型结构ITO固溶体的相演变规律进行了系统的研究。立方结构In(OH)3向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于150℃,在300℃左右转变完全并且表现为一种吸热行为。四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体转变起始于220℃并且终止于430℃。此外,四方结构InOOH向刚玉型结构ITO固溶体的转变包含2个子过程,一个表现为吸热行为的InOOH脱水过程,另一个表现为强烈放热行为的InOOH脱水产物向刚玉型结构ITO固溶体的转变过程。刚玉型结构ITO固溶体在空气中处于亚稳态,并且在加热的条件下可以转变为萤石型结构ITO固溶体。刚玉型结构ITO固溶体向萤石型结构ITO固溶体的转变起始于578℃,在800℃以前转变终止并且表现为一种弱吸热行为。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 前驱体 相演变规律
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分散剂对铟锡氧化物(ITO)粉末粒径的影响
5
作者 肖素萍 陈林 +3 位作者 王献忠 文忠和 张西玲 向芸 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期111-113,共3页
以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的... 以纯In、SnCl4·5H2O和盐酸为原料,氨水为沉淀剂,采用络盐法制备了纳米铟锡氧化物(ITO)粉末。主要研究了分散剂对ITO纳米粉体粒径的影响。用激光粒度仪、XRD、SEM对所得粉末进行表征。结果表明:随着分散剂的分子量的增加,所得ITO的粒径逐渐变小;加入不同分子量的PEG配合使用有利于制备纳米级颗粒,加入PEG(10000∶6000=1∶1)作分散剂所制ITO粉末粒径为50~100nm。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 纳米粉末 分散剂 络盐法
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通过硅烷偶联剂在硅和铟锡氧化物(ITO)表面嫁接寡聚芴分子
6
作者 段瑜 温贵安 +1 位作者 许国勤 黄维 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1596-1603,共8页
通过硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl-triethoxysilane,APTES)的"分子桥梁"作用,采用两种不同的方法,把修饰后的寡聚芴分子键联到硅表面和铟锡氧化物(ITO)表面上。X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和... 通过硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl-triethoxysilane,APTES)的"分子桥梁"作用,采用两种不同的方法,把修饰后的寡聚芴分子键联到硅表面和铟锡氧化物(ITO)表面上。X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和循环伏安(CV)方法等的表征证实了通过硅烷偶联剂在硅表面和ITO表面嫁接寡聚芴分子可行性。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 硅烷偶联剂 寡聚芴分子 嫁接
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氯离子与铟离子的总浓度比对铟锡氧化物前驱体(氢氧化物)粒径的影响 被引量:5
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作者 陈林 吴伯麟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1073-1078,共6页
用络盐法制备了铟锡氧化物(ITO)纳米粉末.通过对铟和锡的络合盐[(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SNCl6]的制备研究,证实了反应初始溶液中络离子的存在.通过调节氯离子与铟离子的总浓度比研究了络离子对ITO前驱体(氢氧化物)粒径的影响.... 用络盐法制备了铟锡氧化物(ITO)纳米粉末.通过对铟和锡的络合盐[(NH4)2InCl5·H2O和(NH4)2SNCl6]的制备研究,证实了反应初始溶液中络离子的存在.通过调节氯离子与铟离子的总浓度比研究了络离子对ITO前驱体(氢氧化物)粒径的影响.提出了络离子对纳米ITO粉末粒径的影响原理:络离子的存在,降低了反应初始溶液中游离In3+和Sn4+的浓度,有利于纳米级ITO粉末的生成.通过XRD和激光粒度仪对ITO前驱体(氢氧化物)进行了表征. 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ito) 络盐法 原理 前驱体
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铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究 被引量:15
8
作者 张树高 扈百直 +2 位作者 吴义成 方勋华 黄伯云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期383-384,共2页
