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电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究
被引量：
9
1
作者
薛江云
吴继勋
杨德钧
《电化学》
CAS
CSCD
1997年第4期401-407,共7页
采用动电位扫描、循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴纳米多层膜的电沉积机理．结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步...
采用动电位扫描、循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴纳米多层膜的电沉积机理．结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态．基于研究结果，提出了铜钴沉积的机制．
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关键词
铜
钴
合金
纳
米多
层
膜
电沉积
铜钴钠米多层膜
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职称材料
题名
电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究
被引量：
9
1
作者
薛江云
吴继勋
杨德钧
机构
北京科技大学表面科学与腐蚀工程系
出处
《电化学》
CAS
CSCD
1997年第4期401-407,共7页
基金
新金属材料国家重点实验室
冶金部腐蚀与磨损开放研究室资助
文摘
采用动电位扫描、循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴纳米多层膜的电沉积机理．结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态．基于研究结果，提出了铜钴沉积的机制．
关键词
铜
钴
合金
纳
米多
层
膜
电沉积
铜钴钠米多层膜
Keywords
Coppercobalt alloy, Multilayer films, Electrodeposition, AC impendance
分类号
TB43 [一般工业技术]
TG146.11 [金属学及工艺—金属材料]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究
薛江云
吴继勋
杨德钧
《电化学》
CAS
CSCD
1997
9
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