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组成对三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷结构和机电性能的影响 被引量：1
1
作者 黄新友 高春华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第6期9-12,共4页
研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是... 研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是改变机电性能的有效方法 ,它们的正确选择是得到所需综合性能压电陶瓷的关键之一。 展开更多
关键词 组成 三方/四方相 共存 铌锑锆钛酸铅压电陶瓷 结构 机电性能 影响 相界
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锆钛酸铅压电陶瓷的立体光刻增材制造工艺与电学性能研究
2
作者 朱凯峰 贺俊超 +3 位作者 龚小龙 刘凯 孙华君 史玉升 《硅酸盐通报》 北大核心 2025年第2期679-689,706,共12页
压电陶瓷是电子元器件中的重要材料,其个性化和复杂化制造对提高压电功能器件的性能具有重要意义。然而,由于陶瓷的高脆性和高硬度,传统成形工艺在制备复杂结构时面临较大挑战。增材制造基于逐层叠加原理,理论上可制备任意复杂结构,为... 压电陶瓷是电子元器件中的重要材料,其个性化和复杂化制造对提高压电功能器件的性能具有重要意义。然而,由于陶瓷的高脆性和高硬度,传统成形工艺在制备复杂结构时面临较大挑战。增材制造基于逐层叠加原理,理论上可制备任意复杂结构,为压电陶瓷复杂构件的制备提供了新方案。本文采用立体光刻(SLA)增材制造工艺,成功制备了锆钛酸铅(PZT)复杂结构压电陶瓷骨架,研究了浆料固含量对PZT陶瓷浆料流变性能,PZT陶瓷烧结体微观形貌、相对密度及电学性能的影响。结果表明,陶瓷固含量的增加有助于晶粒在高温下的生长以及坯体的致密化,但同时增加了浆料的表观黏度,降低了浆料的固化性能,不利于复杂结构PZT的制备。本研究制备了相对密度为98.26%、压电系数d_(33)为341 pC/N的PZT基陶瓷烧结体,为增材制造高性能压电陶瓷及其复合材料提供了参考。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅 增材制造 立体光刻 固含量 电学性能
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锆钛酸铅压电陶瓷低温烧结及其性能研究
3
作者 钟超 赵连仲 +2 位作者 李江 袁晰 张斗 《压电与声光》 北大核心 2024年第6期902-909,共8页
为降低锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的烧结温度,以Li_(2)CO_(3)-Bi_(2)O_(3)作为复合烧结助剂,采用固相反应法制备了PZT基压电陶瓷粉,系统地研究了烧结助剂Li_(2)CO_(3)-Bi_(2)O_(3)的掺杂量及烧结温度对PZT压电陶瓷相结构、微观形貌及电学性... 为降低锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷的烧结温度,以Li_(2)CO_(3)-Bi_(2)O_(3)作为复合烧结助剂,采用固相反应法制备了PZT基压电陶瓷粉,系统地研究了烧结助剂Li_(2)CO_(3)-Bi_(2)O_(3)的掺杂量及烧结温度对PZT压电陶瓷相结构、微观形貌及电学性能的影响。在Li_(2)CO_(3)-Bi_(2)O_(3)掺杂量(质量分数)为1.3%时,PZT压电陶瓷的烧结温度可由1250℃降低至900~950℃,具有较宽的烧结温度范围,同时陶瓷表现出优异的电学性能。烧结温度为900℃时,陶瓷的压电应变常数d_(33)达到最大值538 pC/N;烧结温度为950℃时,陶瓷的压电电压常数g_(33)达到最大值43.27 mVm/N。同时实现了陶瓷-电极低温共烧,共烧后的陶瓷片d_(33)可达530 pC/N。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅(PZT) 低温共烧 烧结助剂 烧结温度
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铌锑锆钛酸铅陶瓷极化过程的XRD研究 被引量：4
4
作者 黄新友 陆佩文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期19-23,共5页
用XRD研究了两相共存(三方与四方相)的铌锑锆钛酸铅陶瓷的极化过程与畴结构的关系。提出了从x-ray衍射强度变化定量测定四方与三方相共存的PZT陶瓷中90°畴转向率的方法。讨论了极化电场和90°畴转向率的关系。结果表明,当样品... 用XRD研究了两相共存(三方与四方相)的铌锑锆钛酸铅陶瓷的极化过程与畴结构的关系。提出了从x-ray衍射强度变化定量测定四方与三方相共存的PZT陶瓷中90°畴转向率的方法。讨论了极化电场和90°畴转向率的关系。结果表明,当样品的机电耦合系数达最大时,90°畴的转向率为41.4%。计算所得的样品中90°转向率与样品的宏观性能相一致。关键词:铌锑锆钛酸铅,陶瓷,极化,XRD。 展开更多
关键词 铌锑锆钛酸铅 陶瓷 极化 压电陶瓷
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四方相锆钛酸铅陶瓷制备及温度稳定性研究 被引量：1
5
作者 杨洋 侯育冬 +2 位作者 杜红亮 张阿梅 侯鸿平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期351-355,共5页