用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的... 用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ITO陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明:靶材的相对密度在大约 1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低。分析了 ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 陶瓷靶材 热等静压 致密化
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喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜 被引量:7
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作者 季振国 赵丽娜 +2 位作者 何作鹏 陈琛 周强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期211-216,共6页
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在... 利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06-0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过 0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上. 展开更多
关键词 铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解
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共沉淀法制备高比表面积的铟锡氧化物超细粉末 被引量:4
10
作者 古映莹 刘雪颖 +3 位作者 谭坚 李丹 杨天足 赖琼琳 《中南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期837-840,共4页
采用化学共沉淀法制备铟锡氧化物超细粉末, 并用差热分析仪测定铟锡氧化物前驱体的分解温度、用X射线衍射分析其晶型, 用透射电镜观察颗粒的大小和形貌, 用自动吸附仪测量颗粒的比表面积;对分散剂的添加及添加方式、煅烧温度等因素对产... 采用化学共沉淀法制备铟锡氧化物超细粉末, 并用差热分析仪测定铟锡氧化物前驱体的分解温度、用X射线衍射分析其晶型, 用透射电镜观察颗粒的大小和形貌, 用自动吸附仪测量颗粒的比表面积;对分散剂的添加及添加方式、煅烧温度等因素对产品性能的影响也进行研究. 研究结果表明: 在抽滤洗涤共沉淀凝胶时用Na2SiO3做分散剂润洗, 然后在700 ℃下煅烧2 h, 可以得到粒度为20~30 nm、比表面积达150 m2/g、分布均匀、结晶性好的铟锡氧化物超细粉末. 展开更多
关键词 超细粉末 共沉淀法 铟锡氧化物 比表面积
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纳米铟锡氧化物粉体的制备及表面改性 被引量:18
11
作者 黄杏芳 沈晓冬 +1 位作者 崔升 李凤雷 《无机盐工业》 CAS 2004年第1期24-25,共2页
在水介质中通过化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)粉体,利用表面处理剂对ITO颗粒进行表面包裹。采用X-射线衍射分析仪、透射电镜、红外光谱分析仪、差热分析仪等分析了该ITO的物相结构及表面形貌。结果表明,该ITO为锡掺杂的三氧化二铟... 在水介质中通过化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)粉体,利用表面处理剂对ITO颗粒进行表面包裹。采用X-射线衍射分析仪、透射电镜、红外光谱分析仪、差热分析仪等分析了该ITO的物相结构及表面形貌。结果表明,该ITO为锡掺杂的三氧化二铟晶体,经表面包裹后,成为粒径均匀、大小约为50nm、无团聚的纳米粒子。经静态沉淀法分析,该纳米粒子在有机物(MMA)中有良好的分散性。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米粉体 制备 表面改性 分散性 共沉淀法 半导体
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基于氧化石墨烯/聚吡咯-铟锡氧化物微电极的细胞阻抗生物传感器构建及细胞粘附增殖行为检测 被引量:5
12
作者 李远 张晶 +4 位作者 廖娟 王条敏 刘北忠 于超 张玲玲 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期787-796,共10页
构建一种基于氧化石墨烯/聚吡咯-铟锡氧化物GO/PPy-ITO(Graphene Oxide/Polypyrrole-Indium Tin Oxide)微电极的细胞阻抗生物传感器并用于细胞粘附增殖行为学检测。ITO微电极采用光刻技术对感光干膜绝缘层蚀刻而成,通过一步法电聚合技术... 构建一种基于氧化石墨烯/聚吡咯-铟锡氧化物GO/PPy-ITO(Graphene Oxide/Polypyrrole-Indium Tin Oxide)微电极的细胞阻抗生物传感器并用于细胞粘附增殖行为学检测。ITO微电极采用光刻技术对感光干膜绝缘层蚀刻而成,通过一步法电聚合技术在ITO微电极表面沉积GO/PPy纳米复合膜制备GO/PPy-ITO微电极;形状测量激光显微镜和扫描电子显微镜分别对GO/PPy表面粗糙度和拓扑形貌进行表征;电化学循环伏安法及阻抗谱表征GO/PPy-ITO微电极的电化学性质;人肺癌细胞株A549粘附、铺展和增殖实验考察GO/PPy界面的生物相容性;以GO/PPy-ITO微电极作为传感电极,利用电化学阻抗谱技术对A549细胞的粘附增殖行为进行检测。结果显示,ITO微电极表面上电沉积的GO/PPy纳米复合物表面平整,分布大量的微孔结构;电化学实验结果显示GO/PPy-ITO微电极比裸ITO微电极具有更低的阻抗特征和更高的电化学活性;GO/PPy比纯PPy膜更能促进A549细胞粘附、铺展和增殖;GO/PPy-ITO微电极表面A549细胞的粘附增殖行为改变电极系统的阻抗谱特征,通过对阻抗谱数据进行等效电路拟合分析获得细胞粘附增殖行为学信息。本文发展的GO/PPy-ITO微电极兼具优良的电化学性质和细胞生物相容性,基于该电极系统构建的细胞阻抗生物传感器可用于细胞病理生理学行为、药物筛选等研究领域。 展开更多
