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Pt(111)单晶电极上乙二醇解离吸附反应动力学 被引量:2
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作者 樊友军 范纯洁 +2 位作者 甄春花 陈声培 孙世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期382-385,共4页
运用电化学循环伏安和程序电位阶跃方法研究了乙二醇在Pt(111)单晶电板上的解离吸附过程,动力学研究的定量结果指出,乙二醇解离吸附反应的平均速率v随电极电位变化呈火山型分布,其最大值在0.10V(vsSCE)附近.测得在含2×10-3mol·... 运用电化学循环伏安和程序电位阶跃方法研究了乙二醇在Pt(111)单晶电板上的解离吸附过程,动力学研究的定量结果指出,乙二醇解离吸附反应的平均速率v随电极电位变化呈火山型分布,其最大值在0.10V(vsSCE)附近.测得在含2×10-3mol·L-1乙二醇的溶液中,最大初始解离速率V1为4.35×10-12mol·cm-2·S-1. 展开更多
关键词 (111)单晶电极 乙二醇 解离吸附 反应动力学 电化学循环伏安法 程序电位阶跃法
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铂单晶电极表面不可逆反应动力学──Ⅰ.Pt(100)单晶电极上甲酸氧化的现场红外反射光谱研究 被引量:12
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作者 杨毅芸 孙世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第7期632-636,共5页
运用电化学暂态方法和现场时间分辨FTIR反射光谱研究甲酸在Pt(100)单晶电极上的解离吸附和氧化过程.深入认识了甲酸解离吸附的反应速率在-0.25至0.25V电位区间呈火山形变化的规律.根据电化学现场时间分辨红外光谱的研究结果,提... 运用电化学暂态方法和现场时间分辨FTIR反射光谱研究甲酸在Pt(100)单晶电极上的解离吸附和氧化过程.深入认识了甲酸解离吸附的反应速率在-0.25至0.25V电位区间呈火山形变化的规律.根据电化学现场时间分辨红外光谱的研究结果,提出在研究反应动力学时避免甲酸解离吸附干扰的方法,为进一步研究甲酸在Pt(100)电极表面经活性中间体直接氧化至CO2的反应动力学奠定了基础. 展开更多
关键词 电极 单晶 氧化 甲酸 不可逆反应 动力学 FTIR
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铂单晶电极表面不可逆反应动力学──Ⅱ铂单晶(100)晶面电极上甲酸氧化反应动力学参数解析 被引量:5
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作者 孙世刚 杨毅芸 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1997年第8期673-679,共7页
运用程序电位阶跃方法,避免甲酸解离吸附的干扰,成功地研究了Pt(100)单晶电极上甲酸经活性中间体直接氧化至CO2的反应动力学.提出对电化学暂态实验数据进行积分变换求解动力学参数的方法,编制了相关的计算机软件,首次获得甲酸在P... 运用程序电位阶跃方法,避免甲酸解离吸附的干扰,成功地研究了Pt(100)单晶电极上甲酸经活性中间体直接氧化至CO2的反应动力学.提出对电化学暂态实验数据进行积分变换求解动力学参数的方法,编制了相关的计算机软件,首次获得甲酸在Pt(100)单晶电极上直接氧化的反应动力学参数。结果给出在0.02V至0.15V电位区间,速率常数kf的对数随电极电位线性增长,kf从9.51×10-4上升到1.38×10-2cm·s-1.获得传递系数β=0.309,5×10-3mol·L-1HCOOH+0.5mol·L-1H2SO4溶液中甲酸的扩散系数D=1.80×10-5cm2.s-1. 展开更多
关键词 不可逆反应 单晶 电极 甲酸 氧化 反应动力学
