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题名面阵列封装用铜核焊球植球工艺及焊接性能
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作者
吉勇
朱家昌
陈雪晴
田爽
杨昆
李杨
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机构
无锡中微高科电子有限公司
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出处
《半导体技术》
北大核心
2025年第9期940-947,共8页
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基金
国家重点研发计划(2024YFB4505303)。
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文摘
铜核焊球(CCSB)凭借其出色的尺寸稳定性、导热/导电性、耐温度循环/冲击性和抗电迁移性,将替代传统焊球成为面向高性能、小型化、高可靠面阵列封装应用的新选择。通过对CCSB植球工艺及焊接性能的研究,提出了CCSB植球工艺优化方法,对比分析了直径0.3 mm的镀SAC305 CCSB和传统SAC305焊球的植球工艺特征、焊接剪切性能,阐明了CCSB焊点的断裂行为。分析结果表明,CCSB在保持与SAC305焊球共面性相当的同时表现出更优异的耐坍塌性,坍塌率比SAC305焊球低75%。CCSB的焊接界面呈现(Cu_(x)Ni_(1-x))_(6)Sn_(5)和Ni_(3)Sn_(4)两相共存的均匀连续状金属间化合物(IMC)层,焊点剪切等效应力更小,剪切强度较SAC305焊球提升25%,表现出更优异的抗剪切能力,可有效提高面阵列封装可靠性。
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关键词
铜核焊球(ccsb)
植球工艺
金属间化合物(IMC)
剪切强度
断裂行为
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Keywords
Cu-cored solder ball(ccsb)
ball implantation process
intermetallic compound(IMC)
shear strength
fracture behavior
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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