关键词 生物传感器 电化学阻抗检测 氧化石墨烯 聚吡咯 铟锡氧化物 细胞增殖
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溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响 被引量:5
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作者 刘媛媛 赵继凤 +3 位作者 李延辉 宋淑梅 辛艳青 杨田林 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期391-396,共6页
利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效... 利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。 展开更多
关键词 溅射气压 铟锡氧化物薄膜晶体管 磁控溅射 光学带隙
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一种基于感光干膜-铟锡氧化物电极的简易细胞阻抗传感器实现细胞形态学和阻抗信息同时检测 被引量:4
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作者 李远 胡帆 +2 位作者 廖娟 胡礼仪 刘北忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期779-786,共8页
加工一种基于感光干膜-铟锡氧化物DFP-ITO(Dry Film Photoresist-Indium Tin Oxide)电极的细胞阻抗生物传感器并实现细胞形态学和阻抗信息同时检测。35μm厚的感光干膜层压在ITO导电玻璃表面上作为绝缘层,通过照相制版技术在感光干膜绝... 加工一种基于感光干膜-铟锡氧化物DFP-ITO(Dry Film Photoresist-Indium Tin Oxide)电极的细胞阻抗生物传感器并实现细胞形态学和阻抗信息同时检测。35μm厚的感光干膜层压在ITO导电玻璃表面上作为绝缘层,通过照相制版技术在感光干膜绝缘层上蚀刻不同直径圆孔;以DFP-ITO作为工作电极,通过夹具和测量小池与Ag/Ag Cl参比电极、Pt丝对电极相连构成三电极阻抗测量系统;考察了不同直径DFP-ITO工作电极阻抗谱特征;通过细胞粘附实验及细胞毒性实验考察了感光干膜细胞生物相容性;通过光学显微镜和阻抗谱技术分别对接种在DFP-ITO电极上人肺癌细胞株A549粘附、增殖过程中的形态学和阻抗信息进行检测和分析。研究结果发现不同直径DFP-ITO电极具有相似的阻抗特性;充分固化的感光干膜表面适宜A549细胞粘附且无明显的细胞毒性;基于DFP-ITO电极构建的细胞阻抗传感器能够通过光学显微镜获取A549细胞形态学数据,同时通过阻抗谱技术能够解析A549细胞粘附、增殖过程中的细胞质膜电容、细胞-细胞间隙电阻、细胞-ITO电极间隙电阻变化。本文发展了基于DEP-ITO电极的细胞阻抗传感器结构简单,可实现细胞形态学和阻抗信息的双通道获取,未来可用于细胞生理病理学行为和药物细胞毒性研究。 展开更多
关键词 生物传感器 电化学阻抗检测 感光干膜 铟锡氧化物 阻抗 细胞形态学
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铟锡氧化物纳米粉的显微结构 被引量:11
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作者 高愈尊 李永洪 张泰宋 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期278-281,共4页
采用化学共沉淀法制备了立方结构的铟锡氢氧化物纳米粉。250℃热处理后铟锡氢氧化物由晶态转化为非晶态,然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉。600℃热处理1h后粉末粒度为10~20nm,铟锡质量比接... 采用化学共沉淀法制备了立方结构的铟锡氢氧化物纳米粉。250℃热处理后铟锡氢氧化物由晶态转化为非晶态,然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉。600℃热处理1h后粉末粒度为10~20nm,铟锡质量比接近9∶1。铟锡氧化物颗粒接近球形,分散性好。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米粉 显微结构 化学共沉淀法
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铟锡氧化物纳米网的微波法制备及其光催化特性研究 被引量:2
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作者 刘兴芝 司伟 +1 位作者 丁超 臧树良 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1445-1448,共4页
稀散金属铟主要富集于硫化矿物中,少量存于锡石矿中,提取不易[1].铟广泛作为液晶显示用的透明导电膜ITO(In2O3/SnO2),近年来,随着电子工业的快速发展,铟锡氧化物纳米材料的研究成为人们关注的热点[2].纳米ITO可用作隐身材料、太阳能电... 稀散金属铟主要富集于硫化矿物中,少量存于锡石矿中,提取不易[1].铟广泛作为液晶显示用的透明导电膜ITO(In2O3/SnO2),近年来,随着电子工业的快速发展,铟锡氧化物纳米材料的研究成为人们关注的热点[2].纳米ITO可用作隐身材料、太阳能电极材料和收集器等,具有优异的性能和十分诱人的研究前景.Kim等[3]以In(NO3)3·xH2O和SnCl4·xH2O为原料,用共沉淀法合成了立方结构的纳米ITO粉.但目前使用微波辐射制备铟锡氧化物网状纳米粉体尚未见文献报道. 展开更多