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甲酸在Pt(100)单晶电极表面解离吸附过程的动力学 被引量:13
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作者 孙世刚 王津建 穆纪千 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1992年第6期732-735,共4页
有机小分子在电催化剂表面的解离吸附,是燃料电池阳极氧化过程中发生自毒化现象的主要原因.事实上这类解离吸附是一种表面分子过程,包括有机分子在电极表面吸附,分子内断键,生成新的吸附分子或基因等步骤.Sun等研究了甲醇等在一系列铂... 有机小分子在电催化剂表面的解离吸附,是燃料电池阳极氧化过程中发生自毒化现象的主要原因.事实上这类解离吸附是一种表面分子过程,包括有机分子在电极表面吸附,分子内断键,生成新的吸附分子或基因等步骤.Sun等研究了甲醇等在一系列铂单晶电极上的解离吸附,发现这类过程极强地依赖于电极表面原子排列结构.虽然已有大量文献报导了运用原位红外光谱检测各类有机小分子解离吸附物种,但迄今仍未见到动力学方面的研究结果.显然,对这种在电化学条件下表面分子反应过程的动力学研究。 展开更多
关键词 单晶电极 甲酸 解离吸附
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Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究 被引量:1
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作者 吴继红 颜佳伟 +2 位作者 汤儆 胡文云 毛秉伟 《电化学》 CAS CSCD 2003年第4期393-401,共9页
 应用循环伏安法和现场扫描隧道显微镜研究了在HClO4和H2SO4两种溶液中Sb于Cu(111)和Cu(100)电极上的欠电位沉积.结果表明,不同的表面原子排列和强吸附阴离子的存在将明显影响Sb的欠电位沉积行为.在结构较为开放的Cu(100)表面,Sb形成...  应用循环伏安法和现场扫描隧道显微镜研究了在HClO4和H2SO4两种溶液中Sb于Cu(111)和Cu(100)电极上的欠电位沉积.结果表明,不同的表面原子排列和强吸附阴离子的存在将明显影响Sb的欠电位沉积行为.在结构较为开放的Cu(100)表面,Sb形成的欠电位沉积层结构也较为开放,并且伴随着表面合金的形成;而在密堆积的Cu(111)表面上,Sb形成了致密的单层结构.又当Cu(111)表面存在强吸附的SO42-时,Sb原子首先在SO42-吸附层与Cu表面交接的新台阶处成核,随后通过取代SO42-向上一层晶面发展,表现出独特的成核—生长行为;而在弱吸附的HClO4溶液中,Sb的欠电位沉积系以在晶面上随机形成一些单原子层高度的Sb岛为特征.在Cu(100)表面,通过SO42-的诱导共吸附,欠电位沉积的Sb原子形成了开放性更大的(4×4)结构,不同于在HClO4溶液中所形成的(22×22)R45°结构. 展开更多
关键词 SB Cu单晶电极 欠电位沉积 电化学 现场STM CU(111) CU(100) 循环伏安法 金属电沉积
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甘氨酸修饰的Pt(111)电极上的氧还原
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作者 李明芳 康婧 +2 位作者 廖玲文 陈艳霞 叶深 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期37-42,共6页
