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题名单晶SiC基片的铜基研磨盘加工特性研究!
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作者
梁华卓
路家斌
阎秋生
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机构
广东工业大学机电工程学院
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2016年第6期6-10,14,共6页
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基金
国家自然科学基金(51375097和51305082)
广东省自然科学基金重点项目(2015A030311044)
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文摘
采用铜基螺旋槽研磨盘对6H–SiC单晶基片的Si面和C面进行了单面研磨加工,研究研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对SiC基片材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明,单晶SiC的C面和Si面具有明显的差异性,C面更易加工,其材料去除率比Si面大。研磨压力是影响材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨压力越大,材料去除率越高,但同时表面粗糙度变大,较大的研磨压力会导致划痕的产生。在达到最佳表面粗糙度时,C面加工所需的转速比Si面大。磨粒团聚会严重影响加工表面质量,采用粒度尺寸3μm的金刚石磨料比采用粒度尺寸1μm的金刚石效果好,经粒度尺寸3μm的金刚石磨料研磨加工5 min后,Si面从原始粗糙度Ra130 nm下降到Ra5.20 nm,C面下降到Ra5.49 nm,表面质量较好。
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关键词
6H–SiC基片
金刚石磨料
铜基研磨盘
表面质量
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Keywords
6H-SiC wafer
diamond abrasive
copper based lapping pad
surface quality
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分类号
TQ164
[化学工程—高温制品工业]
TG58
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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