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磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究 被引量：9
1
作者 李秀娟 金洙吉 +1 位作者 康仁科 郭东明 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期431-435,共5页
利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的... 利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CM P后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CM P过程的摩擦系数:采用5%粒径25 nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25 nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7 nm/m in;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3 nm/m in;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25 nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43 nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤. 展开更多
关键词 铜化学机械抛光(cmp) 摩擦 磨料 材料去除机理
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铜化学机械抛光中电化学理论的应用研究 被引量：7
2
作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期106-108,121,共4页
概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可... 概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可以为抛光液组分的选配提供依据。 展开更多
关键词 化学机械抛光 电化学 抛光液 铜 cmp分析
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用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究 被引量：17
3
作者 梅燕 韩业斌 聂祚仁 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期206-212,共7页
化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。重点叙述了CMP技术背景、设备、抛光原理、发展现状、存在的问题以及未来的发展趋势。
关键词 化学机械抛光(cmp)技术 浆料 硅片
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铜化学机械抛光中的平坦性问题研究 被引量：10
4
作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期30-34,共5页
铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺。Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性。而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIW... 铜的化学机械抛光(Cu-CMP)技术是ULSI多层金属布线结构制备中不可缺少的平坦化工艺。Cu-CMP后硅片表面的蝶形、侵蚀等平坦性缺陷将降低铜线的最终厚度和增大电阻率,从而降低器件性能和可靠性。而且可能进一步影响硅片的面内非均匀性(WIWUN),在多层布线中导致图案转移的不准确。本文介绍了对Cu-CMP平坦性的仿真、模拟和实验研究,并着重分析了碟形、侵蚀和WIWUN与抛光液、线宽和图案密度、抛光速度和载荷等相关参数的关系。 展开更多
关键词 化学机械抛光 铜布线 侵蚀 平坦性 超大规模集成电路
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抛光垫特性及其对300mm晶圆铜化学机械抛光效果的影响研究 被引量：7
5
作者 王同庆 韩桂全 +2 位作者 赵德文 何永勇 路新春 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期394-399,共6页
利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去... 利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机械抛光(CMP)试验机、四探针测试仪和三维白光干涉仪等研究了这两种抛光垫对300 mm晶圆铜互连的CMP材料去除率、片内非均匀性、碟形凹陷和腐蚀的影响规律.结果表明:IC1010比IC1000的硬度低、压缩率高、粗糙度大,IC1000为网格状沟槽、沟槽较宽、分布较稀,IC1010为同心圆沟槽、沟槽较细、分布较密;相同条件下IC1010比IC1000的材料去除率大、片内非均匀性好;在相同线宽下IC1000与IC1010的腐蚀几乎一致,IC1010的碟形凹陷比IC1000的略大. 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光垫 300MM晶圆 铜互连 材料去除率 非均匀性 碟形凹陷
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ULSI制造中铜化学机械抛光的腐蚀磨损机理分析 被引量：3
6
作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 康仁科 郭东明 苏建修 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期77-80,共4页
