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有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
李桂锋
冯佳涵
+1 位作者
周俊
张群
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期558-560,共3页
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明...
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
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关键词
薄膜晶体管
PVP有机介质层
铟锌氧化物
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职称材料
有源层溅射工艺及后退火温度对IZO TFT电性能的影响
2
作者
王聪
丁有坤
刘玉荣
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期73-80,共8页
为了提高氧化物薄膜晶体管的器件性能,以掺In氧化锌(IZO)为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al2O3薄膜为栅介层,制备了基于IZO的薄膜晶体管(IZO TFT),研究了IZO薄膜制备工艺中溅射气体氩氧流量比、溅射压强和后退火温度等工艺参数对TFT...
为了提高氧化物薄膜晶体管的器件性能,以掺In氧化锌(IZO)为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al2O3薄膜为栅介层,制备了基于IZO的薄膜晶体管(IZO TFT),研究了IZO薄膜制备工艺中溅射气体氩氧流量比、溅射压强和后退火温度等工艺参数对TFT器件电学性能的影响。结果表明,在恰当的氩氧比和反应气压以及相对较高的退火温度下制备的IZO TFT具有良好的电学特性,当氩氧流量比为60:20 sccm、溅射压强为0.5 Pa、空气气氛中以250℃退火1 h时后,IZO TFT器件的整体电学特性表现较优,其迁移率高达31 cm^(2)/(V·s),开关电流比大于108。相对过低或过高的氩氧比会导致IZO有源层中氧空位含量过低或过高,从而降低TFT器件性能。过低的退火温度不足以使栅介质的Al-OH转变成Al-O以及空气中的氧扩散进入IZO体内钝化氧空位,因此器件性能较差。
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关键词
铟锌氧化物
薄膜晶体管
工艺参数
电性能
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职称材料
溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管
被引量：
5
3
作者
信恩龙
李喜峰
张建华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期208-212,共5页
采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜...
采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。
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关键词
溶胶凝胶法
铟锌氧化物
薄膜
薄膜晶体管
低温
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职称材料
题名
有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
被引量：
1
1
作者
李桂锋
冯佳涵
周俊
张群
机构
复旦大学材料科学系
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期558-560,共3页
基金
国家自然科学基金(No.60671041)
博士点基金(No.20070246032)
上海重点学科项目(No.B113)
文摘
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
关键词
薄膜晶体管
PVP有机介质层
铟锌氧化物
Keywords
thin film transistor
dielectric layer
indium zinc oxide
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
有源层溅射工艺及后退火温度对IZO TFT电性能的影响
2
作者
王聪
丁有坤
刘玉荣
机构
汕尾市海洋产业研究院博士后科研工作站
华南理工大学微电子学院
汕尾职业技术学院工程学院
出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期73-80,共8页
基金
广东省普通高校重点领域专项(新一代信息技术)(2020ZDZX3125)
国家自然科学基金资助项目(61871195)
广东省基础与应用基础研究基金项目(2024A1515011719)。
文摘
为了提高氧化物薄膜晶体管的器件性能,以掺In氧化锌(IZO)为有源层,原子层沉积法(ALD)沉积的Al2O3薄膜为栅介层,制备了基于IZO的薄膜晶体管(IZO TFT),研究了IZO薄膜制备工艺中溅射气体氩氧流量比、溅射压强和后退火温度等工艺参数对TFT器件电学性能的影响。结果表明,在恰当的氩氧比和反应气压以及相对较高的退火温度下制备的IZO TFT具有良好的电学特性,当氩氧流量比为60:20 sccm、溅射压强为0.5 Pa、空气气氛中以250℃退火1 h时后,IZO TFT器件的整体电学特性表现较优,其迁移率高达31 cm^(2)/(V·s),开关电流比大于108。相对过低或过高的氩氧比会导致IZO有源层中氧空位含量过低或过高,从而降低TFT器件性能。过低的退火温度不足以使栅介质的Al-OH转变成Al-O以及空气中的氧扩散进入IZO体内钝化氧空位,因此器件性能较差。
关键词
铟锌氧化物
薄膜晶体管
工艺参数
电性能
Keywords
indium zinc oxide
thin film transistor
process parameters
electrical performance
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管
被引量：
5
3
作者
信恩龙
李喜峰
张建华
机构
上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期208-212,共5页
基金
国家自然科学基金(61006005)
上海市科学技术委员会项目(10dz1100102)资助项目
文摘
采用溶胶凝胶法制备了非晶铟锌氧化物(a-IZO)薄膜,并作为薄膜晶体管(TFT)的有源层制备了a-IZO TFT。研究了IZO薄膜中铟锌比对薄膜性质及a-IZO TFT器件性能的影响。结果表明:溶胶凝胶法制备的IZO薄膜经低温(300℃)退火后为非晶结构,薄膜表面均匀平整、致密,颗粒大小为20 nm左右,并具有高透过率(>85%)。IZO薄膜中的铟锌比对薄膜的电学性能和TFT器件特性影响显著,增加In含量有利于提高薄膜和器件的迁移率。当铟锌比为3∶2时,所获得的薄膜适合于作为薄膜晶体管的有源层,制备的IZO-TFT经过相对低温(300℃)退火处理具有较好的器件性能,阈值电压为1.3 V,载流子饱和迁移率为0.24 cm2·V-1·s-1,开关比(Ion∶Ioff)为105。
关键词
溶胶凝胶法
铟锌氧化物
薄膜
薄膜晶体管
低温
Keywords
sol-gel technology
indium zinc oxide
thin film transistor
low temperature
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
李桂锋
冯佳涵
周俊
张群
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
有源层溅射工艺及后退火温度对IZO TFT电性能的影响
王聪
丁有坤
刘玉荣
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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下载PDF
职称材料
3
溶胶凝胶法制备透明IZO薄膜晶体管
信恩龙
李喜峰
张建华
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
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