高铝GaAlAs及其多层结构MOVPE生长特性

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作者 张晓波 杨树人 +3 位作者 陈伯军 赵方海 秦福文 杜国同 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第3期73-76,共4页

本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材料具有良好的晶体完整性和结构周期性.

关键词 多层结构 镓铝砷化合物 MOVPE

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层内应力的种类及其表征与测量 被引量：6

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作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期88-92,共5页

本文介绍了透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射外延层内应力的种类及其表征方法和测量方法 。

关键词 GAAS/ALGAAS 光电阴极 X射线衍射 应力 外延 测量方法 表征方法 砷化镓 铝砷镓化合物 半导体

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究 被引量：3

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作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期93-97,共5页

本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间

关键词 ALGAAS/GAAS X射线衍射 应力 光电阴极 砷化镓 铝镓砷化合物 摇摆曲线半峰宽 外延层 半导体

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析 被引量：4

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作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期312-316,共5页

本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .

关键词 ALGAAS/GAAS X射线衍射 光电阴极 倒易点二维图 砷化镓 透射式GAAS光电阴极 外延层 镓铝砷化合物

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MI-Al_xGa(1-x)As/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析 被引量：1

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作者 涂洁磊 林理彬 +1 位作者 陈庭金 袁海荣 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期445-449,共5页

在MIp AlxGa1 xAs结构的I层表面上 ,引入固定负电荷 ,并用减反射膜覆盖 ,将p Al1 xGaxAs层中的空穴感应至界面 ,可建立界面电子感应势垒 ,并将其构成MIp AlxGa1 xAs/p n n+ GaAs太阳电池。通过求解泊松方程 ,理论上分析了界面感应势的... 在MIp AlxGa1 xAs结构的I层表面上 ,引入固定负电荷 ,并用减反射膜覆盖 ,将p Al1 xGaxAs层中的空穴感应至界面 ,可建立界面电子感应势垒 ,并将其构成MIp AlxGa1 xAs/p n n+ GaAs太阳电池。通过求解泊松方程 ,理论上分析了界面感应势的高度、宽度与 p AlxGa1 xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系 ,以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响。结果表明 ,p AlxGa1 xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高 ,都将导致界面感应势的高度与宽度的增加 ,从而能有效降低电池界面复合速度几个量级 。 展开更多

关键词 感应势垒 固定负电荷 界面复合 开路电压 太阳能电池 铝镓砷化合物

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层Al组份的X射线衍射分析 被引量：1

6

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期454-457,共4页

研究了 Al Ga As窗层中 Al组份的 X射线衍射分析原理和计算方法 。

关键词 GaAs ALGAAS 光电阴极 晶格常量 X线射衍射 砷化镓 镓铝砷化合物

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究 被引量：1

7

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期200-204,共5页

本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外... 本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga 展开更多

关键词 倒易点 二维图 热应力 半导体 透射式GAAS光电阴极 砷化镓 AlGaAs/GaAs外延层 镓铝砷化合物 晶格弯曲 X射线衍射

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AlGaAs/GaAs 单片集成激光发射机 被引量：1

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作者 胡礼中 刘式墉 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期512-515,共4页

报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机．这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效应晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效应晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单... 报道一种新型ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ单片集成激光发射机．这种器件利用液相外延生长中的伴生高阻层，解决了半导体激光器与场效应晶体管驱动电路的工艺共容性问题，具有场效应晶体管与激光器结构同时形成且二者表面自动找平、制作简单的优点．初步测量结果表明，无致冷条件下器件的３ｄＢ小信号调制带宽至少为２７０ＭＨｚ． 展开更多

关键词 砷化镓 激光发射机 镓铝砷化合物 半导体激光器

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单模AlGaAs／GaAs脊形波导量子阱半导体激光器 被引量：2

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作者 曹三松 《激光技术》 EI CAS CSCD 1996年第3期177-181,共5页

本文报道用分子束外延设备研制梯度折射率分别限制式单量子阱ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ脊形波导半导体激光器。该激光器具有良好的性能，条宽５μｍ器件室温阈值电流２３ｍＡ，线性连续输出单模激光功率大于１５ｍＷ。

关键词 单模半导体激光器 单量子阱 脊形波导 铝镓砷化合物 砷化镓

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准连续5kW叠层激光二极管列阵

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作者 方高瞻 肖建伟 +3 位作者 马骁宇 谭满清 冯小明 潘贵生 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2002年第5期41-44,共4页

报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,... 报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,峰值波长是 80 9 0nm ,谱线宽度是 4 8nm。 展开更多

关键词 激光二极管列阵 GAAS/ALGAAS 准连续叠层 固体激光器 砷化镓 砷铝镓化合物

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究

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作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期308-311,共4页

本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布 ,阐明了 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射层界面应变状况的 X射线衍射的分析方法 ,最后给出了实例 .