以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CuCMP)为研究对象,针对CuCMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了CuCMP材料去除机理。提出铜CMP的材料去... 以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CuCMP)为研究对象,针对CuCMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了CuCMP材料去除机理。提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了CuCMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理。 展开更多
关键词 ULSI 铜化学机械抛光 材料去除机理 腐蚀磨损
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铜布线化学机械抛光技术分析 被引量：5
7
作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期896-901,共6页
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组... 对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。 展开更多
关键词 技术分析 化学机械抛光(cmp) 铜布线 甚大规模集成电路 材料去除机理 腐蚀抑制剂 碱性抛光液 研究成果 组成成分 H2O2 研究情况 研究重点 平坦化 重分析 氧化剂
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弱碱性抛光液中铜化学机械抛光的电化学行为 被引量：3
8
作者 胡岳华 何捍卫 黄可龙 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1140-1143,共4页
在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂 ,对铜化学机械抛光技术 (CMP)过程中的电化学行为进行了在线测试。考察了铜在有无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响 ,研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位 (φE)和腐蚀电... 在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂 ,对铜化学机械抛光技术 (CMP)过程中的电化学行为进行了在线测试。考察了铜在有无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响 ,研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位 (φE)和腐蚀电流密度 (Jc)的变化规律 ,比较了抛光前及抛光过程中铜极化曲线的变化。定性地通过成膜的快慢及抛光过程中腐蚀电流密度的大小来说明抛光速率的高低。证明了以弱碱性溶液为介质、铁氰化钾为成膜剂、纳米γ Al2 O3 为磨粒的CMP配方的可行性。 展开更多
关键词 铜 化学机械抛光 电化学行为 弱碱性抛光液
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铜在甲胺介质铁氰化钾化学-机械抛光液中的电化学行为 被引量：2
9
作者 何捍卫 胡岳华 黄可龙 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第11期893-897,共5页
用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响 ,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系 ,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位 ( E-corrosion)及腐蚀电流密度 ( I... 用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响 ,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系 ,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位 ( E-corrosion)及腐蚀电流密度 ( I-corrosion) ,并据 E-corrosion及 I-corrosion的变化规律得到如下主要结论 :1 )介质及成膜剂浓度对铜表面钝化膜的厚度、致密性起关键作用 ;2 )膜的厚度、致密性决定了抛光的压力及转速 ;3) 展开更多
关键词 铜 化学-机械抛光 电化学行为 铁氰化钾 抛光液 成膜剂 抛光过程
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IC互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展 被引量：1
10
作者 李雯浩宇 高宝红 +3 位作者 霍金向 贺斌 梁斌 刘鸣瑜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第16期228-235,共8页
集成电路的产业发展作为衡量一个国家经济实力的重要指标,反映该国的整体实力。在集成电路的众多制备工艺中,化学机械抛光(Chemical mechanical planarization,CMP)是关键制造技术之一,也是目前应用最广且能够实现全局和局部平坦化的技... 集成电路的产业发展作为衡量一个国家经济实力的重要指标,反映该国的整体实力。在集成电路的众多制备工艺中,化学机械抛光(Chemical mechanical planarization,CMP)是关键制造技术之一,也是目前应用最广且能够实现全局和局部平坦化的技术。互连技术与CMP紧密相关,芯片互连属于后段制程,目前的互连技术主要包括铜互连、钴互连,在使用这些互连技术时不可避免地会影响芯片的性能,包括金属离子扩散速率快、薄膜与衬底的结合强度差等,学者们通过加入阻挡层来解决这些问题。互连金属和阻挡层都要进行CMP工序,它直接决定芯片良率和可靠性。本文总结了互连金属及其阻挡层化学机械抛光的研究进展,以技术节点出发介绍了三种典型的互连金属以及它们常用的阻挡层材料,分析总结了各种材料的抛光机理、抛光液组分、抛光效果及其材料的应用优势与缺陷,简述了在CMP互连与阻挡层的研究中存在的局限性,最后对新的材料、新型互连技术的研发及应用进行了展望。 展开更多
