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题名脉冲偏压对铝合金上TiN膜生长的影响
被引量：3
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作者
宋贵宏
张硕
娄茁
李锋
陈立佳
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机构
沈阳工业大学材料科学与工程学院
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出处
《沈阳工业大学学报》
EI
CAS
2010年第4期375-379,410,共6页
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基金
辽宁省科委博士科研启动基金资助项目(20041022)
辽宁省教育厅科研资助项目(2004F006)
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文摘
为了研究在铝合金上硬质膜的性能,促进硬质TiN膜在铝合金构件上的应用,利用电弧离子镀在7075铝合金上沉积TiN膜层,并通过改变脉冲偏压幅值研究其对薄膜生长过程的影响.结果表明,生长的TiN膜具有柱状特征,在无偏压或低偏压时,柱状特征明显,但随着负偏压值的增大,柱状特征变得不明显,膜层中Ti和N的原子比率增加,由无偏压、低偏压时近似为1.0增加到-200V偏压时的1.2.在0～-200V偏压范围内,沉积膜的平均生长速率由1.5μm/h增加到11.3μm/h.随着负偏压的增加,TiN膜的(111)方向的择优取向越来越明显,而(200)方向强度越来越小.沉积膜呈柱状生长,具有明显的择优取向,其程度受脉冲偏压影响.
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关键词
TIN膜
铝合金衬底
脉冲偏压
薄膜生长
择优取向
柱状特征
硬质膜
结合强度
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Keywords
TiN film
Al alloy substrate
pulse bias
film growth
preferred orientation
column growth
hard film
cohesive strength
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分类号
TP391.9
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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