利用单晶旋转圆盘电极技术(Hanging Meniscus Rotating Disk Electrode,HMRD)在硫酸和高氯酸溶液中,分别研究了甘氨酸修饰的Pt(111)电极表面氧分子的电催化还原反应.实验发现:在硫酸溶液中,经甘氨酸修饰的Pt(111)电极表面的氧还原活性... 利用单晶旋转圆盘电极技术(Hanging Meniscus Rotating Disk Electrode,HMRD)在硫酸和高氯酸溶液中,分别研究了甘氨酸修饰的Pt(111)电极表面氧分子的电催化还原反应.实验发现:在硫酸溶液中,经甘氨酸修饰的Pt(111)电极表面的氧还原活性明显提高,其中氧还原的半波电位与Pt(111)电极的相比正移约0.1 V,而在高氯酸溶液中,甘氨酸修饰的Pt(111)电极的活性几乎没有发生变化.该实验结果表明:甘氨酸修饰的Pt(111)电极一方面抑制了SO42-在电极表面的吸附,另一方面又能在电极表面提供相邻的空位供氧分子吸附.通过与文献中报道的CN-修饰的Pt(111)电极上的氧还原结果的对比,可以推测甘氨酸修饰的Pt(111)电极表面氧还原活性提高,是由于甘氨酸在Pt(111)表面可能先被氧化成CN-后吸附在电极表面,进而促进了氧分子的电催化还原反应. 展开更多
关键词 Pt(111)单晶电极 氧还原 甘氨酸修饰 几何效应
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Pt(110)/Sb电极上甲酸的电催化氧化特征和动力学 被引量:2
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作者 杨毅芸 周志有 +4 位作者 吴启辉 郑明森 谷艳娟 陈声培 孙世刚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期1201-1204,共4页
研究了 Sb在 Pt( 1 1 0 )晶面上不可逆吸附电化学特性及甲酸在 Sbad修饰 Pt( 1 1 0 )电极 [Pt( 1 1 0 ) /Sb]上的电催化氧化特征及其反应动力学 .发现当扫描电位的上限 Eu≤ 0 .4 5 V时 ,Sbad可稳定地吸附在 Pt( 1 1 0 )表面上 ,从而有... 研究了 Sb在 Pt( 1 1 0 )晶面上不可逆吸附电化学特性及甲酸在 Sbad修饰 Pt( 1 1 0 )电极 [Pt( 1 1 0 ) /Sb]上的电催化氧化特征及其反应动力学 .发现当扫描电位的上限 Eu≤ 0 .4 5 V时 ,Sbad可稳定地吸附在 Pt( 1 1 0 )表面上 ,从而有效地抑制了甲酸的解离吸附 .与未修饰的 Pt( 1 1 0 )上的结果相比 ,在 Pt( 1 1 0 ) /Sb上甲酸氧化的峰电位负移了 0 .35 V.当θSb=0 .1 2 6时 ,Pt( 1 1 0 ) /Sb电极对甲酸的电催化活性最高 .还研究了 Pt( 1 1 0 ) /Sb上甲酸氧化反应的动力学 ,定量解析了不同θSb下甲酸氧化的速度常数 展开更多
关键词 不可逆吸附 吸附原子 甲酸 氧化反应动力学 电催化氧化 锑修饰 (110)单晶电极
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Sb在Pt(100),Pt(110),Pt(111)及Pt(320)上不可逆吸附的电化学特性 被引量:3
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作者 杨毅芸 周志有 +1 位作者 吴启辉 孙世刚 《电化学》 CAS CSCD 2000年第3期272-278,共7页
研究了Sb在Pt(1 0 0 ) ,Pt(1 1 0 ) ,Pt(1 1 1 )和Pt(32 0 )单晶面上不可逆吸附的电化学特性 .发现当扫描电位的上限Eu≤ 0 .45V时 ,Sbad可以稳定地吸附在Pt(1 0 0 ) ,Pt(1 1 0 )和Pt(1 1 1 )表面 ,而Sbad在Pt(32 0 )表面稳定的电位较... 研究了Sb在Pt(1 0 0 ) ,Pt(1 1 0 ) ,Pt(1 1 1 )和Pt(32 0 )单晶面上不可逆吸附的电化学特性 .发现当扫描电位的上限Eu≤ 0 .45V时 ,Sbad可以稳定地吸附在Pt(1 0 0 ) ,Pt(1 1 0 )和Pt(1 1 1 )表面 ,而Sbad在Pt(32 0 )表面稳定的电位较低 ,为Eu≤ 0 .40V .从饱和吸附Sb的铂单晶电极出发 ,通过改变电位扫描上限Eu 和电位扫描圈数可以获得不同Sb覆盖度 (θSb)的电极 .根据Sb和H在铂单晶电极表面共吸附的定量数据 ,对Sb在不同铂单晶面上饱和吸附的模型进行了初步探讨 . 展开更多
关键词 单晶电极 不可逆吸附 共吸附 电化学特性
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