铌锰锆钛酸铅压电陶瓷烧结行为的研究 被引量：3

1

作者 李宝山 朱志刚 +2 位作者 李国荣 殷庆瑞 丁爱丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期993-999,共7页

运用XRD、SEM、TEM、XPS等实验手段,研究了烧结温度对0.05PMnN-0.95PZT (PMnN—PZT)压电陶瓷微观结构、压电性能及锰元素价态的影响.实验结果显示:随烧结温度的降低平均晶粒尺寸减小,四方度也随之减小;机电耦合系数(kp)随烧结温度的升... 运用XRD、SEM、TEM、XPS等实验手段,研究了烧结温度对0.05PMnN-0.95PZT (PMnN—PZT)压电陶瓷微观结构、压电性能及锰元素价态的影响.实验结果显示:随烧结温度的降低平均晶粒尺寸减小,四方度也随之减小;机电耦合系数(kp)随烧结温度的升高而提高, 而机械品质因子(Qm)却呈波浪状变化. XPS及TEM实验分析证明:PMnN—PZT陶瓷在烧结过程中出现明显的液相烧结和成分偏离,低温烧结诱导了Mn2+的出现,产生更多的氧空位,从而使低温烧结下的样品Qm值不致降低. 展开更多

关键词 铌锰锆钛酸铅 烧结温度 锰价态 氧空位

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组成对三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷结构和机电性能的影响 被引量：1

2

作者 黄新友 高春华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第6期9-12,共4页

研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是... 研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是改变机电性能的有效方法 ,它们的正确选择是得到所需综合性能压电陶瓷的关键之一。 展开更多

关键词 组成 三方/四方相 共存 铌锑锆钛酸铅压电陶瓷 结构 机电性能 影响 相界

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铌锑锆钛酸铅陶瓷极化过程的XRD研究 被引量：4

3

作者 黄新友 陆佩文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期19-23,共5页

用XRD研究了两相共存(三方与四方相)的铌锑锆钛酸铅陶瓷的极化过程与畴结构的关系。提出了从x-ray衍射强度变化定量测定四方与三方相共存的PZT陶瓷中90°畴转向率的方法。讨论了极化电场和90°畴转向率的关系。结果表明,当样品... 用XRD研究了两相共存(三方与四方相)的铌锑锆钛酸铅陶瓷的极化过程与畴结构的关系。提出了从x-ray衍射强度变化定量测定四方与三方相共存的PZT陶瓷中90°畴转向率的方法。讨论了极化电场和90°畴转向率的关系。结果表明,当样品的机电耦合系数达最大时,90°畴的转向率为41.4%。计算所得的样品中90°转向率与样品的宏观性能相一致。关键词:铌锑锆钛酸铅,陶瓷,极化,XRD。 展开更多

关键词 铌锑锆钛酸铅 陶瓷 极化 压电陶瓷

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溶胶-凝胶法制备LaNiO_3薄膜及其电学性能研究 被引量：3

4

作者 赵全亮 祁利辉 +3 位作者 李中翔 何广平 狄杰建 王大伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1582-1585,共4页

采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3薄膜,并通过改变退火温度和薄膜厚度对其微结构和电学性能进行了表征测试。X射线衍射(XRD)和电阻率测试结果表明,随着退火温度和厚度的增加,LaNiO3薄膜的结晶质量明显提高,薄膜电阻率也逐渐... 采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备了LaNiO3薄膜,并通过改变退火温度和薄膜厚度对其微结构和电学性能进行了表征测试。X射线衍射(XRD)和电阻率测试结果表明,随着退火温度和厚度的增加,LaNiO3薄膜的结晶质量明显提高,薄膜电阻率也逐渐下降。当退火温度为800℃时,厚度为630nm的LaNiO3薄膜电阻率最小,达到了1.37mΩ·cm。此外,利用LaNiO3薄膜作为下电极制备的2%Nb-Pb(Zr0.6Ti0.4)O3薄膜呈良好的钙钛矿相结构,且经过1010铁电循环测试周期以后,2%Nb-Pb(Zr0.6Ti0.4)O3薄膜的铁电性能未出现明显下降,表明该LaNiO3薄膜是生长PNZT铁电薄膜的优良下电极材料。 展开更多

关键词 镍酸镧 电学性能 溶胶-凝胶 铌锆钛酸铅

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硅基(001)取向Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的制备及其铁电性能研究 被引量：1

5

作者 张程浩 狄杰建 +4 位作者 谭培培 李明勇 赵全亮 谭晓兰 王大伟 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期2056-2060,共5页

