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锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性
被引量：
1
1
作者
赵凡
张亚萍
+4 位作者
潘礼庆
HAO Zhu
邱红梅
赵雪丹
John Q．Xiao
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期115-117,共3页
采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的...
采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1_(μB)。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替住的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。
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关键词
氧化铜
稀磁半导体
铁磁性机理
掺杂
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职称材料
题名
锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性
被引量：
1
1
作者
赵凡
张亚萍
潘礼庆
HAO Zhu
邱红梅
赵雪丹
John Q．Xiao
机构
北京科技大学物理系
Department of Physics and Astronomy
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第12期115-117,共3页
基金
国家自然科学基金(50472092
50672008)
教育部博士点专项科研基金(20050008028)
文摘
采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1_(μB)。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替住的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。
关键词
氧化铜
稀磁半导体
铁磁性机理
掺杂
Keywords
cupric oxide, diluted magnetic semiconductors, ferromagnetic mechanism, doping
分类号
O481.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性
赵凡
张亚萍
潘礼庆
HAO Zhu
邱红梅
赵雪丹
John Q．Xiao
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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