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题名一种并行多路薄膜铌酸锂电光调制器
被引量：2
- 1
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作者
杨鹏毅
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机构
中国电子科技集团公司第四十三研究所微系统安徽省重点实验室
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出处
《光通信研究》
北大核心
2024年第6期85-89,共5页
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文摘
【目的】为了解决现有电光调制器体积大、集成度低和带宽小等技术问题,文章提出了一种并行多路薄膜铌酸锂电光调制器的设计方法,给出了薄膜铌酸锂电光调制器设计原理并分析了微波光传输链路增益和噪声系数指标。【方法】文章通过Lumerical Interconnect光学仿真软件,给出了微波光传输链路的仿真模型,分析研究了调制器半波电压对链路增益和噪声系数指标的影响,并对40 GHz 4路集成薄膜铌酸锂电光调制器的核心指标进行了测试。【结果】文章设计的4路集成薄膜铌酸锂电光调制器的插入损耗、半波电压、3 dB带宽和产品尺寸分别为4.5 dB、3.5 V、40 GHz和30 mm×20 mm×10 mm。使用薄膜铌酸锂电光调制器的微波光传输链路噪声系数约为30 dB。【结论】文章所提4路集成薄膜铌酸锂电光调制器比传统铌酸锂电光调制器性能更为优越。
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关键词
薄膜铌酸锂
电光调制器
并行多路
微波光传输
微波光子
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Keywords
thin film Lithium niobate
electro-optic modulator
parallel multi-channel
microwave optical transmission
microwave photon
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分类号
TN256
[电子电信—物理电子学]
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题名低半波电压铌酸锂薄膜电光调制器仿真与分析
- 2
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作者
王生水
魏朝阳
姜晨
高睿
万欣
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机构
上海理工大学机械工程学院
中国科学院上海光学精密机械研究所
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出处
《上海理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期452-459,共8页
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文摘
针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题,采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析,并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明:两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布,最小波导耦合长度随耦合间距的增大而增大。在调制臂长度为2 cm,光波长为1550 nm时,仿真计算的半波电压值Vπ为0.9 V,半波电压长度积为1.8 V·cm,消光比达到26 dB。通过调制臂截面分析,得到静电场分量Ex,电位移矢量Dx,以及光模分布,并计算出电光重叠积分因子Γ为0.586。基于上述仿真结果,与以往现有的电光调制器的半波电压(1.4~10.2 V)相比,经优化后的电光调制器的半波电压更低,进而使器件的功耗更低,有利于大规模光电集成。
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关键词
半波电压
铌酸锂薄膜
电光调制器
有限元法
方向耦合器
光波导
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Keywords
half-wave voltage
lithium niobate thin film
electro-optical modulator
finite element method
directional coupler
optical waveguide
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分类号
TN256
[电子电信—物理电子学]
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题名一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器
被引量：2
- 3
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作者
杨鹏毅
李韬
姚宗影
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机构
中国电子科技集团公司第四十三研究所
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出处
《光通信技术》
2023年第1期73-76,共4页
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文摘
针对传统铌酸锂电光调制器体积大、带宽小等技术问题,提出了一种基于薄膜铌酸锂调制器芯片的新型电光调制器的设计方法,给出了薄膜铌酸锂电光调制器高频传输仿真模型,详细介绍了薄膜铌酸锂电光调制器的高频信号馈入设计、过渡薄膜基板高频阻抗匹配设计,并测试了40 GHz小尺寸薄膜铌酸锂电光调制器的核心指标。测试结果表明:设计的薄膜铌酸锂电光调制器插入损耗、半波电压、3 dB带宽、产品尺寸分别为4.1 dB、3.9 V、40 GHz、30 mm×10 mm×5 mm,比传统铌酸锂电光调制器性能优越。
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关键词
薄膜铌酸锂
电光调制器
光传输
微波光子
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Keywords
thin film lithium niobate
electro-optic modulator
optical transmission
microwave photonic
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分类号
TN15
[电子电信—物理电子学]
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题名低损耗薄膜铌酸锂光集成器件的研究进展
被引量：1
- 4
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作者
林锦添
高仁宏
管江林
黎春桃
姚妮
程亚
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机构
中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室
华东师范大学物理与电子科学学院
华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室
之江实验室智能感知研究院
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第3期372-394,共23页
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基金