采用磁控溅射法在LaNiO_3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-94%Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究。结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98%。经过10^(10)次铁电循... 采用磁控溅射法在LaNiO_3/Si衬底上制备了6%Pb(Mn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-94%Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究。结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98%。经过10^(10)次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在10~4s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化。该结果说明LaNiO_3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能。 展开更多

关键词 锰铌锆钛酸铅 镍酸镧 铁电性能 磁控溅射

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PANI-PMN/环氧树脂复合材料的制备 被引量：4

6

作者 石敏先 黄志雄 杨国瑞 《合成树脂及塑料》 CAS 北大核心 2009年第2期31-33,共3页

用自制的聚苯胺(PANI)包覆铌镁锆钛酸铅(PMN)粉末为功能相,以环氧树脂为基体,制备了PANI- PMN/环氧树脂复合材料。当w(PANI-PMN)小于60%时,随w(PANI-PMN)的增大复合材料的压缩强度有所提高。当w(PANI-PMN)大于60%时,压缩强度降低。随着w... 用自制的聚苯胺(PANI)包覆铌镁锆钛酸铅(PMN)粉末为功能相,以环氧树脂为基体,制备了PANI- PMN/环氧树脂复合材料。当w(PANI-PMN)小于60%时,随w(PANI-PMN)的增大复合材料的压缩强度有所提高。当w(PANI-PMN)大于60%时,压缩强度降低。随着w(PANI-PMN)的提高,试样的电导率增大。PANI包覆PMN制备的复合材料的阻尼损耗因子提高。在PANI-PMN/环氧树脂复合材料中,除环氧树脂的黏弹性阻尼、填料与基体的相互作用耗能外,还存在压电阻尼作用,并且具有一定电导率的体系有利于压电阻尼发挥作用。 展开更多

关键词 环氧树脂 铌镁锆钛酸铅 聚苯胺 压电阻尼复合材料 阻尼性能

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陶瓷粒径对PMN/EP复合材料结构与性能的影响 被引量：2

7

作者 石敏先 黄志雄 何慧敏 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期87-89,93,共4页

以压电陶瓷铌镁锆钛酸铅(PMN)为功能相、环氧树脂(EP)为基体,采用树脂浇注成型方法制备了PMN/EP复合材料,研究了陶瓷粒径大小对复合材料结构与性能的影响。扫描电镜(SEM)分析表明,用大颗粒的粉料B(74μm～100μm)制备的复合材料中PMN颗... 以压电陶瓷铌镁锆钛酸铅(PMN)为功能相、环氧树脂(EP)为基体,采用树脂浇注成型方法制备了PMN/EP复合材料,研究了陶瓷粒径大小对复合材料结构与性能的影响。扫描电镜(SEM)分析表明,用大颗粒的粉料B(74μm～100μm)制备的复合材料中PMN颗粒之间出现"头碰头"或"肩并肩"的连接方式;而用粒径较小的粉料E(7μm～35μm)制备的复合材料,大部分以0-3型结构均匀分散在环氧树脂基体中。力学分析表明,随粒径的减小,PMN/EP复合材料的弯曲强度增大。随陶瓷颗粒粒径减小,复合材料的损耗因子最大值tanδmax增大;粉料E制备的复合材料具有较高的损耗因子,其tanδmax最大为0.724;随陶瓷颗粒继续减小,tanδmax有所降低,但阻尼温域拓宽,损耗面积TA相应增大。 展开更多

关键词 铌镁锆钛酸铅 环氧树脂 陶瓷粒径 显微结构

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五元系PZN-PSN-PMS-PZT压电陶瓷的研究 被引量：8

8

作者 孙琳 孙清池 胜鹏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期35-38,共4页

对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条... 对PZN-PSN-PMS-PZT五元系压电陶瓷的烧结温度(1200～1280°C)、Zr/Ti与性能的关系以及部分Sr2+、Ba2+取代Pb2+对材料性能的影响进行了研究。实验结果表明:当Zr/Ti=0.455/0.435,掺Sr2+、Ba2+(摩尔分数均为2%)时,在1260°C,2h条件下烧结,样品的品质因数Qm为1671;介电常数εTr3为1294;压电常数d33为285pC·N-1;介质损耗tanδ为0.004;机电耦合系数kp为0.522;居里温度TC为295°C;矫顽场强Ec为19kV·cm-1,显示出该五元系具有很大的应用价值和发展潜力。 展开更多

关键词 压电陶瓷 铌锌-铌锡-锑锰-锆钛酸铅 锶、钡取代 电滞回线

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低频窄带压电陶瓷滤波器材料的研究 被引量：1

9

作者 蹇胜勇 杨莉 +1 位作者 刘光聪 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第2期199-201,共3页

