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线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7: 1; 作者卢盛辉杜江锋 +1 位作者周伟夏建新《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页; 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管费米能级线性近似二维电子气; 在线阅读下载PDF 职称材料

蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究被引量：1: 2; 作者袁凤坡梁栋 +3 位作者尹甲运许敏刘波冯志宏《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期497-500,共4页; 通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1... 展开更多; 关键词金属有机化学气相外延淀积氮化镓铝镓氮/氮化镓异质结二维电子气; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) 被引量：1: 3; 作者李效白《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页; 从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管二维电子气自发极化压电极化电流崩塌陷阱效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟: 4; 作者文于华范冰丰 +2 位作者骆思伟王钢刘扬《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期112-115,共4页; 使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,... 展开更多; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管 ANSYS 通孔结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展被引量：4: 5; 作者裴风丽冯震陈炳若《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期6-11,共6页; 从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。; 关键词欧姆接触铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED 被引量：1: 6; 作者齐胜利陈志忠 +8 位作者潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期216-218,共3页; 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB... 展开更多; 关键词氮化镓多量子阱发光二极管铝镓氮/氮化镓多量子势垒外量子效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型被引量：7: 1; 作者卢盛辉杜江锋周伟夏建新; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页; 基金国家自科学基金资助项目(60576007); 文摘通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。; 关键词铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管费米能级线性近似二维电子气; Keywords AlGaN/GaN HEMTs Fermi level Linear approximation Two-dimensional electron gas; 分类号 TN386.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究被引量：1: 2; 作者袁凤坡梁栋尹甲运许敏刘波冯志宏; 机构专用集成电路国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期497-500,共4页; 基金国家部委基金项目; 文摘通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1970 cm2/V.s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V.s。; 关键词金属有机化学气相外延淀积氮化镓铝镓氮/氮化镓异质结二维电子气; Keywords MOCVD GaN AlGaN/GaN heterostructure 2DEG; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) 被引量：1: 3; 作者李效白; 机构专用集成电路国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页; 文摘从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管二维电子气自发极化压电极化电流崩塌陷阱效应; Keywords AlGaN/GaN HFET 2DEG spontaneous polarization piezoelectric polarization current collapse trapping effects; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟: 4; 作者文于华范冰丰骆思伟王钢刘扬; 机构中山大学光电材料与技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期112-115,共4页; 基金中山大学物理学基金项目(J0630320 J0730313); 文摘使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,对由两栅指结构扩展得到的多栅指结构HFET进行了模拟。结果表明,衬底材料、衬底厚度、栅间距和通孔深度对器件的热特性均有明显的影响,选择合适的参数有利于改善器件的性能;当栅指数目增加时,器件的峰值温度增大,散热趋向于困难。; 关键词铝镓氮/氮化镓异质结场效应管 ANSYS 通孔结构; Keywords AlGaN/GaN HFET ANSYS via-hole structrue; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展被引量：4: 5; 作者裴风丽冯震陈炳若; 机构武汉大学物理科学与技术学院中国电子科技集团公司第十三研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期6-11,共6页; 基金国家重点实验室基金项目(0502060C06) 国防基础科研项目(A1120060954) +1 种基金 51327030402); 文摘从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。; 关键词欧姆接触铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管; Keywords ohmic contacts AlGaN/GaN HEMTs; 分类号 TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED 被引量：1: 6; 作者齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛; 机构北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室上海蓝光科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期216-218,共3页; 基金国家自然科学基金(60676032 60406007 +5 种基金 60607003 60577030 60876063 60476028) 2006CB921607); 文摘大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。; 关键词氮化镓多量子阱发光二极管铝镓氮/氮化镓多量子势垒外量子效率; Keywords GaN MQW LED AlGaN/GaN MQB external quantum efficiency; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型	卢盛辉杜江锋周伟夏建新	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究	袁凤坡梁栋尹甲运许敏刘波冯志宏	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)	李效白	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟	文于华范冰丰骆思伟王钢刘扬	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展	裴风丽冯震陈炳若	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED	齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料