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低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究
被引量：
7
1
作者
郑伟艳
刘玉岭
+4 位作者
王辰伟
串利伟
魏文浩
岳红维
曹冠龙
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期3472-3474,共3页
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.3...
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
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关键词
低压
碱性
铜
布线
化学
机械
平坦
化
高低差
速率
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职称材料
铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响
被引量：
2
2
作者
尹康达
王胜利
+3 位作者
刘玉岭
王辰伟
岳红维
郑伟艳
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期768-771,共4页
随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反...
随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究晶圆表面温度与质量传递之间的关系,给出了调整CMP均匀性的方法。研究结果表明,环境温度为24℃,工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2),背压为93 mdaN/cm2时,片内非均匀性为3.28%,抛光速率为709.8 nm/min,满足工业应用要求。
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关键词
温度
质量传递
均匀性
铜化学机械平坦化
去除速率分布
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职称材料
题名
低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究
被引量：
7
1
作者
郑伟艳
刘玉岭
王辰伟
串利伟
魏文浩
岳红维
曹冠龙
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第24期3472-3474,共3页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
文摘
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
关键词
低压
碱性
铜
布线
化学
机械
平坦
化
高低差
速率
Keywords
low down pressure
alkaline slurry
copper pattern wafer CMP
step height
removal rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响
被引量：
2
2
作者
尹康达
王胜利
刘玉岭
王辰伟
岳红维
郑伟艳
机构
河北工业大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期768-771,共4页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02308)
文摘
随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究晶圆表面温度与质量传递之间的关系,给出了调整CMP均匀性的方法。研究结果表明,环境温度为24℃,工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2),背压为93 mdaN/cm2时,片内非均匀性为3.28%,抛光速率为709.8 nm/min,满足工业应用要求。
关键词
温度
质量传递
均匀性
铜化学机械平坦化
去除速率分布
Keywords
temperature
mass transfer
uniformity
copper chemical mechanical planarization
removal rate profile
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究
郑伟艳
刘玉岭
王辰伟
串利伟
魏文浩
岳红维
曹冠龙
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响
尹康达
王胜利
刘玉岭
王辰伟
岳红维
郑伟艳
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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