关键词 铟锡氧化物纳米网 制备 光催化特性 化学液相沉淀法 微波辐射
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大尺寸氧化铟锡(ITO)靶材制备研究进展 被引量:3
17
作者 姜峰 谭泽旦 +4 位作者 黄誓成 陆映东 覃立仁 曾纪术 方志杰 《广西科学》 CAS 北大核心 2022年第6期1169-1177,1187,共10页
氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需... 氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)靶材是屏幕显示器、光伏电池、功能玻璃等领域的关键原材料之一,已朝着大尺寸(长度至少600 mm)、高密度、低电阻率和高使用率的方向发展。本文介绍了高性能ITO靶材的技术特征,分析了大尺寸ITO靶材的需求和镀膜优势,总结了大尺寸ITO靶材的成型、烧结工艺及其研究应用现状,最后提出了制备大尺寸ITO靶材的研究方向。 展开更多
关键词 氧化铟锡(ito) 大尺寸靶材 制备 成型工艺 烧结工艺
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铟锡氧化物薄膜的生产现状与应用 被引量:24
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作者 刘世友 《材料科学与工程》 CSCD 1999年第2期98-100,80,共4页
介绍了铟锡氧化物(ITO)薄膜的特征,主要生产工艺及其在汽车、宇航、建筑、电子、太阳能等领域的应用。
关键词 铟锡氧化物薄膜 特性 生产工艺 应用 展望 ito
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水热法无氯制备铟锡氧化物纳米颗粒 被引量:1
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作者 王海文 任红鑫 +3 位作者 宋晓增 丁俊杰 王晨飞 殷馨 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2015年第5期67-70,81,共5页
以稳定的铟锡乙酰丙酮配合物为原料,采用水热法合成了铟锡氧化物(In_2Sn_(1-x)O_(5-y))纳米颗粒。铟锡乙酰丙酮配合物的使用未引入Cl^-,缩短了合成过程,减少了纳米粒子的团聚,降低了纳米粒子的大小,并提高了纳米粒子的纯度。改性后的纳... 以稳定的铟锡乙酰丙酮配合物为原料,采用水热法合成了铟锡氧化物(In_2Sn_(1-x)O_(5-y))纳米颗粒。铟锡乙酰丙酮配合物的使用未引入Cl^-,缩短了合成过程,减少了纳米粒子的团聚,降低了纳米粒子的大小,并提高了纳米粒子的纯度。改性后的纳米粒子加速了In_2Sn_(1-x)O_(5-y)的烧结,当煅烧温度为1400℃时,其相对密度达到了96.4%。 展开更多
关键词 铟锡氧化物 纳米颗粒 水热法 烧结
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基于RGD多肽掺杂聚吡咯-铟锡氧化物的仿生微电极构建及用于细胞生物学行为的电化学阻抗谱检测 被引量:1
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作者 李远 肖文海 +2 位作者 陈静 廖娟 刘北忠 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期174-183,共10页
构建一种基于RGD多肽分子掺杂聚吡咯膜修饰的铟锡氧化物微电极(PPy/RGD-ITO),并以此作为传感电极实现细胞生物学行为的电化学阻抗谱检测。采用光刻技术蚀刻感光干膜绝缘层制备ITO微电极;以含RGD模体的多肽分子作为吡咯电聚合唯一的掺杂... 构建一种基于RGD多肽分子掺杂聚吡咯膜修饰的铟锡氧化物微电极(PPy/RGD-ITO),并以此作为传感电极实现细胞生物学行为的电化学阻抗谱检测。采用光刻技术蚀刻感光干膜绝缘层制备ITO微电极;以含RGD模体的多肽分子作为吡咯电聚合唯一的掺杂阴离子,通过电化学共聚合方式在ITO微电极表面沉积PPy/RGD复合膜形成PPy/RGD-ITO微电极;原子力显微镜(AFM)、接触角测量仪和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分别表征PPy/RGD复合膜的表面拓扑形貌、湿润性和组成成分;人肺癌细胞株A549铺展、粘附及增殖实验考察了PPy/RGD复合膜与细胞间的相互作用;以构建的PPy/RGD-ITO微电极作为传感电极,通过电化学阻抗谱技术对A549细胞粘附增殖行为及天然抗癌药物分子重楼皂苷I的细胞毒性进行了分析。结果显示,通过简单的电化学共聚合成功将RGD分子掺杂进PPy膜内,且PPy/RGD复合膜具有优异的表面物理性能;PPy基质膜内掺杂的RGD分子保留其生物活性,相比裸ITO电极和聚4-苯乙烯磺酸钠(PSS)掺杂的PPy膜,PPy/RGD复合膜能更好地促进A549细胞的铺展、粘附和增殖;由于PPy/RGD-ITO微电极表面A549细胞形态学变化可改变电极系统的阻抗谱特征,因此通过电化学阻抗谱技术可解析A549细胞粘附增殖行为学信息,同时可定量分析重楼皂苷I细胞毒性。因此,通过简单的电化学共聚合方法将生物活性RGD分子掺杂进PPy膜内制备出的PPy/RGD膜具有优良的生物相容性,可作为一种重要的仿生电极修饰材料用于构建电子系统和细胞生物学系统的耦合界面,未来可应用于细胞生物学行为及药物筛选研究。 展开更多
关键词 电化学阻抗检测 RGD多肽 聚吡咯 铟锡氧化物 细胞增殖 细胞毒性
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