1
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氮化物异质结电子气的二维特性和迁移率 |
薛舫时
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
14
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2
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AlGaN/GaN异质结构中的极化工程 |
薛舫时
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
2
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3
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用异质结构控制GaN阴极电子发射 |
薛舫时
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
1
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4
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一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型 |
王林
王燕
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
1
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5
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通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟 |
文于华
范冰丰
骆思伟
王钢
刘扬
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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6
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AlInN三明治势垒GaN HFET |
薛舫时
孔月婵
董逊
周建军
李忠辉
陈辰
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
1
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7
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AlGaN/GaN界面特性研究进展 |
郝跃
张金凤
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《微纳电子技术》
CAS
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2002 |
5
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8
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蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究 |
袁凤坡
梁栋
尹甲运
许敏
刘波
冯志宏
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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9
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用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs |
黄伟
王胜
张树丹
许居衍
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
1
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10
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AlGaN/GaN HFET的优化设计 |
薛舫时
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
3
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11
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GaN HFET的综合设计 |
薛舫时
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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12
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AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ) |
李效白
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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13
|
原位钝化和催化剂钝化沟道阱能带计算 |
薛舫时
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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14
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f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究(英文) |
付兴昌
吕元杰
张力江
张彤
李献杰
宋旭波
张志荣
房玉龙
冯志红
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《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
0 |
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