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铁电薄膜及铁电存储器的研究进展
被引量：
13
1
作者
周益春
唐明华
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1-19,共19页
铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效...
铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向。
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关键词
铁电
薄膜
掺杂改性
失效机制
铁电薄膜存储器
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职称材料
题名
铁电薄膜及铁电存储器的研究进展
被引量：
13
1
作者
周益春
唐明华
机构
湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第9期1-19,共19页
基金
高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(076044)
国家自然科学基金项目(60876054)
文摘
铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向。
关键词
铁电
薄膜
掺杂改性
失效机制
铁电薄膜存储器
Keywords
ferroelectric thin film, modification, failure mechanism, ferroelectric memory
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
铁电薄膜及铁电存储器的研究进展
周益春
唐明华
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
13
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