关键词 GAAS/ALGAAS GaAs光电发射层 X射线衍射 驰豫 光电阴极 AlGaAs窗层 应变 砷化镓 铝镓砷化合物

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高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

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作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 高欣 李梅 王玲 张兴德 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期90-92,共3页

应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。

关键词 梯度折射率 单量子阱激光器 砷化镓 GAAS/ALGAAS 输出功率 镓铝砷化合物

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究

13

作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期458-462,共5页

利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga

关键词 GaAs ALGAAS X射线衍射 光电阴极 外延层 结构特点 砷化镓 镓铝砷化合物 摇摆曲线

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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究

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作者 李晓峰 张景文 +1 位作者 高鸿楷 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期205-208,共4页

本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga

关键词 应变结构 晶格常量 透射式GAAS光电阴极 X射线衍射 AlGaAs/GaAs外延层 MOCVD 镓铝砷化合物 砷化镓 生长温度控制模型

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AlGaAs/GaAs HBT基区电流的研究

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作者 廖小平 魏同立 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第6期34-39,共6页

在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴＥＭ模型直流参数的研究基础上，对ＨＢＴ的基区电流进行了研究，特别是针对ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流，因为在ＨＢＴ的小偏置情况下，ＨＢＴ的ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表... 在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴＥＭ模型直流参数的研究基础上，对ＨＢＴ的基区电流进行了研究，特别是针对ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流，因为在ＨＢＴ的小偏置情况下，ＨＢＴ的ＢＥ结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位．当ＢＥ结间外加电压为０．５～１．２Ｖ时，ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近，这一研究结果有助于进一步了解ＨＢＴ的直流特性和１／ｆ噪声特性． 展开更多

关键词 基区电流 ALGAAS/GAAS HBT 空间电荷区 基区表面 复合电流 砷化镓晶体管 砷铝镓化合物晶体管

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AlGaAs/GaAs超晶格价带的自旋劈裂

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作者 田园 张宝林 +1 位作者 彭宇恒 陈维友 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1997年第3期49-52,共4页

对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空... 对由Al_yGa_(1－y_As，Al_xGa_(1-x)As和GaAs三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究．通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自族向上和自族向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方． 展开更多

关键词 能带结构 超晶格 自旋劈裂 砷化镓 铝镓砷化合物

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GaAs／AlGaAs双势垒结构间接电子隧穿的研究

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作者 俞梅 陈效双 王广厚 《南京大学学报（自然科学版）》 CSCD 1995年第3期377-382,共6页

研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿... 研究双势垒ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构在与时间有关的交变电场的作用下电子间接共振隧穿的几率和隧穿电流密度。采用转移矩阵方法给出电子在不同空间位置的波函数，用微扰的方法求出电子波函数的含时系数，最终给出电子隧穿几率和隧穿电流密度、计算结果表明电子隧穿几率曲线中出现附加的隧穿峰和隧穿峰变低，并且随穿电流密度曲线巾出现附加的隧穿台阶，隧穿峰变低和展宽，这主要是由于外加突变电场与Ｅ±ｎω的电子态耦合，为电子隧穿提供间接的通道和路径、这也是设计双势垒电子隧穿器件不可忽略的、上述方法也可以推广到多量子阶系统。 展开更多

关键词 电子共振隧穿 镓铝砷化合物 砷化镓 双势垒结构

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低温生长AlGaAs／GaAs多量子阱载流子动力学研究

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作者 李春勇 魏彦锋 等 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期564-565,共2页

关键词 砷化镓 铝镓砷化合物 低温生长 ALGAAS/GAAS 多量子阱 载流子动力学

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MOVPE 生长 Si δ 掺杂 GaAs/Al0.3Ga0.7As 异质结构及其霍耳测量

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作者 董争 黄平 姚奎鸿 《浙江大学学报（自然科学版）》 CSCD 1998年第6期778-783,共6页

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维... 使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的硅δ掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构，其在１５Ｋ和３００Ｋ时的电子迁移率分别为２．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ和７３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ，二维电子浓度分别为４．６５×１０１１／ｃｍ２和１．１７×１０１２／ｃｍ２，均比相同结构的生长体掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ异质结构样品有很大提高，证实了使用δ掺杂技术取代体掺杂技术可以获得电学性能更佳的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结构． 展开更多

关键词 霍耳测试 MOVPE 砷化镓 异质结构 铝镓砷化合物

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GaAlAs LED液相外延生产关键技术研究成果、专利及产业化前景预测

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作者 赵景泉 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期22-22,共1页

1 取得的成果 (1)LED早期光衰问题的解决 由于GaAlAs的铝组分含量高,器件的早期光衰严重,在室温20mA工作电流下,96h后,发光强度平均哀减20％,严重影响器件的市场开发。 通过调整铝组分和工艺条件,提高保护气体纯度等方法,解决了此问题。... 1 取得的成果 (1)LED早期光衰问题的解决 由于GaAlAs的铝组分含量高,器件的早期光衰严重,在室温20mA工作电流下,96h后,发光强度平均哀减20％,严重影响器件的市场开发。 通过调整铝组分和工艺条件,提高保护气体纯度等方法,解决了此问题。 (2) 展开更多

关键词 LED 发光二极管 镓铝砷化合物半导体 液相外延生长技术

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