采用传统固相法制备了Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)陶瓷,通过调节锆钛摩尔比将其定位于四方区域以改善温度稳定性,并通过优化烧结温度改善电学性能。实验结果表明,当x=0.52时,体系处于四方区域,此时陶瓷的温度稳定性有所提升,在室温~300℃时... 采用传统固相法制备了Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)陶瓷,通过调节锆钛摩尔比将其定位于四方区域以改善温度稳定性,并通过优化烧结温度改善电学性能。实验结果表明,当x=0.52时,体系处于四方区域,此时陶瓷的温度稳定性有所提升,在室温~300℃时,d33变化率为±14.7%。在1250℃下烧结的Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)陶瓷具有最佳的电学性能:压电常数d_(33)=183 pC/N,居里温度TC=402℃,相对介电常数ε_(r)=1209。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅 四方相 温度稳定性 烧结温度
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铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷介电与压电性能的研究 被引量：11
6
作者 陈辛尘 王评初 +2 位作者 潘晓明 霍翠凤 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期109-113,共5页
用二步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３原料，并制成了纯钙钛矿结构压电陶瓷．研究了三方－四方相界附近组份（ｘ＝０．２５～０．４０）及工艺与性能的关系．结果表明，在ｘ＝０．３２～０．... 用二步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３原料，并制成了纯钙钛矿结构压电陶瓷．研究了三方－四方相界附近组份（ｘ＝０．２５～０．４０）及工艺与性能的关系．结果表明，在ｘ＝０．３２～０．３５间材料具有较大的介电常数，压电常数，耦合系数以及较低的品质因数．材料以１２００℃附近保温１５０ｍｉｎ为佳．材料性能表明，有希望成为新型压电陶瓷． 展开更多
关键词 铌镁酸铅 压电性 钛酸铅 陶瓷 介电
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锆钛酸铅压电陶瓷主动元件在航天自适应桁架结构中的应用 被引量：2
7
作者 段勇 何麟书 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期56-59,共4页
阐明了PZT压电材料的正、逆压电效应以及相应的压电作动器的机电耦合原理。针对航天自适应桁架结构的特点 ,运用PZT压电作动器进行了振动抑制实验并取得了良好的效果。
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 主动元件 航天结构 自适应桁架结构 结构振动
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镨掺杂对锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响
8
作者 王俐聪 孙清池 +2 位作者 高正虹 刘涛 孙琳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第1期30-32,共3页
用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量,镨含量为3%(摩尔比),制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明:与未掺杂PZT相比,掺镨后的PZT相界发生了移动... 用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量,镨含量为3%(摩尔比),制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明:与未掺杂PZT相比,掺镨后的PZT相界发生了移动,即移向了富锆的一端,其在锆钛比约为1.17～1.27之间;居里温度TC随锆钛比的增加而降低,在本研究的系统内,锆钛比最小和最大时分别为1.04和1.50,其相应的居里温度分别为330°C和278°C;压电系数d33、机电耦合系数kp及介电常数ε/ε0均在1.17处达最大值,d33=420pC/N,kp=0.53;极化前的ε/ε0达1400,极化后εT33/ε0达2000;介电损耗tanδ随锆钛比的增加呈上升趋势,而机械品质因数Qm大幅度下降,在锆钛比为1.17处达最小值75。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅 镨参杂 压电性能 介电性能
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添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响 被引量：1
9
作者 诸爱珍 《陶瓷学报》 CAS 2005年第4期265-268,共4页
对添加剂按电价进行了分类,讨论了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响,分析了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的原因。研究表明,各种添加剂的加入量都有一个适宜的范围。
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅二元系 添加剂
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锆钛酸铅钡弛豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究(英文)
10
作者 庄志强 伍建新 利华 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期52-56,共5页
研究了锆钛酸铅钡铁电陶瓷的横向场诱应变x2、偏压下的介电常数ε33、弹性柔顺系数SE11和平面机电耦合系数kp,并计算了等效压电常数d31.PBZT陶瓷的kp和d31值可由外加偏压控制.两个PBZT陶瓷组分室温kp值最大为0.45,|d31|值最大为180pC/N.
