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Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析
被引量：
6
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作者
李旭
邹志强
+1 位作者
刘晓勇
李威
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1370-1376,共7页
采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的...
采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm.电子背散射衍射研究表明920℃高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeSi2相与衬底之间存在唯一的取向关系:β-FeSi2(101)//Si(11 1);β-FeSi2[010]//Si[110];Si(111)衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe2Si相组成,Fe2Si属于164空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe2Si(001)∥Si(111)和Fe2Si[1 20]//Si[112].
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关键词
扫描隧道显微镜
电子背散射衍射
铁的硅化物
纳米线
三维岛
结构
取向关系
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职称材料
题名
Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析
被引量：
6
1
作者
李旭
邹志强
刘晓勇
李威
机构
上海交通大学分析测试中心
上海交通大学微纳科学技术研究院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第7期1370-1376,共7页
基金
国家自然科学基金(61176017)
上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ025)资助~~
文摘
采用分子束外延法分别在650-920℃的Si(110)和920℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920℃高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm.电子背散射衍射研究表明920℃高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeSi2相与衬底之间存在唯一的取向关系:β-FeSi2(101)//Si(11 1);β-FeSi2[010]//Si[110];Si(111)衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe2Si相组成,Fe2Si属于164空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe2Si(001)∥Si(111)和Fe2Si[1 20]//Si[112].
关键词
扫描隧道显微镜
电子背散射衍射
铁的硅化物
纳米线
三维岛
结构
取向关系
Keywords
Scanning tunneling microscopy
Electron backscatterdiffraction
Iron silicide
Nanowire
Three-dimensional island
Structure
Orientation relationship
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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题名
作者
出处
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1
Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析
李旭
邹志强
刘晓勇
李威
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014
6
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职称材料
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