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AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展被引量：1: 1; 作者谢生冯志红 +2 位作者刘波毛陆虹张世林《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B11期784-787,共4页; 由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN... 展开更多; 关键词高电子迁移率晶体管铝铟氮氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7: 2; 作者卢盛辉杜江锋 +1 位作者周伟夏建新《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页; 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管费米能级线性近似二维电子气; 在线阅读下载PDF 职称材料

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT: 3; 作者任春江李忠辉 +5 位作者焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期80-82,90,共4页; 利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×... 展开更多; 关键词氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌; 在线阅读下载PDF 职称材料

面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展: 4; 作者顾智琦李加东《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第12期7-11,共5页; 氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基IS... 展开更多; 关键词氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管生物传感器离子敏场效应晶体管二维电子气; 在线阅读下载PDF 职称材料

增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4: 5; 作者杜彦东韩伟华 +4 位作者颜伟张严波熊莹张仁平杨富华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期771-777,共7页; 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压... 展开更多; 关键词氮化镓高电子迁移率晶体管增强型阈值电压氮化铝镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究被引量：1: 6; 作者张效玮贾科进 +3 位作者房玉龙敦少博冯志红赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期634-637,641,共5页; 由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分... 展开更多; 关键词镓氮高电子迁移率晶体管器件材料结构短沟道效应源漏导通电阻毫米波; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展被引量：4: 7; 作者裴风丽冯震陈炳若《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期6-11,共6页; 从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。; 关键词欧姆接触铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1: 8; 作者严地罗谦 +4 位作者卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期226-229,共4页; 通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主... 展开更多; 关键词铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场受主陷阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响: 9; 作者王浩谢生 +2 位作者冯志红刘波毛陆虹《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1051-1054,1060,共5页; 采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起... 展开更多; 关键词高电子迁移率晶体管电流崩塌偏置应力铟铝氮氮化镓; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展被引量：1: 1; 作者谢生冯志红刘波毛陆虹张世林; 机构天津大学电子信息工程学院河北半导体研究所专用集成电路重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B11期784-787,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60876009) 天津市基础研究重点资助项(09JCZDJC16600); 文摘由于GaN基材料的高温性能好,AlInN/GaN异质界面具有更高的二维电子气密度,因而AlInN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)具有更高的工作频率和饱和漏电流,以及更强的抗辐射能力,近年来成为微波功率器件和放大电路的研究热点。首先总结了AlInN材料的基本性质,分析了AlInN/GaNHEMT的材料生长和器件结构设计,最后总结了其在高频、大功率方面的最新进展。; 关键词高电子迁移率晶体管铝铟氮氮化镓; Keywords High electron mobility transistor Aluminum indium nitride Gallium nitride; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7: 2; 作者卢盛辉杜江锋周伟夏建新; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页; 基金国家自科学基金资助项目(60576007); 文摘通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。; 关键词铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管费米能级线性近似二维电子气; Keywords AlGaN/GaN HEMTs Fermi level Linear approximation Two-dimensional electron gas; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT: 3; 作者任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜; 机构南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期80-82,90,共4页; 文摘利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了Al GaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的Al GaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×1013cm-2,迁移率达1880cm2/V.s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的Al GaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz,最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率为10.52W,功率增益和功率附加效率分别为7.62dB和45.8%。; 关键词氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌; Keywords AlGaN/GaN HEMT current collapse; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展: 4; 作者顾智琦李加东; 机构华东光电集成器件研究所中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第12期7-11,共5页; 基金国家自然科学基金面上项目(62074159)。