关键词 偏压 压电效应 锆钛酸铅钡 弛豫铁电陶瓷
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锆钛酸铅压电陶瓷的流延法制备及其性能 被引量：4
11
作者 张少峰 袁晰 +4 位作者 闫明洋 王晓宇 高峰 周科朝 张斗 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期326-332,共7页
流延法工艺具有工艺便捷、尺寸可调、成膜质量好等优势。采用流延法制备PZT压电陶瓷,通过扫描电子显微镜观察压电陶瓷微观形貌,通过准静态d33测量仪测试压电陶瓷的压电应变常数d33。探究粉末粒径以及流延工艺参数包括刮刀高度、流延速... 流延法工艺具有工艺便捷、尺寸可调、成膜质量好等优势。采用流延法制备PZT压电陶瓷,通过扫描电子显微镜观察压电陶瓷微观形貌,通过准静态d33测量仪测试压电陶瓷的压电应变常数d33。探究粉末粒径以及流延工艺参数包括刮刀高度、流延速度、热压压力等对PZT压电陶瓷性能的影响,获得的PZT压电陶瓷其压电应变常数d33最高可达454 pC/N,致密度最高可达97.68%。该方法适用于制备大尺寸压电器件。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 流延成型 致密度 压电应变常数
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铌镁酸铋钛酸铅压电陶瓷准同型相界附近的性能和相变温度研究 被引量：2
12
作者 洪琳 赵丽艳 +3 位作者 朱兴文 郑嘹赢 曾江涛 李国荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期735-740,共6页
利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分... 利用传统固相烧结法制备了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(BMN-PT)压电陶瓷,分析了不同PbTiO3含量对BMN-PT压电陶瓷的晶体结构、介电、压电及铁电性能的影响.XRD结果表明:合成的BMN-PT陶瓷具有纯钙钛矿结构,并且在PbTiO3含量为x=0.60时,其组分的XRD图谱在衍射角2θ=45°出现明显的分峰,说明该组分相结构中存在三方和四方相的共存.压电铁电性能显示,BMN-0.60PT有最大的压电常数d33(～170pC/N)和平面机电耦合系数kp(0.35),最小的矫顽场Ec(29.4 kV/cm)及最大的剩余极化Pr(31.4μC/cm2).确定了BMN-PT压电陶瓷的准同型相界(MPB)为PbTiO3含量x=0.60的组分.介电系数温谱表明介电系数峰值温度(Tm)随着PbTiO3含量的增大而升高,MPB组分的Tm约为276℃. 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌镁酸铋钛酸铅 准同型相界 相变温度
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锆钛酸铅压电陶瓷烧成用氧化铝陶瓷承烧板损坏机制探讨 被引量：1
13
作者 石棋 张优 周露亮 《耐火材料》 北大核心 2017年第6期426-429,433,共5页
为了研究锆钛酸铅压电陶瓷烧成用氧化铝陶瓷承烧板的损坏机制,对在锆钛酸铅压电陶瓷烧成中使用80次后的氧化铝陶瓷承烧板的显微结构和化学组成的变化进行了分析,探讨了氧化铝陶瓷承烧板被侵蚀的过程及发生翘曲、表面粉化、剥落的原因。... 为了研究锆钛酸铅压电陶瓷烧成用氧化铝陶瓷承烧板的损坏机制,对在锆钛酸铅压电陶瓷烧成中使用80次后的氧化铝陶瓷承烧板的显微结构和化学组成的变化进行了分析,探讨了氧化铝陶瓷承烧板被侵蚀的过程及发生翘曲、表面粉化、剥落的原因。研究认为:氧化铝陶瓷承烧板被锆钛酸铅组分侵蚀,是从其颗粒表面逐渐向颗粒内部深入的;碳化硅推板加速了氧化铝陶瓷承烧板的损坏。锆钛酸铅组分侵入以及承烧板底面生成玻璃相,两者共同作用,导致了氧化铝陶瓷承烧板中心凸起翘曲及表面层状粉化剥落。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 氧化铝陶瓷承烧板 损坏机制
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锆钛酸钡钙压电陶瓷的晶粒尺寸效应研究进展 被引量：6
14
作者 张钱伟 蔡苇 +2 位作者 何海峰 王凤起 徐瑞成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期2582-2587,共6页
