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a-Si/CuInSe_2叠层太阳能电池中的空间电荷效应
1
作者
林鸿生
林罡
段开敏
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期174-178,共5页
基于pin结构的a Si:H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/CuInSe2 叠层太阳能电池的稳定性 .采用计算机数值模拟方法 ,得出由光生空穴俘获产生的a Si:H层中正空间电荷密度的增加 ,改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高了a Si:H薄膜...
基于pin结构的a Si:H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/CuInSe2 叠层太阳能电池的稳定性 .采用计算机数值模拟方法 ,得出由光生空穴俘获产生的a Si:H层中正空间电荷密度的增加 ,改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高了a Si:H薄膜中的电场强度 ;在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CuInSe2 叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,没有发生光诱导性能衰退 .分析结果显示a Si/CuInSe2 叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性 .
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关键词
硅
铜铟硒化合物
空间电荷效应
太阳能电池
薄膜
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职称材料
电沉积制备CuInSe2多晶薄膜
2
作者
牛振江
宋丽辉
《云南民族学院学报（哲学社会科学版）》
CSSCI
北大核心
1993年第2期9-12,共4页
关键词
电沉积
薄膜
半导体
铜铟硒化合物
全文增补中
题名
a-Si/CuInSe_2叠层太阳能电池中的空间电荷效应
1
作者
林鸿生
林罡
段开敏
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期174-178,共5页
文摘
基于pin结构的a Si:H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/CuInSe2 叠层太阳能电池的稳定性 .采用计算机数值模拟方法 ,得出由光生空穴俘获产生的a Si:H层中正空间电荷密度的增加 ,改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高了a Si:H薄膜中的电场强度 ;在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CuInSe2 叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,没有发生光诱导性能衰退 .分析结果显示a Si/CuInSe2 叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性 .
关键词
硅
铜铟硒化合物
空间电荷效应
太阳能电池
薄膜
Keywords
light induced degradation in a Si:H
space charge effect
Newton Raphson solution
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
电沉积制备CuInSe2多晶薄膜
2
作者
牛振江
宋丽辉
出处
《云南民族学院学报（哲学社会科学版）》
CSSCI
北大核心
1993年第2期9-12,共4页
关键词
电沉积
薄膜
半导体
铜铟硒化合物
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
O484.1 [理学—固体物理]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
a-Si/CuInSe_2叠层太阳能电池中的空间电荷效应
林鸿生
林罡
段开敏
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
在线阅读
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职称材料
2
电沉积制备CuInSe2多晶薄膜
牛振江
宋丽辉
《云南民族学院学报（哲学社会科学版）》
CSSCI
北大核心
1993
0
全文增补中
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参考文献
引证文献
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