采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到... 采用传统的压电陶瓷制备方法,研究锆钛比(r(Zr/Ti)、掺杂、烧成工艺对低频窄带Pb(Zn1/3Nb2/3)x(Sn1/3Nb2/3)yTiAZrBO3四元系压电陶瓷性能的影响,并研究压电振子的杂波抑制方法。结果表明,r(Zr/Ti)为0.71,w(MnO2)=0.5%时,材料的性能达到最佳:机械品质因数Qm=2 600,机电耦合系数k15=0.43,频率温度系数τf=29×10-6/℃;倒去振子两对角的棱角,可以有效地抑制低频厚度切变振动模式的杂波。 展开更多

关键词 铌锌-铌锡-锆钛酸铅压电陶瓷 厚度切变振动 低频窄带

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Nb_2O_5掺杂对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbZrO_3-PbTiO_3陶瓷组织与性能的影响 被引量：2

10

作者 宁海霞 侯现博 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期2352-2357,共6页

采用固相烧结法制备Nb2O5掺杂的Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbZrO3-PbTiO3＋0.5mol%ZnO（PMN-PZT）压电陶瓷,研究了不同Nb2O5掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,随着Nb2O5掺杂量的增加（0～1mol%）,PMN-PZT陶瓷的晶界强度提... 采用固相烧结法制备Nb2O5掺杂的Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbZrO3-PbTiO3＋0.5mol%ZnO（PMN-PZT）压电陶瓷,研究了不同Nb2O5掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,随着Nb2O5掺杂量的增加（0～1mol%）,PMN-PZT陶瓷的晶界强度提高,断裂模式由沿晶断裂逐渐转变为穿晶断裂,而且陶瓷的压电介电性能升高。当Nb2O5掺杂量为1mol%时,1250℃烧结的陶瓷样品性能参数为：d33=430 pC/N,Qm=60,kp=0.52,kt=0.38,εr=3620,tanδ=0.017。 展开更多

关键词 固相烧结 铌镁-锆钛酸铅 NB2O5 断裂模式 晶界强度

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MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响 被引量：2

11

作者 蒋红霞 周桃生 +2 位作者 彭绯 尚勋忠 余祖高 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期356-359,共4页

采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降... 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。 展开更多

关键词 压电陶瓷 铌镁-铌锰-锆钛酸铅 MgO掺杂 压电介电性能

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不同纯度Ni_2O_3对PNN-PZT压电陶瓷制备的影响 被引量：2

12

作者 彭贵贵 郑德一 胡顺敏 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期663-666,670,共5页

通过氧化粉末固相烧结法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)x(ZryTiz)(1-x)O3(PNN-PZT)压电陶瓷。通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)对陶瓷的相组成及显微组织进行相关分析。实验结果发现,当其他实验条件完全相同时,分别用不同纯度的Ni_2O_3药品A和... 通过氧化粉末固相烧结法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)x(ZryTiz)(1-x)O3(PNN-PZT)压电陶瓷。通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)对陶瓷的相组成及显微组织进行相关分析。实验结果发现,当其他实验条件完全相同时,分别用不同纯度的Ni_2O_3药品A和B制备出的陶瓷具有明显的性能差异。使用Ni_2O_3药品A制备的陶瓷的电学性能较佳,其压电常数d33=680pC/N,机电耦合系数kp=0.62,εr=7 200,介电损耗tanδ=0.023;而使用Ni_2O_3药品B制备的陶瓷样品的电学性能较差,其d33=430pC/N,kp=0.50,εr=8 530,tanδ=0.054。 展开更多

关键词 铌镍锆钛酸铅 化学纯Ni2O3 分析纯Ni2O3 准同型相界

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成型工艺对PMN-PMS-PZT热释电陶瓷性能的影响

13

作者 卢琳 刘耀平 +1 位作者 王立平 姜胜林 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期422-424,共3页

采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅（PMN—PMS-PZT）陶瓷，并进行对比研究。实验结果表明，冷等静压成型的陶瓷综合性能较好，其具有均匀紧凑的晶粒结构，可得到较高的成瓷密度；使材料的介电... 采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅（PMN—PMS-PZT）陶瓷，并进行对比研究。实验结果表明，冷等静压成型的陶瓷综合性能较好，其具有均匀紧凑的晶粒结构，可得到较高的成瓷密度；使材料的介电常数εr，和介电损耗tanδ降低，在保持较高热释电系数p的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相（FRL—FRH）的相变温度，并使热释电系数峰值得到稳定。其最佳性能为室温时，εr=216，tanδ=0．20％，p=12．0×10^-4C／m^2·℃（持续温区为23-55℃），探测率优值FD=24．6×10^-5Pa^-1/2。 展开更多

关键词 铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN—PMS-PZT) 成型工艺 介电性能 热释电性能

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