锆钛酸钡钙无铅压电陶瓷具有可与锆钛酸铅媲美的压电性能,受到国内外广泛关注。晶粒尺寸是影响锆钛酸钡钙陶瓷电性能的重要因素,其晶粒尺寸效应已成为研究的热点。为此,综述了粉体制备方法、烧结方法、烧结温度和保温时间对锆钛酸钡钙... 锆钛酸钡钙无铅压电陶瓷具有可与锆钛酸铅媲美的压电性能,受到国内外广泛关注。晶粒尺寸是影响锆钛酸钡钙陶瓷电性能的重要因素,其晶粒尺寸效应已成为研究的热点。为此,综述了粉体制备方法、烧结方法、烧结温度和保温时间对锆钛酸钡钙陶瓷的晶粒尺寸及其电性能的影响,并提出了研究中亟待解决的问题。 展开更多
关键词 锆钛酸钡钙 无铅压电陶瓷 晶粒尺寸
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铌酸钾钠基无铅压电陶瓷纵振换能器 被引量：2
15
作者 张秀侦 吴超峰 +2 位作者 姚方周 王轲 柴勇 《应用声学》 CSCD 北大核心 2023年第4期674-682,共9页
高性能环境友好型无铅压电陶瓷及其应用是当前压电材料研究的热点之一。为了探究其在水声换能器领域的应用潜力,该文对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷和锆钛酸铅压电陶瓷纵振式换能器进行了对比研究。依据仿真结果优化结构尺寸,制作了两种换能... 高性能环境友好型无铅压电陶瓷及其应用是当前压电材料研究的热点之一。为了探究其在水声换能器领域的应用潜力,该文对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷和锆钛酸铅压电陶瓷纵振式换能器进行了对比研究。依据仿真结果优化结构尺寸,制作了两种换能器样机并测试了其在空气中和水中的电声性能。测试结果表明,铌酸钾钠基无铅压电陶瓷换能器的谐振频率为35 kHz,最大发送电压响应为151 dB,声源级可达190 dB,在26-67 kHz的频率范围内发送电压响应的起伏不超过-4:5 dB,谐振频率处-3 dB的指向性开角约为76◦。该无铅压电陶瓷换能器具有和锆钛酸铅压电陶瓷换能器相当的发射性能,有望推动无铅压电材料在水声换能器领域的应用进程。 展开更多
关键词 铌酸钾钠 无铅压电陶瓷 锆钛酸铅 换能器
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锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性 被引量：27
16
作者 成国祥 沈锋 +4 位作者 卢涛 万怡灶 孙清池 刘静 姚康德 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期133-135,共3页
以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０... 以锆钛酸铅（ＰＺＴ）压电陶瓷微粒为填料，分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得ＰＺＴ／高分子（ＰＺＴ／Ｐ）复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明，在声频３７５～２０００Ｈｚ范围内，在聚合物中加入ＰＺＴ微粒并使其极化产生压电性，可使其吸声性能增加。动态粘弹实验结果表明。 展开更多
关键词 PZT 高分子复合膜 吸声特性 锆钛酸铅 压电陶瓷
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无铅压电陶瓷的研究进展 被引量：22
17
作者 刘文凤 周超 +4 位作者 高景辉 薛德帧 张立学 李盛涛 任晓兵 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期423-428,441,共6页
压电陶瓷已被广泛应用于航空航天、舰艇声纳、高速列车、汽车、精密仪器控制、移动通讯、办公及家用电子产品等领域,在全球已经形成了每年近百亿美元的巨大市场。然而,目前压电产业主力产品为对人体及环境有害的锆钛酸铅(PZT)陶瓷。随... 压电陶瓷已被广泛应用于航空航天、舰艇声纳、高速列车、汽车、精密仪器控制、移动通讯、办公及家用电子产品等领域,在全球已经形成了每年近百亿美元的巨大市场。然而,目前压电产业主力产品为对人体及环境有害的锆钛酸铅(PZT)陶瓷。随着国际上对电子产品中使用含铅等有害材料的限制愈来愈严格,拥有巨大市场的压电陶瓷的无铅化已成为摆在全球面前的紧迫任务。准同相界(MPB)是获得高压电性能的关键所在,现已开展了大量的研究工作,旨在揭示MPB的物理本质并基于MPB原理获得具有大压电效应及电致应变的环境友好型压电陶瓷。综述了3类性能最优的无铅压电材料体系:钛酸钡基(BT)、铌酸钾钠基(KNN)和钛酸铋钠基(BNT)陶瓷,包括近年来在压电理论及实验方面的代表性研究进展。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 铌酸钠钾基 钛酸钡基 钛酸铋钠基 准同型相界
