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在双镶嵌铜互联中0.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术
1
作者
PrabuGopalraja SurajRengarajan 等
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期42-46,共5页
关键词
半导体制备工艺
双镶嵌
铜互联
0.13微米器件
PVD
ALD
阻挡层
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职称材料
铜互连兆声清洗中结构损伤预测的有限元分析
2
作者
黄雅婷
孟春玲
+1 位作者
董秀萍
路新春
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期2064-2070,共7页
尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结...
尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结构在兆声清洗过程中的应力分布及变形。基于ABAQUS软件,采用二维有限元模型对循环布线图形当中的一个典型元胞在空化气泡破裂冲击下的应力应变进行分析,并讨论了它的破坏形式和破坏规律。结果表明,最大应力集中在铜及low-k材料键合处将导致low-k材料分层。当线宽为22nm时,应力和结构变形达最大值,分别为1 379MPa和3.074nm;之后随线宽增加最大应力应变值均减小。另外,兆声频率增大不改变应力应变分布规律,对应力应变极值影响亦不明显。分析及预测结果与工业实践得到的结果相符。
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关键词
化学机械抛光
兆声清洗
铜互联
有限元分析
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职称材料
题名
在双镶嵌铜互联中0.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术
1
作者
PrabuGopalraja SurajRengarajan 等
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第4期42-46,共5页
关键词
半导体制备工艺
双镶嵌
铜互联
0.13微米器件
PVD
ALD
阻挡层
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铜互连兆声清洗中结构损伤预测的有限元分析
2
作者
黄雅婷
孟春玲
董秀萍
路新春
机构
北京工商大学材料与机械工程学院
清华大学摩擦学国家重点实验室
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期2064-2070,共7页
基金
国家自然科学基金青年基金资助项目(No.51205006)
清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金资助项目(No.SKLTKF11A01)
+1 种基金
北京市委组织部优秀人才计划资助项目(No.2011D005003000006)
北京市教委重点资助项目(No.KZ201210011012)
文摘
尽管用于铜及低介电材料(low-k材料)互联加工的兆声清洗工艺可以提高纳米颗粒的去除率,但清洗过程中的声波能量会破坏微小器件结构从而导致器件功能失效。本文采用有限元分析法分析和预测了兆声波的破坏作用,研究了铜及low-k材料互联结构在兆声清洗过程中的应力分布及变形。基于ABAQUS软件,采用二维有限元模型对循环布线图形当中的一个典型元胞在空化气泡破裂冲击下的应力应变进行分析,并讨论了它的破坏形式和破坏规律。结果表明,最大应力集中在铜及low-k材料键合处将导致low-k材料分层。当线宽为22nm时,应力和结构变形达最大值,分别为1 379MPa和3.074nm;之后随线宽增加最大应力应变值均减小。另外,兆声频率增大不改变应力应变分布规律,对应力应变极值影响亦不明显。分析及预测结果与工业实践得到的结果相符。
关键词
化学机械抛光
兆声清洗
铜互联
有限元分析
Keywords
Post-chemical Mechanic Polishing(post-CMP)
megasonic cleaning
Cu interconnect
Fi-nite Element Method (FEM)
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
在双镶嵌铜互联中0.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术
PrabuGopalraja SurajRengarajan 等
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
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职称材料
2
铜互连兆声清洗中结构损伤预测的有限元分析
黄雅婷
孟春玲
董秀萍
路新春
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
已选择
0
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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