关键词 铜互连 钴互连 钌互连 钽/氮化钽阻挡层 钴阻挡层 钌阻挡层 化学机械抛光
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铜化学机械抛光材料去除机理的准连续介质法研究
11
作者 朱爱斌 路新春 +2 位作者 张浩 陈渭 谢友柏 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期111-116,共6页
采用准连续介质力学方法研究了铜化学机械抛光过程的机械作用材料去除机理.模拟了不同大小磨粒在单晶铜工件上的磨削过程,分析了切削过程中工件内部材料变形、切屑的形成以及工件内部应力分布和切削力变化.研究结果表明,工件内部材料沿... 采用准连续介质力学方法研究了铜化学机械抛光过程的机械作用材料去除机理.模拟了不同大小磨粒在单晶铜工件上的磨削过程,分析了切削过程中工件内部材料变形、切屑的形成以及工件内部应力分布和切削力变化.研究结果表明,工件内部材料沿着与切削方向约45°变形形成剪切带,在剪切带区域伴随有位错、滑移等现象产生.磨粒较小时加工后的表面质量较差,磨粒较大时加工质量较好,但会造成工件内部较大的塑性变形与更深的残余应力分布.磨粒尺寸变化对于切向切削力影响不大. 展开更多
关键词 化学机械抛光 准连续介质法 单晶铜 残余应力
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铜膜化学机械抛光工艺优化
12
作者 李炎 刘玉岭 +4 位作者 李洪波 樊世燕 唐继英 闫辰奇 张金 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2014年第7期37-41,共5页
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7... 对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7%鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善。 展开更多
关键词 化学机械抛光 碱性抛光液 磨料 片内速率非均匀性 表面粗糙度 铜膜
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单晶SiC的化学机械抛光及辅助技术的研究进展
13
作者 张佩嘉 雷红 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期289-298,共10页
由于单晶碳化硅(SiC)的传统化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)技术加工效率低,故提高SiC表面质量和材料去除率成为研究热点.总结了CMP中抛光液的主要成分,比较了CMP辅助抛光技术对单晶SiC抛光性能和作用机理的影响,并对... 由于单晶碳化硅(SiC)的传统化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)技术加工效率低,故提高SiC表面质量和材料去除率成为研究热点.总结了CMP中抛光液的主要成分,比较了CMP辅助抛光技术对单晶SiC抛光性能和作用机理的影响,并对单晶SiC-CMP技术的未来发展进行了展望. 展开更多
关键词 碳化硅 化学机械抛光 cmp辅助技术 抛光速率
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有机胺碱对硅通孔铜膜化学机械抛光的影响 被引量：6
14
作者 刘俊杰 刘玉岭 +1 位作者 牛新环 王如 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期37-42,共6页
有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件。研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响。首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影... 有机胺碱可与铜离子反应且产物在碱性条件下溶于水,这为硅通孔(TSV)铜膜的碱性化学机械抛光(CMP)提供了有利条件。研究了大分子有机胺碱对铜膜化学机械抛光的影响。首先测试了不同体积分数有机胺碱对碱性抛光液中磨料粒径和Zeta电位的影响,然后在直径3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上模拟了不同体积分数有机胺碱对铜去除速率的影响。实验结果表明:有机胺碱对抛光液中磨料粒径和Zeta电位没有影响;随着有机胺碱体积分数的增加,铜的去除速率先快速增加,达到一峰值后趋于稳定,最后略有下降;当有机胺碱的体积分数为5%时,TSV图形片铜膜去除速率达到最高值2.1μm/min,剩余铜膜总厚度差减小到1.321 76 nm,实现了纳米级的化学机械抛光。 展开更多
关键词 硅通孔 有机胺碱 铜膜 化学机械抛光 一致性
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多层互连工艺中铜布线化学机械抛光研究进展 被引量：6
15
作者 陈苏 张楷亮 +1 位作者 宋志棠 封松林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期21-24,共4页
对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步... 对ULSI中多层铜布线的CMP进行了分析,主要针对铜抛光液的研究现状以及进展进行综述,重点比较了各种不同种类抛光液的抛光效果,以及抛光液对铜和介电层的选择性研究,并提出了目前需要解决的问题,对今后铜抛光研究方向及方法进行了进一步探讨。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 化学机械抛光 铜 抛光液 多层互连
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提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究 被引量：3
16
作者 娄有信 王继扬 +4 位作者 张怀金 李强 严清峰 马朝晖 戴媛静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1418-1422,1428,共6页