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三大无铅压电陶瓷体系的最新研究进展 被引量：19
18
作者 沈宗洋 李月明 +1 位作者 王竹梅 廖润华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期309-315,共7页
铌酸钾钠((K,Na)NbO3,KNN)系、钛酸铋钠((Bi,Na)TiO3,BNT)系以及锆钛酸钡(Ba(Zr,Ti)O3,BZT)系压电陶瓷是目前研究最广泛的三大无铅压电陶瓷体系。本文主要综述了上述三大无铅压电陶瓷体系在性能增强研究方面的最新进展,并对其未来的发... 铌酸钾钠((K,Na)NbO3,KNN)系、钛酸铋钠((Bi,Na)TiO3,BNT)系以及锆钛酸钡(Ba(Zr,Ti)O3,BZT)系压电陶瓷是目前研究最广泛的三大无铅压电陶瓷体系。本文主要综述了上述三大无铅压电陶瓷体系在性能增强研究方面的最新进展,并对其未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 铌酸钾钠 钛酸铋钠 锆钛酸钡
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BaZrO3掺杂对(K0.49Na0.51)0.98Li0.02(Nb0.77Ta0.18Sb0.05)O3无铅压电陶瓷的结构与电性能的影响 被引量：4
19
作者 李月明 肖祖贵 +4 位作者 沈宗洋 王竹梅 洪燕 潘铁政 吴芬 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期629-634,共6页
采用固相反应法制备了（K0.49Na0.51）0.98Li0.02（Nb0.77Ta0.18Sb0.05）O3-xBaZrO3（NKNLST-xBZ,x=0~0.020 mol）无铅压电陶瓷,系统研究了BaZrO3的掺杂量对陶瓷的压电、介电、机电和铁电性能的影响。结果表明：随着BaZrO3掺杂量x的增加... 采用固相反应法制备了（K0.49Na0.51）0.98Li0.02（Nb0.77Ta0.18Sb0.05）O3-xBaZrO3（NKNLST-xBZ,x=0~0.020 mol）无铅压电陶瓷,系统研究了BaZrO3的掺杂量对陶瓷的压电、介电、机电和铁电性能的影响。结果表明：随着BaZrO3掺杂量x的增加,陶瓷的晶体结构由正交相向四方相转变,在x=0.005~0.008区间出现正交相与四方相两相共存的区域,在此区域内陶瓷的晶粒变得细小且均匀,介电损耗tanδ大幅降低,压电常数d33和平面机电耦合系数kp增加。该体系陶瓷的介电常数ε33T/ε0则随着BaZrO3的增加持续增加,相变温度则向低温方向移动。当x=0.005时,该组成陶瓷具有最佳的综合性能：压电常数d33=372 pC/N,平面机电耦合系数kp=47.2%,介电损耗tanδ=3.1%,以及较高的介电常数ε33T/ε0=1470和居里温度Tc=208℃。 展开更多
关键词 铌酸钾钠 锆酸钡 无铅压电陶瓷 钙钛矿
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钙钛矿型无铅压电陶瓷研究进展及今后发展思考 被引量：21
20
作者 肖定全 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期58-67,共10页
高性能压电陶瓷具有战略的至关重要性和实际的不可替代性;高性能无铅压电陶瓷具有重大社会经济意义,已成为国际高技术新材料研究的前沿和热点之一。本文作者及其课题组,十多年来致力于钙钛矿型无铅压电陶瓷,特别是(Bi1/2Na1/2)TiO3(BNT)... 高性能压电陶瓷具有战略的至关重要性和实际的不可替代性;高性能无铅压电陶瓷具有重大社会经济意义,已成为国际高技术新材料研究的前沿和热点之一。本文作者及其课题组,十多年来致力于钙钛矿型无铅压电陶瓷,特别是(Bi1/2Na1/2)TiO3(BNT)和(K1/2Na1/2)NbO3(KNN)基无铅压电陶瓷及其应用的研究。本文主要基于作者课题组的研究,综合介绍BNT和KNN基无铅压电陶瓷的组分设计、相界结构及其与材料特性的关联、掺杂对陶瓷性质的影响及其机理、陶瓷的温度稳定性及影响机理、以及陶瓷合成制备新技术等方面的研究进展;概括总结了无铅压电陶瓷在器件上的应用。结合国际发展趋势,对钙钛矿型无铅压电陶瓷今后的研究和发展方向提出了自己的见解。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钙钛矿 碱金属铌酸盐(KNN) 钛酸铋纳(BNT) 制备技术
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