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铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
1
作者
朱慧
张迎俏
+4 位作者
汪鹏飞
白子龙
孟晓
陈月圆
祁琼
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期443-447,共5页
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定...
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
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关键词
铁电阻变存储器
阻
变
效应
空间电荷限制电流
陷阱填充
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职称材料
题名
铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
1
作者
朱慧
张迎俏
汪鹏飞
白子龙
孟晓
陈月圆
祁琼
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
复旦大学微电子学院
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期443-447,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61201046)
北京市自然科学基金资助项目(4162013
2132023)
文摘
为了研究利用脉冲激光沉积法制备于SrTiO_3衬底上的Au/BiFeO_3/SrRuO_3结构的阻变效应,实验通过测量样品的I-V特性曲线来表征样品的阻态变化.由于BiFeO_3与Au、SrRuO_3功函数的不同在Au/BiFeO_3、BiFeO_3/SrRuO_3两个接触界面形成稳定的肖特基接触,通过改变外部电压控制陷阱能级填充的程度可以改变肖特基势垒高度,从而在施加电压小于矫顽电压时可以形成稳定的高低阻变化,表现出最大可达103高低阻电流比的I-V特性曲线.对I-V特性曲线进行不同导电机制的拟合表明:小于矫顽电压下空间电荷限制电流起到了主导作用,陷阱的填充与脱陷是主要的阻变机制.
关键词
铁电阻变存储器
阻
变
效应
空间电荷限制电流
陷阱填充
Keywords
Fe-resistive random access memory
resistive switching effect
space charge limited current
trapping effect
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铁酸铋薄膜在小于矫顽电压下的阻变机制
朱慧
张迎俏
汪鹏飞
白子龙
孟晓
陈月圆
祁琼
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2017
0
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