国家重点研发计划(2019YFA0705000)
国家自然科学基金(62122079,12192251,62235019,12334014,12134001,12104159,11933005)。
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文摘
近年来得益于薄膜铌酸锂晶圆离子切片技术和低损耗微纳刻蚀工艺的飞速发展,薄膜铌酸锂光集成结构提供了光场紧束缚、快速电光调谐、高效频率转换和声光转换的空前能力,各种高性能的薄膜铌酸锂光集成器件不断涌现,且朝着大规模光集成芯片的方向迅猛发展,为高速信息处理、精密测量、量子信息、人工智能等重要应用提供了全新的发展动力。本文主要围绕铌酸锂晶体发展历史、薄膜铌酸锂离子切片技术发展历程、极低损耗微纳刻蚀技术演化进程,以及高性能的薄膜铌酸锂光集成器件进展进行总结,并展望了未来的发展趋势。
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关键词
薄膜铌酸锂
微纳加工
光集成器件
非线性光学
电光调制器
光频梳
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Keywords
thin-film lithium niobate
nanofabrication
photonic integrated device
nonlinear photonics
electro-optical modulator
frequency comb generation
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分类号
O734
[理学—晶体学]
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题名铌酸锂薄膜调制器的研究进展
被引量：9
- 5
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作者
刘海锋
郭宏杰
谭满清
李智勇
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机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
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出处
《中国光学》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第1期1-13,共13页
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基金
国家重点研发计划(No.2019YFB2203802)
国家自然科学基金资助项目(No.61934007)。
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文摘
铌酸锂薄膜调制器具有体积小、带宽高、半波电压低的优点,在光纤通讯和光纤传感领域具有重要应用价值,是近年来的研究热点。本文梳理了铌酸锂薄膜调制器的波导结构、耦合结构、电极结构的研究进展,总结了LN薄膜波导的制备工艺,并深入分析了不同结构调制器的性能。基于SOI和LNOI结构,薄膜调制器实现了V_(π)L<2 V∙cm,双锥形耦合方案实现了耦合损耗<0.5 dB/facet,行波电极结构实现了调制带宽>100 GHz。铌酸锂薄膜调制器的性能在大多数方面优于目前商用铌酸锂调制器,随着波导工艺进一步提升,将成为铌酸锂调制器的热门方案。最后对铌酸锂薄膜调制器的发展趋势和应用前景进行了展望。
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关键词
铌酸锂薄膜
lnoi
电光调制器
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Keywords
lithium niobate thin-film
lnoi
electro-optic modulator
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分类号
TN29
[电子电信—物理电子学]
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题名铌酸锂横向电光调制器
- 6
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作者
方正
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机构
上海激光所三室电光组
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出处
《四川激光》
1981年第A02期122-122,共1页
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文摘
本文介绍了铌酸锂电光调制器的设计和实验结果，由于考虑了适当的结构及加工工艺，因而获得了低驱动电压和高消光比的优良特性。在1．5毫瓦、1．5毫弧度发散角的He-Ne激光下测试，单晶片铌酸锂调制器的半波电压为360伏，消光比达800：1；双晶片铌酸锂调制器的半波电压为180伏，消光比达500：1。
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关键词
铌酸锂电光调制器
铌酸锂调制器
HE-NE激光
半波电压
低驱动电压
消光比
加工工艺
优良特性
发散角
单晶片
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分类号
TN761
[电子电信—电路与系统]
TN252
[电子电信—物理电子学]
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题名集成铌酸锂光子器件技术的研究进展
被引量：4
- 7
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作者
张涛
何杰
胡少勤
许昕
张玉蕾
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机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
中国电子科技集团公司第四十四研究所
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出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第6期837-842,共6页
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文摘
铌酸锂单晶薄膜(LNOI)具有透光光谱宽,折射率高,二阶非线性高及压电响应大等优点,是一种重要的集成光子学基础材料。LNOI材料具有亚波长尺度的光约束和光电器件的高密度集成能力,能够实现具有更高性能、更低成本的全新器件及应用,给光通信和微波光子学带来革命性的变革。该文重点综述了LNOI的制备技术、LNOI电光调制器、LNOI声光调制器和LNOI电光频率梳的最新研究进展,简要讨论了铌酸锂光子器件在制作工艺和系统实现中面临的挑战。
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关键词
绝缘体上铌酸锂
集成光子器件
铌酸锂单晶薄膜(lnoi)电光调制器
铌酸锂单晶薄膜(lnoi)声光调制器
铌酸锂单晶薄膜(lnoi)光学频率梳
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Keywords
lithium niobate(LiNbO3)on insulator(lnoi)
integrated photonic device
lnoi electro-optic modulator
lnoiacousto-opticmodulator
lnoielectro-opticfrequencycomb
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分类号
TM282
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN2
[电子电信—物理电子学]
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