; 文摘氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器是基于第三代半导体GaN开发的新型离子敏场效应晶体管(ISFET)生物传感器,其利用器件敏感区电荷变化调制异质结沟道中的高电子迁移率二维电子气(2DEG)来工作,与传统硅基ISFET相比,AlGaN/GaN HEMT生化传感器具有更优的化学稳定性,因此具有更大的应用范围。本文从AlGaN/GaN HEMT生物传感器的检测原理出发,讨论了AlGaN/GaN HEMT生物传感器从可行性验证、性能优化到面向实际检测的关键问题,并对AlGaN/GaN HEMT生物传感器国内外研究现状和未来发展进行了总结评价。; 关键词氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管生物传感器离子敏场效应晶体管二维电子气; Keywords AlGaN/GaN HEMT biosensor ISFET 2DEG; 分类号 TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4: 5; 作者杜彦东韩伟华颜伟张严波熊莹张仁平杨富华; 机构中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期771-777,共7页; 基金国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104); 文摘随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。; 关键词氮化镓高电子迁移率晶体管增强型阈值电压氮化铝镓; Keywords GaN high electron mobility transisitor（HEMT） enhancernent-mode threshold voltage AlGaN; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究被引量：1: 6; 作者张效玮贾科进房玉龙敦少博冯志红赵正平; 机构河北工业大学信息工程学院专用集成电路重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期634-637,641,共5页; 基金国家自然科学基金(60890192 60876009); 文摘由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程,就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的短沟道效应和源漏间较大的导通电阻两个主要问题进行了机理分析,并对GaN基HEMT器件的毫米波应用未来发展方向进行了分析。同时从GaN基HEMT器件材料结构设计入手对解决方案进行了探讨性研究。针对面向毫米波应用的GaN基HEMT材料结构,为有效的抑制短沟道效应,可以采用栅凹槽结构加背势垒结构、采用InAlN等新材料,可以有效降低源漏导通电阻。; 关键词镓氮高电子迁移率晶体管器件材料结构短沟道效应源漏导通电阻毫米波; Keywords GaN-based high electron mobility transistor（HEMT） device material structure short channel effect source-drain conduction resistance millimeter wave; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展被引量：4: 7; 作者裴风丽冯震陈炳若; 机构武汉大学物理科学与技术学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期6-11,共6页; 基金国家重点实验室基金项目(0502060C06) 国防基础科研项目(A1120060954) +1 种基金 51327030402); 文摘从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。; 关键词欧姆接触铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管; Keywords ohmic contacts AlGaN/GaN HEMTs; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究被引量：1: 8; 作者严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华; 机构电子科技大学微电子学与固体电子学学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期226-229,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(60576007); 文摘通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现,有受主陷阱的条件下,漏端出现电场峰值,栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0 V,Vd=60 V,受主陷阱浓度NA=1×1017cm-3时,栅端电场峰值与不加受主陷阱时相比可下降到56%。受陷阱电荷影响,当击穿电压大于某个电压时,漏端电场峰值超过栅端电场峰值,此时,击穿发生在漏端。该仿真结果修正了HEMT击穿总发生在栅端边缘处的传统看法。; 关键词铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管电场受主陷阱; Keywords AlGaN GaN HEMT electrical field acceptor trap; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响: 9; 作者王浩谢生冯志红刘波毛陆虹; 机构天津大学电子信息工程学院河北半导体研究所专用集成电路重点实验室; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期1051-1054,1060,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60876009) 天津市基础研究重点资助项目(09JCZDJC16600); 文摘采用直流偏置应力法对蓝宝石衬底上的InAlN/GaN HEMT器件的电流崩塌效应进行了研究。实验结果表明,在关态和开态应力后,器件直流特性明显退化,退化程度随偏置应力电压和应力时间的累积而增大。理论分析和器件仿真结果表明,关态应力引起的性能退化主要是由栅泄漏电流填充表面态形成的虚栅造成的;而开态应力引起的退化是沟道热电子被势垒层陷阱及表面态俘获产生的。因此,只有消除表面态和势垒层陷阱或者隔绝表面态形成的虚栅才能有效抑制电流崩塌。偏置应力引起的性能退化是可逆过程,在无外界激励时,经过10d左右的静置,器件基本恢复初始性能。; 关键词高电子迁移率晶体管电流崩塌偏置应力铟铝氮氮化镓; Keywords high electron mobility transistor current collapse bias stress InAlN GaN; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的研究与进展	谢生冯志红刘波毛陆虹张世林	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型	卢盛辉杜江锋周伟夏建新	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT	任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	面向生物检测的AlGaN/GaN HEMT传感芯片研究进展	顾智琦李加东	《传感器与微系统》 CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展	杜彦东韩伟华颜伟张严波熊莹张仁平杨富华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究	张效玮贾科进房玉龙敦少博冯志红赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展	裴风丽冯震陈炳若	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	4	在线阅读下载PDF 职称材料
8	AlGaN/GaN HEMT击穿特性与受主陷阱相关性研究	严地罗谦卢盛辉靳翀罗大为周伟杨谟华	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
9	偏置应力对InAlN/GaN HEMT直流特性的影响	王浩谢生冯志红刘波毛陆虹	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料