采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为15 mm×60 mm。采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表... 采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶,最大尺寸为15 mm×60 mm。采用化学机械抛光(CMP)方法对Cu单晶基片进行抛光,借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性,并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响,结果表明:采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好,基片表面粗糙度Ra为0.921 nm。 展开更多
关键词 单晶铜 化学机械抛光 表面粗糙度
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新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展 被引量：3
17
作者 许旺 张楷亮 杨保和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期521-524,589,共5页
多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,E... 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。 展开更多
关键词 化学机械抛光 铜互连 低介电常数 电化学机械抛光 平坦化技术 多孔
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氧化铝颗粒的表面改性及其在C平面(0001)蓝宝石衬底上的化学机械抛光(CMP)性质(英) 被引量：8
18
作者 汪为磊 刘卫丽 +2 位作者 白林森 宋志棠 霍军朝 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1109-1114,共6页
为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出... 为了提高氧化铝颗粒的CMP性能,本工作探索了一种合适的改性方法。同时,为了改善其化学机械性能,通过与其表面羟基的硅烷化化学反应和与Al和仲胺的络合两种作用,用N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷表面改性氧化铝颗粒。本工作给出了化学反应机理,即N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷接枝到氧化铝表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)表征了改性氧化铝颗粒的组成和结构。结果表明:N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷已被成功地接枝到氧化铝颗粒的表面,导致改性比未改性的氧化铝颗粒具有更好的化学和机械性能。测试了未改性和改性的氧化铝颗粒在蓝宝石基底上的CMP性能。结果显示:改性氧化铝颗粒比未改性氧化铝颗粒有更高的材料去除速率和更好的表面质量。即,改性氧化铝颗粒在p H=10时比未改性氧化铝颗粒在p H=13.00时表现出更高的材料去除率,这将为减少设备腐蚀提供新思路。 展开更多
关键词 改性方法 N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷 化学机械抛光 cmp 氧化铝抛光液
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大径厚比铜片的化学机械抛光 被引量：2
19
作者 万策 金洙吉 +2 位作者 吴頔 刘作涛 司立坤 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2018年第3期81-85,共5页
以次氯酸钠为氧化剂,六偏磷酸钠为络合剂,OP-10乳化剂为表面活性剂,硅溶胶为磨料配制抛光液(pH 9),对粗抛光后的大径厚比铜片进行化学机械抛光。测量铜片抛光前后的平面度与表面粗糙度,用X射线能谱仪分析铜片表面的元素组成,用X射线衍... 以次氯酸钠为氧化剂,六偏磷酸钠为络合剂,OP-10乳化剂为表面活性剂,硅溶胶为磨料配制抛光液(pH 9),对粗抛光后的大径厚比铜片进行化学机械抛光。测量铜片抛光前后的平面度与表面粗糙度,用X射线能谱仪分析铜片表面的元素组成,用X射线衍射仪分析铜片表面的物相及残余应力。试验结果显示:铜片的平面度PV值由抛光前的4.813μm降至抛光后的2.917μm,表面粗糙度Ra值由抛光前的31.373nm降至抛光后的3.776nm;抛光前后铜片表面的元素组成及物相无明显变化,化学作用与机械作用达到了平衡,磨粒与抛光垫形成的机械作用能迅速去除铜片表面的氧化物层;且化学机械抛光显著降低铜片粗抛光后表面产生的残余应力。 展开更多
关键词 化学机械抛光 大径厚比 铜片 物相 残余应力
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聚苯乙烯-二氧化硅复合颗粒对铜层的化学机械抛光性能
20
作者 龚剑锋 潘国顺 +1 位作者 周艳 刘岩 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期18-22,共5页
随着集成电路线宽变窄,要求铜互连表面具有更低的表面粗糙度,对化学机械抛光(CMP)技术提出更高的要求。采用聚苯乙烯(PS)-二氧化硅(SiO2)复合颗粒作为铜层CMP的抛光磨粒,研究出PS-SiO2核壳结构的形成条件,分析新型抛光液体系中各颗粒含... 随着集成电路线宽变窄,要求铜互连表面具有更低的表面粗糙度,对化学机械抛光(CMP)技术提出更高的要求。采用聚苯乙烯(PS)-二氧化硅(SiO2)复合颗粒作为铜层CMP的抛光磨粒,研究出PS-SiO2核壳结构的形成条件,分析新型抛光液体系中各颗粒含量、pH值等因素对Cu抛光效果的影响,通过X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)等手段探讨其中的抛光机制和颗粒残留等问题。结果表明:较之PS、SiO2颗粒抛光液,复合颗粒抛光液抛光Cu后,获得更大的去除和更好的表面质量,且与抛光过程中摩擦因数的关系相符合。 展开更多
关键词 化学机械抛光 聚苯乙烯颗粒 二氧化硅颗粒 铜
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