到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池...到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池仍正常工作,多年存储后也不会消失,并具有高运行速度和高存储容量的特点。与借助电容以电荷形式存储数据的一般存储器芯片相反,FRAM展开更多
全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访...全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。展开更多
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0．18μm技术的全新SPI FRAM产品家族．包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将S...富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0．18μm技术的全新SPI FRAM产品家族．包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将SRAM的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。展开更多
文摘到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池仍正常工作,多年存储后也不会消失,并具有高运行速度和高存储容量的特点。与借助电容以电荷形式存储数据的一般存储器芯片相反,FRAM
文摘全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。
文摘富士通半导体（上海）有限公司今日宣布推出基于0．18μm技术的全新SPI FRAM产品家族．包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号，并从即日起开始为客户提供样片。FRAM（Ferroelectric Random Access Memory铁电随机存储器）将SRAM的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。
